[發(fā)明專利]半導體裝置及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010027029.4 | 申請日： | 2020-01-10 |
| 公開（公告）號： | CN112447620A | 公開（公告）日： | 2021-03-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 丹羽惠一 | 申請（專利權(quán)）人： | 鎧俠股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/31 | 分類號： | H01L23/31;H01L25/18;H01L21/98 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 張世俊 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導體 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導體裝置，具備：
第1襯底，設(shè)置有第1端子；
第1半導體芯片，在與所述第1襯底相向的第1面上，具有與所述第1襯底的所述第1端子連接的電極；及
非導電性的第1樹脂層，設(shè)置在所述第1襯底與所述第1半導體芯片之間，且覆蓋所述第1半導體芯片的與所述第1面為相反側(cè)的第2面整體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體裝置，其中，所述第1樹脂層的上表面比所述第2面平坦。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導體裝置，還具備：粘結(jié)層，設(shè)置在所述第1樹脂層的所述上表面上；及
第2半導體芯片，設(shè)置在所述粘結(jié)層上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導體裝置，還具備間隔件，該間隔件設(shè)置在所述第1半導體芯片的周圍，具有與所述第1樹脂層的所述上表面的高度大體相等的高度，
所述第2半導體芯片設(shè)置在所述第1樹脂層及所述間隔件之上。
5.根據(jù)權(quán)利要求2至4中任一項所述的半導體裝置，其中，所述第1樹脂層的厚度為所述第1半導體芯片的翹曲量以上。
6.一種半導體裝置的制造方法，包括如下步驟：向設(shè)置有第1端子的第1襯底上供給非導電性的第1樹脂層的材料，
以第1半導體芯片的第1面上設(shè)置的電極與所述第1端子對應(yīng)的方式，在所述第1襯底上層疊第1半導體芯片，
通過對所述第1襯底及所述第1半導體芯片施加壓力同時加熱，而將所述第1半導體芯片的電極與所述第1襯底的端子連接，
在所述第1半導體芯片的與所述第1面為相反側(cè)的第2面整體上覆蓋所述第1樹脂層的材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述第1樹脂層的上表面比所述第2面平坦。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導體裝置的制造方法，其中，使用壓接裝置將所述第1半導體芯片的電極與所述第1襯底的端子連接后，平坦化所述第1樹脂層時，利用樹脂膜使所述第1樹脂層的上表面平坦化。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的半導體裝置的制造方法，其中，使用壓接裝置將所述第1端子與所述電極連接后，在所述第2面與所述壓接裝置之間設(shè)置間隙，并向所述間隙內(nèi)導入所述第1樹脂層的材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的半導體裝置的制造方法，其中，使用壓接裝置將所述第1端子與所述電極連接后，再次向所述第2面上供給所述第1樹脂層的材料，所述壓接裝置利用所述第1樹脂層的材料覆蓋所述第2面整體。
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