[發(fā)明專利]一種金屬羥基氧化物復(fù)合B-BiVO4 在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010029182.0 | 申請(qǐng)日: | 2020-01-10 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111146004A | 公開(公告)日: | 2020-05-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陶霞;康自虎;鄭言貞;周軍帥 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京化工大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01G9/042 | 分類號(hào): | H01G9/042;H01G9/20 |
| 代理公司: | 北京思海天達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11203 | 代理人: | 張立改 |
| 地址: | 100029 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 金屬 羥基 氧化物 復(fù)合 bivo base sub | ||
一種金屬羥基氧化物復(fù)合B?BiVO4光電陽(yáng)極及其制備方法,屬于電極材料制備領(lǐng)域。將純BiVO4光電陽(yáng)極浸泡在硼酸鹽溶液中(表示B?BiVO4),在其表面上吸附[B(OH)4]?配體作為鈍化劑,提高光生載流子的分離效率并促進(jìn)表面空穴的提取;然后,在經(jīng)硼酸鹽改性后的BiVO4光電陽(yáng)極上原位生長(zhǎng)助催化劑金屬羥基氧化物(如羥基氧化鐵、羥基氧化鈷、羥基氧化鎳等),增加光電陽(yáng)極表面活性位點(diǎn),加速空穴在光電陽(yáng)極與電解質(zhì)界面的傳輸,從而提高BiVO4的光電水氧化性能。基于光生電荷的有效分離、空穴在光電陽(yáng)極與電解質(zhì)界面的快速傳輸,所制備的金屬羥基氧化物復(fù)合B?BiVO4光電陽(yáng)極能夠高效運(yùn)用于光電化學(xué)水分解。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于電極材料制備領(lǐng)域,具體涉及金屬羥基氧化物原位生長(zhǎng)在經(jīng)硼酸改性的BiVO4光電陽(yáng)極及其制備方法,并用于太陽(yáng)光驅(qū)動(dòng)的光電催化水分解反應(yīng)。
背景技術(shù)
隨著化石燃料的使用造成的嚴(yán)重污染,和化石燃料本身的不可再生,迫使人們?nèi)ラ_發(fā)一種清潔可再生的新能源。氫能和太陽(yáng)能是眾所周知的清潔能源,氫能熱值高、產(chǎn)物無毒無臭,太陽(yáng)能由于其安全性高、成本低和長(zhǎng)期使用性等優(yōu)點(diǎn)而被重點(diǎn)關(guān)注。
光電催化水分解的特點(diǎn):即半導(dǎo)體光電陽(yáng)極所接受的能量大于等于自身禁帶寬度的光照射時(shí),就會(huì)在光電陽(yáng)極表面產(chǎn)生電子-空穴對(duì),光生電子通過外電路的偏壓到達(dá)對(duì)電極還原水生成氫氣,光生空穴在光電陽(yáng)極與電解液的接觸面上將水氧化生成氧氣。
BiVO4具有2.4eV的窄帶隙,合適的帶邊位置以及在中性和堿性溶液中具有良好的穩(wěn)定性,并且是一種良好可見光響應(yīng)能力的光電陽(yáng)極材料,在420nm處的光電轉(zhuǎn)換效率達(dá)29%,可以有效利用太陽(yáng)光。但是由于BiVO4的電子-空穴對(duì)的嚴(yán)重復(fù)合,從而導(dǎo)致其較弱的電子傳輸、緩慢的水氧化動(dòng)力學(xué)和較低的載流子遷移速率。通常通過構(gòu)建異質(zhì)結(jié)、元素?fù)诫s、負(fù)載助催化劑以及形貌控制等方法來提高光電水氧化性能。
目前報(bào)道對(duì)BiVO4改性來提高光電陽(yáng)極材料性能的有:
表1 BiVO4光電極的光電化學(xué)水氧化性能比較
[1]YAN D,FU X,SHANG Z,et al.A BiVO4film photoanode with re-annealingtreatment and 2D thin Ti3C2TX flakes decoration for enhancedphotoelectrochemical water oxidation[J].Chem.Eng.J.,361(2019)853-861.
[2]ZHOU S,YUE P,HUANG J,et al.High-performance photoelectrochemicalwater splitting of BiVO4@Co-MIm prepared by a facile in-situ depositionmethod[J].Chem.Eng.Journal.,371(2019)885-89.
[3]QI J,KONG D,LIU D,et al.Bimetallic phosphide decorated Mo–BiVO4forsignificantly improved photoelectrochemical activity and stability[J].RSCAdv.,9(2019)15629-15634.
發(fā)明內(nèi)容
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于北京化工大學(xué),未經(jīng)北京化工大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010029182.0/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:曲臂式太陽(yáng)能燈塔
- 下一篇:一種散粒體材料制樣裝置及方法





