[發(fā)明專利]一種硅片清洗工藝

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010033475.6
• 申請日: 2020-01-13
• 公開（公告）號: CN111199874A
• 公開（公告）日: 2020-05-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 袁祥龍;劉園;武衛(wèi);孫晨光;劉建偉;由佰玲;常雪巖;謝艷;楊春雪;劉秒;裴坤羽;祝斌;劉姣龍;王彥君;呂瑩;徐榮清
• 申請（專利權(quán)）人: 天津中環(huán)領(lǐng)先材料技術(shù)有限公司;中環(huán)領(lǐng)先半導體材料有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;B08B3/04;B08B3/08
• 代理公司: 天津諾德知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 12213
• 代理人: 欒志超

1.一種硅片清洗工藝，其特征在于：依次包括以下步驟：

第一步、強氧化性溶液清洗；

第二步、酸性溶液清洗；

第三步、純水清洗。

2.根據(jù)權(quán)利要求1任一項所述的硅片清洗工藝，其特征在于：上述各清洗步驟均采用沖洗的方式進行，對著硅片依次噴強氧化性溶液、酸性溶液以及純水三種清洗液。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅片清洗工藝，其特征在于：上述每一步清洗時，硅片的上側(cè)以及下側(cè)均被噴清洗液。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的硅片清洗工藝，其特征在于：清洗過程中，使得硅片處于旋轉(zhuǎn)狀態(tài)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項所述的硅片清洗工藝，其特征在于：每一硅片單獨清洗。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項所述的硅片清洗工藝，其特征在于：上述清洗步驟多次循環(huán)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項所述的硅片清洗工藝，其特征在于：經(jīng)過純水清洗后的硅片在無氧環(huán)境中進行干燥。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的硅片清洗工藝，其特征在于：經(jīng)過純水清洗后的硅片在無氧環(huán)境中高速旋轉(zhuǎn)而被甩干。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8所述的硅片清洗工藝，其特征在于：所述強氧化性溶液為雙氧水或臭氧水。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的硅片清洗工藝，其特征在于：所述酸性溶液為HCL或HF。