[發明專利]一種硅片清洗工藝

在審

• 申請號: 202010033475.6
• 申請日: 2020-01-13
• 公開（公告）號: CN111199874A
• 公開（公告）日: 2020-05-26
• 發明（設計）人: 袁祥龍;劉園;武衛;孫晨光;劉建偉;由佰玲;常雪巖;謝艷;楊春雪;劉秒;裴坤羽;祝斌;劉姣龍;王彥君;呂瑩;徐榮清
• 申請（專利權）人: 天津中環領先材料技術有限公司;中環領先半導體材料有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;B08B3/04;B08B3/08
• 代理公司: 天津諾德知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 12213
• 代理人: 欒志超

本發明提供一種硅片清洗工藝，其包括依次進行的強氧化性溶液清洗、酸性溶液清洗、純水清洗，強氧化性溶液可與硅表面反應生成一層氧化硅薄膜，與硅片表面的金屬離子反應生成金屬氧化物，所述酸性溶液可與上述金屬氧化物反應生成鹽，上述氧化硅薄膜可與酸性溶液反應而被去除，純水可將附在硅片表面的清溶液清洗干凈，如此，本發明不但能清洗掉附著于硅片表面的顆粒物，還能清洗掉硅片表面的微觀離子，從而經本發明清洗工藝清洗過的硅片表面潔凈度高、性能好。

技術領域

本發明涉及硅片加工技術領域，尤其是涉及硅片清洗工藝

背景技術

隨著規模集成電路的不斷發展，其對硅片表面潔凈度的要求也越來越高。目前的集成電路生產由于表面潔凈度不夠導致50％以上的材料被浪費，所以硅片的清洗至關重要。而硅片一般是在拋光后進行清洗，拋光時會用到拋光液，從而硅片拋光后，拋光液有些會附在硅片上，而拋光液中含金屬離子；此外，拋光過程中所產生的硅粉以及空氣中的粉塵等顆粒物也會附在硅片上。

目前的常規工藝有物理清洗和化學清洗兩種。物理清洗包括刷洗、高壓清洗、超聲波清洗等，這種清洗工藝可除去拋光后附著于硅片上的顆粒污染。但是物理清洗處理不當易在硅片表面產生劃痕。

化學清洗一般有酸洗(硝酸、硫酸、混合酸溶液)、溶劑萃取和等離子體法等，主要作用為去除微觀離子等雜質。但是這些傳統的化學清洗方法洗出來的硅片，其潔凈度還是不能滿足需求。

發明內容

鑒于上述問題，本發明的目的在于提供一種硅片清洗工藝，其不但能清洗掉附著于硅片表面的顆粒物，還能清洗掉硅片表面的微觀金屬離子，從而清洗后的硅片表面潔凈度高。

為解決上述技術問題，本發明采用的技術方案是：

一種硅片清洗工藝，依次包括以下步驟：

第一步、強氧化性溶液清洗；

第二步、酸性溶液清洗；

第三步、純水清洗。

較佳的，上述各清洗步驟均采用沖洗的方式進行，對著硅片依次噴強氧

化性溶液、酸性溶液以及純水三種清洗液。

較佳的，上述每一步清洗時，硅片的上側以及下側均被噴清洗液。

較佳的，清洗過程中，使得硅片處于旋轉狀態。

較佳的，每一硅片單獨清洗。

較佳的，上述清洗步驟多次循環。

較佳的，經過純水清洗后的硅片在無氧環境中進行干燥。

較佳的，經過純水清洗后的硅片在無氧環境中高速旋轉而被甩干。

較佳的，所述強氧化性溶液為雙氧水或臭氧水。

較佳的，所述酸性溶液為HCL或HF。

本發明的有益效果為：

經過本發明工藝清洗的硅片，其表面潔凈度高，而且不會有劃痕，能滿足使用需求。

附圖說明

圖1為本發明硅片清洗工藝流程示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖對本發明作進一步的說明。

如圖1所示，本發明公開了一種硅片清洗工藝，其依次包括如下步驟：

第一步、強氧化性溶液清洗；