[發明專利]一種半導體熱處理方法在審
| 申請號： | 202010030853.5 | 申請日： | 2020-01-13 |
| 公開（公告）號： | CN113113305A | 公開（公告）日： | 2021-07-13 |
| 發明（設計）人： | 陳儒 | 申請（專利權）人： | 東莞新科技術研究開發有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/324 | 分類號： | H01L21/324;H01L21/67 |
| 代理公司： | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝傳鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體 熱處理 方法 | ||
1.一種半導體熱處理方法，其特征在于，包括：
將待冷卻的半導體放入密閉的熱處理爐中；
對所述熱處理爐進行抽真空；
使所述熱處理爐的爐內的真空度在預設數值范圍內；
讓所述熱處理爐的爐內溫度穩定在110-130℃，并將所述半導體放置在爐內預定時間；
使所述熱處理爐的爐內氣壓恢復至正常氣壓值，并從爐內取出所述半導體冷卻至室溫。
2.根據權利要求1所述的半導體熱處理方法，其特征在于，所述使所述熱處理爐的爐內的真空度在預設數值范圍內，具體為：
向所述熱處理爐通入惰性氣體，并使得所述熱處理爐的爐內的真空度在預設數值范圍內。
3.根據權利要求2所述的半導體熱處理方法，其特征在于，所述對所述熱處理爐進行抽真空時，使得所述熱處理爐的爐內的真空度為-0.75mpa～-0.5mpa。
4.根據權利要求2所述的半導體熱處理方法，其特征在于，所述預設數值范圍為：-0.1～-0.05mpa。
5.根據權利要求2所述的半導體熱處理方法，其特征在于，向所述熱處理爐通入惰性氣體時，通入惰性氣體的流量為40-60slpm。
6.根據權利要求1所述的半導體熱處理方法，其特征在于，所述預定時間為：50-65分鐘。
7.根據權利要求6所述的半導體熱處理方法，其特征在于，通入惰性氣體的流量為50slpm。
8.根據權利要求2所述的半導體熱處理方法，其特征在于，在向所述熱處理爐通入惰性氣體后，讓所述熱處理爐的爐內溫度穩定在120℃。
9.根據權利要求1所述的半導體熱處理方法，其特征在于，所述惰性氣體為氬氣，所述半導體為硅片。
10.根據權利要求1所述的半導體熱處理方法，其特征在于，所述從爐內取出所述半導體冷卻至室溫，具體為：
將所述半導體從所述熱處理爐內取出，并放置到氮氣柜內靜置至室溫，最后取出。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
