[發(fā)明專利]一種半導體熱處理方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202010030853.5
• 申請日: 2020-01-13
• 公開（公告）號: CN113113305A
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發(fā)明（設計）人: 陳儒
• 申請（專利權）人: 東莞新科技術研究開發(fā)有限公司
• 主分類號: H01L21/324
• 分類號: H01L21/324;H01L21/67
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫

本發(fā)明公開了一種半導體熱處理方法，其包括：將待冷卻的半導體放入密閉的熱處理爐中；對所述熱處理爐進行抽真空；使所述熱處理爐的爐內的真空度在預設數值范圍內；讓所述熱處理爐的爐內溫度穩(wěn)定在110?130℃，并將所述半導體放置在爐內預定時間；使所述熱處理爐的爐內氣壓恢復至正常氣壓值，并從爐內取出所述半導體冷卻至室溫。本發(fā)明能夠有效消除半導體在冷卻過程中的熱應力現象，從而避免影響到半導體的加工質量。

技術領域

本發(fā)明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種半導體熱處理方法。

背景技術

在半導體(例如硅片)切割加工過程中，切割消耗的能量幾乎全部轉化為熱能，根據切割條件的不同，切削熱約有70％進入半導體，20％進入切割刀具，其余的則進入碎屑。通常，極大的摩擦會使半導體表面溫度瞬間上升，形成瞬時熱聚集現象。加工完半導體后，一般會采用氣體對流散熱的方式對半導體進行冷卻。但是采用這種冷卻方式，在冷卻后會造成半導體表面和內部的巨大的溫度差，形成熱應力。如果熱應力超過材料的強度，會使半導體產生裂紋，從而降低半導體的壽命。

發(fā)明內容

針對上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種半導體熱處理方法，其能夠有效消除半導體在冷卻過程中的熱應力現象，從而避免影響到半導體的加工質量。

為了實現上述目的，本發(fā)明一實施例提供了一種半導體熱處理方法，其包括：

將待冷卻的半導體放入密閉的熱處理爐中；

對所述熱處理爐進行抽真空；

使所述熱處理爐的爐內的真空度在預設數值范圍內；

讓所述熱處理爐的爐內溫度穩(wěn)定在110-130℃，并將所述半導體放置在爐內預定時間；

使所述熱處理爐的爐內氣壓恢復至正常氣壓值，并從爐內取出所述半導體冷卻至室溫。

作為上述方案的改進，所述使所述熱處理爐的爐內的真空度在預設數值范圍內，具體為：

向所述熱處理爐通入惰性氣體，并使得所述熱處理爐的爐內的真空度在預設數值范圍內。

作為上述方案的改進，所述對所述熱處理爐進行抽真空時，使得所述熱處理爐的爐內的真空度為-0.75mpa～-0.5mpa。

作為上述方案的改進，所述預設數值范圍為：-0.1～-0.05mpa。

作為上述方案的改進，所述預定時間為：50-65分鐘。

作為上述方案的改進，向所述熱處理爐通入惰性氣體時，通入惰性氣體的流量為40-60slpm。

作為上述方案的改進，通入惰性氣體的流量為50slpm。

作為上述方案的改進，在向所述熱處理爐通入惰性氣體后，讓所述熱處理爐的爐內溫度穩(wěn)定在120℃。

作為上述方案的改進，所述惰性氣體為氬氣。

作為上述方案的改進，所述從爐內取出所述半導體冷卻至室溫，具體為：

將所述半導體從所述熱處理爐內取出，并放置到氮氣柜內靜置至室溫，最后取出。

作為上述方案的改進，所述半導體為硅片。