[發明專利]一種提高邊拋大直徑硅片表面潔凈度的清洗工藝有效
| 申請號： | 202010033492.X | 申請日： | 2020-01-13 |
| 公開（公告）號： | CN111211042B | 公開（公告）日： | 2022-11-11 |
| 發明（設計）人： | 武衛;張宏杰;孫晨光;劉建偉;由佰玲;劉園;常雪巖;謝艷;楊春雪;劉秒;裴坤羽;祝斌;劉姣龍;王彥君;呂瑩;徐榮清 | 申請（專利權）人： | 天津中環領先材料技術有限公司;中環領先半導體材料有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 天津諾德知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 欒志超 |
| 地址： | 300384 天津市濱海*** | 國省代碼： | 天津;12 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 提高 邊拋大 直徑 硅片 表面 潔凈 清洗 工藝 | ||
1.一種提高邊拋大直徑硅片表面潔凈度的清洗工藝，其特征在于：包括以下步驟，
對硅片進行堿溶液清洗，采用所述堿溶液對所述硅片進行超聲清洗，清洗時間為250-350s，所述堿溶液溫度為50-70℃，所述堿溶液為氨水與雙氧水混合溶液，所述氨水與所述雙氧水的體積比為1：2，所述氨水為質量分數44％-46％溶液，超聲波輸出功率為300-400W；
對所述硅片進行第一純水清洗，去除硅片表面的堿溶液；
對所述硅片進行酸溶液清洗，清洗時間為250-350s，所述酸溶液溫度為40-50℃，所述酸溶液為鹽酸與所述雙氧水溶液，所述鹽酸與所述雙氧水的體積比為1：2，所述鹽酸為質量分數35％-38％溶液；
對所述硅片進行第二純水清洗，去除硅片表面的酸溶液；
對所述硅片進行第三純水清洗；
對所述硅片進行慢提拉、烘干，所述硅片慢提拉時間為30-90s，溫度為40-50℃，所述烘干時間為50-110s 。
2.根據權利要求1所述的提高邊拋大直徑硅片表面潔凈度的清洗工藝，其特征在于：所述雙氧水為質量分數30％-32％溶液。
3.根據權利要求1或2所述的提高邊拋大直徑硅片表面潔凈度的清洗工藝，其特征在于：所述對硅片進行第一純水清洗中，清洗時間為250-350s。
4.根據權利要求3所述的提高邊拋大直徑硅片表面潔凈度的清洗工藝，其特征在于：所述對硅片進行第二純水清洗中，清洗時間為230-330s。
5.根據權利要求1或2或4所述的提高邊拋大直徑硅片表面潔凈度的清洗工藝，其特征在于：所述對硅片進行第三純水清洗中，清洗時間為250-350s。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于天津中環領先材料技術有限公司;中環領先半導體材料有限公司，未經天津中環領先材料技術有限公司;中環領先半導體材料有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010033492.X/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
