[發(fā)明專利]三維存儲器及其形成方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010031318.1
• 申請日: 2020-01-13
• 公開（公告）號: CN111211126A
• 公開（公告）日: 2020-05-29
• 發(fā)明（設計）人: 楊芳
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L27/11529;H01L27/11556;H01L27/11573;H01L27/11582
• 代理公司: 上海盈盛知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 董琳;陳麗麗

1.一種三維存儲器，其特征在于，包括：

依次層疊的第一存儲器件、第一外圍電路器件和第二存儲器件；

所述第一存儲器件、第二存儲器件均與所述第一外圍電路器件電連接。

2.根據(jù)權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述第一存儲器件包括沿所述第一存儲器件指向所述第一外圍電路器件的方向依次堆疊的多個第一柵層，所述第二存儲器件包括沿所述第二存儲器件指向所述第一外圍電路器件的方向依次堆疊的多個第二柵層；所述三維存儲器還包括：

與多個所述第一柵層對應的多個第一插塞，每一所述第一插塞的一端電連接一所述第一柵層、另一端電連接所述第一外圍電路器件；

與多個所述第二柵層對應的多個第二插塞，每一所述第二插塞的一端電連接一所述第二柵層、另一端電連接所述第一外圍電路器件。

3.根據(jù)權利要求2所述的三維存儲器，其特征在于，所述第一存儲器件包括第一核心區(qū)域和第一臺階區(qū)域，所述第二存儲器件包括第二核心區(qū)域和第二臺階區(qū)域；

每一所述第一插塞與位于所述第一臺階區(qū)域的一所述第一柵層電連接；

每一所述第二插塞與位于所述第二臺階區(qū)域的一所述第二柵層電連接。

4.根據(jù)權利要求3所述的三維存儲器，其特征在于，所述第一外圍電路器件包括：

多個第一導電塞，所述第一導電塞位于所述第一外圍電路器件朝向所述第一存儲器件的表面，所述第一導電塞用于與所述第一插塞電連接；

多個第二導電塞，所述第二導電塞位于所述第一外圍電路器件朝向所述第二存儲器件的表面，所述第二導電塞用于與所述第二插塞電連接。

5.根據(jù)權利要求3所述的三維存儲器，其特征在于，還包括：

第一柱塞，一端電連接所述第一核心區(qū)域、另一端電連接所述第一外圍電路器件；

第二柱塞，一端電連接所述第二核心區(qū)域、另一端電連接所述第一外圍電路器件。

6.根據(jù)權利要求3所述的三維存儲器，其特征在于，所述第一臺階區(qū)域位于所述第一核心區(qū)域的外圍，所述第二臺階區(qū)域位于所述第二核心區(qū)域的外圍；或者，

所述第一核心區(qū)域位于所述第一臺階區(qū)域的外圍，所述第二核心區(qū)域位于所述第二臺階區(qū)域的外圍。

7.根據(jù)權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，還包括：

依次層疊的第三存儲器件、第二外圍電路器件和第四存儲器件，所述第三存儲器件層疊于所述第一存儲器件背離所述第一外圍電路器件的一側；

所述第三存儲器件、所述第四存儲器件均與所述第二外圍電路器件電連接。

8.根據(jù)權利要求7所述的三維存儲器，其特征在于，還包括：

導電連接柱，一端與所述第一外圍電路器件電連接、另一端與所述第二外圍電路器件電連接。

9.一種三維存儲器的形成方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供依次層疊的第一存儲器件、第一外圍電路器件和第二存儲器件；

電連接所述第一存儲器件與所述第一外圍電路器件、以及所述第二存儲器件與所述第一外圍電路器件。