[發(fā)明專利]一種硅片激光打標方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010032542.2
• 申請日: 2020-01-13
• 公開（公告）號: CN111112846A
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 孫晨光;張宏杰;武衛(wèi);劉建偉;由佰玲;劉園;常雪巖;謝艷;楊春雪;劉秒;裴坤羽;祝斌;劉姣龍;王彥君;呂瑩;徐榮清
• 申請（專利權(quán)）人: 天津中環(huán)領(lǐng)先材料技術(shù)有限公司;中環(huán)領(lǐng)先半導(dǎo)體材料有限公司
• 主分類號: B23K26/362
• 分類號: B23K26/362;B23K26/402
• 代理公司: 天津諾德知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 12213
• 代理人: 欒志超

本發(fā)明提供一種硅片激光打標方法，包括以下步驟，設(shè)定打標內(nèi)容；掃描硅片，確定硅片的位置和數(shù)量；確定打標位置及打標圖形；進行打標。本發(fā)明的有益效果是用于對大直徑具有V槽和參考面的硅片進行打標，在硅片表面形成永久文字，不易模糊脫落，硅片表面潔凈，便于進入后道工序。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于硅片生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種硅片激光打標方法。

背景技術(shù)

目前太陽能電池制造過程中，包含有多個工序，如硅片清洗、制絨、擴散、打標等。現(xiàn)有技術(shù)中，傳統(tǒng)的打標方式方法容易出現(xiàn)碎片率高、對硅片的污染大、且自動化效率低等問題。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上述問題，本發(fā)明要解決的問題是提供一種硅片激光打標方法，用于對大直徑具有V槽和參考面的硅片進行打標，在硅片表面形成永久文字，不易模糊脫落，且采用激光打標，不會對硅片造成碎片，且不會產(chǎn)生雜質(zhì)，硅片表面潔凈，便于進入后道工序。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是：一種硅片激光打標方法，包括以下步驟，

設(shè)定打標內(nèi)容；

掃描硅片，確定硅片的位置和數(shù)量；

確定打標位置及打標圖形；

進行打標。

進一步的，激光器的脈沖數(shù)為7-11，打標深度為78-80μm。

進一步的，打標位置為硅片的邊緣處，且與硅片的邊緣處的距離小于6mm。

進一步的，進行打標步驟中，打標角度為-3°～-7°。

進一步的，進行打標的步驟中，以硅片的V槽為參考面進行打標。

進一步的，打標角度以硅片中心點與V槽連線為參考線。

進一步的，打標圖形中設(shè)定單字符的高度和間距，單字符的高度為 1.599-1.624mm，單字符的間距為1.395-1.445mm。

進一步的，設(shè)定打標內(nèi)容步驟中，包括手動設(shè)定打標內(nèi)容或自動設(shè)定打標內(nèi)容。

進一步的，手動設(shè)定打標內(nèi)容為手動選擇打標內(nèi)容并進行設(shè)定。

進一步的，自動設(shè)定打標內(nèi)容包括以下步驟：

讀碼器掃描片籃籃號；

將片籃籃號信息傳送給控制系統(tǒng)，確定單晶信息；

確定打標內(nèi)容并進行設(shè)定。

由于采用上述技術(shù)方案，采用激光發(fā)生器對硅片進行打標，且在打標之前，能夠確定花籃及硅片信息，能夠在硅片表面形成永久的文字標記，便于對硅片生產(chǎn)過程進行追溯，同時，也便于獲取硅片的屬性；采用激光打標，使得硅片表面材料瞬間熔融、氣化，不會在引入其他雜質(zhì)，保證硅片表面的清潔度，且在打標過程中，不會在硅片打標面施加外力，避免硅片破損，降低硅片碎片率，自動化程度高。

具體實施方式

下面結(jié)合具體實施例對本發(fā)明作進一步的說明。

本發(fā)明的一實施例涉及一種硅片激光打標方法，用于對12寸以上的大直徑具有V槽和參考面的硅片進行打標，應(yīng)用激光打標設(shè)備對硅片打標面進行打標，在硅片表面形成永久的文字標記，便于通過此識別碼對硅片的生產(chǎn)過程中進行追溯，同時便于通過掃描或讀取的形式獲取硅片的屬性。

該激光打標的基本原理是：由激光發(fā)生器生成高能量的連續(xù)激光光束，聚焦后的激光作用于承印材料，使表面材料瞬間熔融，甚至氣化，通過控制激光在材料表面的路徑，從而形成需要的圖文標記。激光打標是非接觸加工，可在任何異型表面標刻，工件不會變形和產(chǎn)生內(nèi)應(yīng)力，適用于對硅片進行打標，且不會對硅片造成損傷，圖文標記不會模糊或丟失。