[發明專利]一種硅片激光打標方法在審
| 申請號： | 202010032542.2 | 申請日： | 2020-01-13 |
| 公開（公告）號： | CN111112846A | 公開（公告）日： | 2020-05-08 |
| 發明（設計）人： | 孫晨光;張宏杰;武衛;劉建偉;由佰玲;劉園;常雪巖;謝艷;楊春雪;劉秒;裴坤羽;祝斌;劉姣龍;王彥君;呂瑩;徐榮清 | 申請（專利權）人： | 天津中環領先材料技術有限公司;中環領先半導體材料有限公司 |
| 主分類號： | B23K26/362 | 分類號： | B23K26/362;B23K26/402 |
| 代理公司： | 天津諾德知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 欒志超 |
| 地址： | 300384 天津市濱海*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 硅片 激光 方法 | ||
1.一種硅片激光打標方法，其特征在于：包括以下步驟，
設定打標內容；
掃描硅片，確定所述硅片的位置和數量；
確定打標位置及打標圖形；
進行打標。
2.根據權利要求1所述的硅片激光打標方法，其特征在于：所述進行打標的步驟中，激光器的脈沖數為7-11，打標深度為78-80μm。
3.根據權利要求2所述的硅片激光打標方法，其特征在于：所述打標位置為所述硅片的邊緣處，且與所述硅片的邊緣處的距離小于6mm。
4.根據權利要求2或3所述的硅片激光打標方法，其特征在于：所述進行打標步驟中，打標角度為-3°～-7°。
5.根據權利要求4所述的硅片激光打標方法，其特征在于：所述進行打標的步驟中，以所述硅片的V槽為參考面進行打標。
6.根據權利要求5所述的硅片激光打標方法，其特征在于：所述打標角度以所述硅片中心點與所述V槽連線為參考線。
7.根據權利要求5或6所述的硅片激光打標方法，其特征在于：所述打標圖形中設定單字符的高度和間距，所述單字符的高度為1.599-1.624mm，所述單字符的間距為1.395-1.445mm。
8.根據權利要求7所述的硅片激光打標方法，其特征在于：所述設定打標內容步驟中，包括手動設定打標內容或自動設定打標內容。
9.根據權利要求8所述的硅片激光打標方法，其特征在于：所述手動設定打標內容為手動選擇打標內容并進行設定。
10.根據權利要求8所述的硅片激光打標方法，其特征在于：所述自動設定打標內容包括以下步驟：
讀碼器掃描片籃籃號；
將所述片籃籃號信息傳送給控制系統，確定單晶信息；
確定打標內容并進行設定。
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