[發(fā)明專利]DRAM芯片老化測試設備、方法、計算機設備及存儲介質(zhì)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010029257.5
• 申請日: 2020-01-10
• 公開（公告）號: CN111209152B
• 公開（公告）日: 2023-08-08
• 發(fā)明（設計）人: 趙佳思;劉棟;張衛(wèi)民
• 申請（專利權）人: 記憶科技（深圳）有限公司
• 主分類號: G06F11/22
• 分類號: G06F11/22
• 代理公司: 深圳市精英專利事務所 44242
• 代理人: 巫苑明

本發(fā)明涉及一種DRAM芯片老化測試設備、方法、計算機設備及存儲介質(zhì)，設備包括用于提供環(huán)境溫度控制的老化柜，及連接并控制所述老化柜的通信控制模塊，以及用于放置被測試DRAM芯片的測試板，所述測試板包括有用于測試DRAM芯片的SSD主控模塊，所述SSD主控模塊通過高速DRAM接口連接多個DRAM芯片進行測試。本發(fā)明通過在測試板上使用SSD主控模塊來同時連接多個DRAM芯片進行老化測試，在保證單個DRAM芯片的測試效率不受影響的前提下，大大提高了DRAM芯片老化測試設備的同測數(shù)量，進而提高了DRAM芯片老化測試的效率。

技術領域

本發(fā)明涉及老化測試，更具體地說是指一種DRAM芯片老化測試設備、方法、計算機設備及存儲介質(zhì)。

背景技術

DRAM芯片是動態(tài)隨機存取存儲器，DRAM存儲芯片只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間，所以需要定時刷新。

生產(chǎn)過程中，需要對DRAM芯片進行功能測試，實現(xiàn)自動加載DRAM芯片所需測試的程序并能集成功能測試，通過系列的老化、功能測試，將被測試的DRAM芯片進行篩選，以分出Good或NG或其它等級。

業(yè)界目前依托Advantest?System/Teradyne?System?進行BURNIN測試-CORE測試-Speed測試。DRAM測試設備主要依靠國外半導體設備廠商提供測試平臺，資源稀缺。具體的測試流程包括：BURNIN測試為高低溫下低速老化測試和顆粒修復測試；CORE測試為DRAM?ARRAY?CORE?Frequency?測試；Speed測試為高速測試。

其中，CORE測試能同測數(shù)量少，測試速率低，測試設備貴，成本高；Speed測試能同測數(shù)量也少，設備也非常貴。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術的缺陷，提供一種DRAM芯片老化測試設備、方法、計算機設備及存儲介質(zhì)。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下技術方案：

第一方面，本發(fā)明提出一種DRAM芯片老化測試設備，包括用于提供環(huán)境溫度控制的老化柜，及連接并控制所述老化柜的通信控制模塊，以及用于放置被測試DRAM芯片的測試板，所述測試板包括有用于測試DRAM芯片的SSD主控模塊，所述SSD主控模塊通過高速DRAM接口連接多個DRAM芯片進行測試。

第二方面，本發(fā)明還提出一種DRAM芯片老化測試方法，基于如上所述的DRAM芯片老化測試設備，包括以下步驟：

將DRAM芯片放置在測試板，同時根據(jù)測試板編號生成對應的DRAM分布文件，DRAM芯片放置完成后將測試板連接老化柜，所述的DRAM分布文件包括DRAM芯片在測試板上的放置位置信息；

獲取來自控制終端的控制指令和測試程序；

通過測試板上的SSD主控模塊運行測試程序，驅(qū)動對應的DRAM芯片進行相應的老化測試以得到測試數(shù)據(jù)，老化柜根據(jù)控制指令進行溫度控制；

將測試數(shù)據(jù)通過通信控制模塊上傳到控制終端，并根據(jù)DRAM分布文件和測試數(shù)據(jù)生成相應的測試信息文件，所述測試信息文件包括DRAM芯片在測試板上的放置位置信息，以及對應DRAM芯片的測試數(shù)據(jù)；

根據(jù)測試信息文件自動分選對應測試板上的DRAM芯片。

第三方面，本發(fā)明還提出一種計算機設備，所述計算機設備包括存儲器及處理器，所述存儲器上存儲有計算機程序，所述處理器執(zhí)行所述計算機程序時實現(xiàn)如上所述的DRAM芯片老化測試方法。

第四方面，本發(fā)明還提出一種存儲介質(zhì)，所述存儲介質(zhì)存儲有計算機程序，所述計算機程序被處理器執(zhí)行時可實現(xiàn)如上所述的DRAM芯片老化測試方法。