[發(fā)明專利]存儲器系統(tǒng)及控制半導(dǎo)體存儲裝置的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010027014.8 | 申請日： | 2016-03-09 |
| 公開（公告）號： | CN111243639A | 公開（公告）日： | 2020-06-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 白川政信;安福健太;山家陽 | 申請（專利權(quán)）人： | 東芝存儲器株式會社 |
| 主分類號： | G11C11/56 | 分類號： | G11C11/56;G11C16/04;G11C16/08;G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人： | 張世俊 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 存儲器 系統(tǒng) 控制 半導(dǎo)體 存儲 裝置 方法 | ||
1.一種存儲器系統(tǒng)，其特征在于包括：
半導(dǎo)體存儲裝置，包含多個(gè)存儲單元和字線，所述多個(gè)存儲單元包含存儲單元頁面，所述多個(gè)存儲單元包括第1存儲單元、第2存儲單元、第3存儲單元以及第4存儲單元，所述字線電連接到所述第1存儲單元、所述第2存儲單元、所述第3存儲單元以及所述第4存儲單元的柵極；以及
控制器，構(gòu)成為從所述存儲單元頁面讀取數(shù)據(jù)且對所述半導(dǎo)體存儲裝置發(fā)出第1寫入命令或第2寫入命令；其中
所述半導(dǎo)體存儲裝置響應(yīng)于所述發(fā)出的第1寫入命令，對所述存儲單元頁面執(zhí)行第1編程操作且使用第1驗(yàn)證電壓對所述頁面的所述存儲單元執(zhí)行第1驗(yàn)證操作；且
所述半導(dǎo)體存儲裝置響應(yīng)于所述發(fā)出的第2寫入命令，當(dāng)所述發(fā)出的第2寫入命令對應(yīng)于所述存儲單元的第1子集時(shí)，對所述頁面的所述存儲單元的所述第1子集執(zhí)行第2編程操作，所述存儲單元的所述第1子集包含所述第1存儲單元和所述第2存儲單元，并使用第2驗(yàn)證電壓對所述存儲單元的所述第1子集執(zhí)行第2驗(yàn)證操作，且當(dāng)所述發(fā)出的第2寫入命令對應(yīng)于所述存儲單元的第2子集時(shí)，對所述頁面的所述存儲單元的所述第2子集執(zhí)行所述第2編程操作，所述存儲單元的所述第2子集包含所述第3存儲單元和所述第4存儲單元，并使用第3驗(yàn)證電壓對所述存儲單元的所述第2子集執(zhí)行第3驗(yàn)證操作。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器系統(tǒng)，其特征在于：
所述存儲器系統(tǒng)可連接到主機(jī)設(shè)備，且
所述控制器構(gòu)成為響應(yīng)于從所述主機(jī)設(shè)備接收到的寫入命令而對所述半導(dǎo)體存儲裝置發(fā)出所述第1寫入命令或所述第2寫入命令。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲器系統(tǒng)，其特征在于：
所述控制器構(gòu)成為響應(yīng)于從所述主機(jī)設(shè)備接收到的讀取命令而從所述存儲單元頁面讀取數(shù)據(jù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器系統(tǒng)，其特征在于：
所述第3驗(yàn)證電壓與所述第2驗(yàn)證電壓不同。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲器系統(tǒng)，其特征在于：
在對所述存儲單元的所述第1子集的所述第2編程操作已經(jīng)執(zhí)行且所述第1子集的所述存儲單元已通過驗(yàn)證后，所述控制器執(zhí)行對所述存儲單元的所述第2子集的所述第2編程操作。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲器系統(tǒng)，其特征在于：
所述第3驗(yàn)證電壓大于所述第2驗(yàn)證電壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲器系統(tǒng)，其特征在于：
所述半導(dǎo)體存儲裝置通過在多個(gè)循環(huán)中將電平增加的編程電壓施加到所述字線來執(zhí)行對所述存儲單元的所述第1子集的所述第2編程操作，
所述半導(dǎo)體存儲裝置通過在多個(gè)循環(huán)中將電平增加的編程電壓施加到所述字線來執(zhí)行對所述存儲單元的所述第2子集的所述第2編程操作，且
在對所述第1子集的所述存儲單元執(zhí)行所述第2編程操作時(shí)用于每一后續(xù)循環(huán)的所述編程電壓的增加量大于在對所述第2子集的所述存儲單元執(zhí)行所述第2編程操作時(shí)用于每一后續(xù)循環(huán)的所述編程電壓的增加量。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲器系統(tǒng)，其特征在于：
在對所述第1子集的所述存儲單元執(zhí)行所述第2編程操作時(shí)用于每一后續(xù)循環(huán)的所述編程電壓的增加的電平小于在對所述第2子集的所述存儲單元執(zhí)行所述第2編程操作時(shí)用于每一后續(xù)循環(huán)的所述編程電壓的增加的電平。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲器系統(tǒng)，其特征在于：
所述半導(dǎo)體存儲裝置響應(yīng)于所述發(fā)出的第2寫入命令，使用所述第2驗(yàn)證電壓對所述第1子集中的所述存儲單元執(zhí)行預(yù)驗(yàn)證操作。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器系統(tǒng)，其特征在于：
在所述預(yù)驗(yàn)證操作期間，對所述字線施加第1讀取電壓，接著施加大于所述第1讀取電壓的第2讀取電壓。
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