[發明專利]一種硅片料座與料板分離裝置及其分離方法

在審

• 申請號: 202010029799.2
• 申請日: 2020-01-13
• 公開（公告）號: CN111037767A
• 公開（公告）日: 2020-04-21
• 發明（設計）人: 李建弘;危晨;劉曉偉;李海彬;唐昊;史丹梅
• 申請（專利權）人: 天津市環歐半導體材料技術有限公司
• 主分類號: B28D7/00
• 分類號: B28D7/00
• 代理公司: 天津諾德知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 12213
• 代理人: 欒志超

1.一種硅片料座與料板分離裝置，所述料座包括金屬材料，所述料板包括樹脂材料或塑料材料，所述料板被膠合在所述料座上并一體設置，其特征在于，所述分離裝置包括一螺線管，所述螺線管內側沿所述螺線管軸線方向設有足以容納所述料座和所述料板的空間，工作時，所述料座和所述料板被置于所述螺線管內側，所述螺線管產生的交變電磁場在所述料座內部產生渦流使所述料座發熱，所述料座將熱量傳遞給置于其與所述料板之間的膠層并使所述膠層軟化，從而使所述料座與所述料板分離。

2.根據權利要求1所述的一種硅片料座與料板分離裝置，其特征在于，還包括箱體，所述螺線管置于所述箱體內側，在所述螺線管與所述箱體之間設有隔熱層，在所述螺旋管遠離所述隔熱層一側設有保溫層，所述隔熱層、所述保溫層和所述螺線管均沿所述箱體長度方向設置；所述保溫層內側設有用于放置所述料座和所述料板的通道，所述通道貫穿所述箱體長度設置。

3.根據權利要求2所述的一種硅片料座與料板分離裝置，其特征在于，所述隔熱層、所述保溫層和所述螺線管軸向長度與所述箱體長度相適配，且均大于所述料座長度。

4.根據權利要求3所述的一種硅片料座與料板分離裝置，其特征在于，在所述保溫層下端面靠近所述通道一側設有若干凹槽，所述凹槽內設有輥軸；所述凹槽沿所述保溫層寬度方向上并排間隔設置，所述凹槽長度不大于所述通道寬度且不小于所述通道寬度的3/4。

5.根據權利要求4所述的一種硅片料座與料板分離裝置，其特征在于，所述輥軸內嵌于所述凹槽長度方向上且凸設于所述凹槽上端面，所述凹槽長度與所述凹槽長度相適配。

6.根據權利要求2-5任一項所述的一種硅片料座與料板分離裝置，其特征在于，所述箱體長度方向兩端設有對稱設置的柜門，在任一所述柜門內側設有用于檢測所述料座端面的溫度傳感器，所述溫度傳感器朝所述通道一側設置；所述溫度傳感器高度位于所述料板上段面靠近所述料板位置處。

7.根據權利要求6所述的一種硅片料座與料板分離裝置，其特征在于，還包括設置在所述箱體頂部的排風機構和廢氣處理機構，所述排風機構一端與所述箱體連通，另一端與所述廢氣處理機構連通，所述廢氣處理機構排氣口與空氣連通。

8.一種硅片料座與料板分離方法，其特征在于，采用如權利要求1-7任一項所述的分離裝置，包括：將所述料座和所述料板被置于所述螺線管內側，所述螺線管產生的交變電磁場在所述料座內部產生渦流使所述料座發熱，所述料座將熱量傳遞給置于其與所述料板之間的膠層并使所述膠層軟化，從而使所述料座與所述料板分離。

9.根據權利要求8所述的一種硅片料座與料板的分離方法，其特征在于，所述螺線管產生交變電磁場的功率為10-150kVA，頻率為25-35KHz，所述料座被發熱溫度為80-100°。

10.根據權利要求8或9所述的一種硅片料座與料板的分離方法，其特征在于，還包括所述螺線管停止產生交變電磁場后，再對所述料座和所述料板進行保溫，保溫時間為1-2min。