[發(fā)明專利]存儲器系統(tǒng)及控制半導體存儲裝置的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010027014.8
• 申請日: 2016-03-09
• 公開（公告）號: CN111243639A
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發(fā)明（設計）人: 白川政信;安福健太;山家陽
• 申請（專利權）人: 東芝存儲器株式會社
• 主分類號: G11C11/56
• 分類號: G11C11/56;G11C16/04;G11C16/08;G11C16/10;G11C16/34
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 張世俊

1.一種存儲器系統(tǒng)，其特征在于包括：

半導體存儲裝置，包含多個存儲單元和字線，所述多個存儲單元包含存儲單元頁面，所述多個存儲單元包括第1存儲單元、第2存儲單元、第3存儲單元以及第4存儲單元，所述字線電連接到所述第1存儲單元、所述第2存儲單元、所述第3存儲單元以及所述第4存儲單元的柵極；以及

控制器，構成為從所述存儲單元頁面讀取數(shù)據(jù)且對所述半導體存儲裝置發(fā)出第1寫入命令或第2寫入命令；其中

所述半導體存儲裝置響應于所述發(fā)出的第1寫入命令，對所述存儲單元頁面執(zhí)行第1編程操作且使用第1驗證電壓對所述頁面的所述存儲單元執(zhí)行第1驗證操作；且

所述半導體存儲裝置響應于所述發(fā)出的第2寫入命令，當所述發(fā)出的第2寫入命令對應于所述存儲單元的第1子集時，對所述頁面的所述存儲單元的所述第1子集執(zhí)行第2編程操作，所述存儲單元的所述第1子集包含所述第1存儲單元和所述第2存儲單元，并使用第2驗證電壓對所述存儲單元的所述第1子集執(zhí)行第2驗證操作，且當所述發(fā)出的第2寫入命令對應于所述存儲單元的第2子集時，對所述頁面的所述存儲單元的所述第2子集執(zhí)行所述第2編程操作，所述存儲單元的所述第2子集包含所述第3存儲單元和所述第4存儲單元，并使用第3驗證電壓對所述存儲單元的所述第2子集執(zhí)行第3驗證操作。

2.根據(jù)權利要求1所述的存儲器系統(tǒng)，其特征在于：

所述存儲器系統(tǒng)可連接到主機設備，且

所述控制器構成為響應于從所述主機設備接收到的寫入命令而對所述半導體存儲裝置發(fā)出所述第1寫入命令或所述第2寫入命令。

3.根據(jù)權利要求2所述的存儲器系統(tǒng)，其特征在于：

所述控制器構成為響應于從所述主機設備接收到的讀取命令而從所述存儲單元頁面讀取數(shù)據(jù)。

4.根據(jù)權利要求1所述的存儲器系統(tǒng)，其特征在于：

所述第3驗證電壓與所述第2驗證電壓不同。

5.根據(jù)權利要求4所述的存儲器系統(tǒng)，其特征在于：

在對所述存儲單元的所述第1子集的所述第2編程操作已經(jīng)執(zhí)行且所述第1子集的所述存儲單元已通過驗證后，所述控制器執(zhí)行對所述存儲單元的所述第2子集的所述第2編程操作。

6.根據(jù)權利要求5所述的存儲器系統(tǒng)，其特征在于：

所述第3驗證電壓大于所述第2驗證電壓。

7.根據(jù)權利要求5所述的存儲器系統(tǒng)，其特征在于：

所述半導體存儲裝置通過在多個循環(huán)中將電平增加的編程電壓施加到所述字線來執(zhí)行對所述存儲單元的所述第1子集的所述第2編程操作，

所述半導體存儲裝置通過在多個循環(huán)中將電平增加的編程電壓施加到所述字線來執(zhí)行對所述存儲單元的所述第2子集的所述第2編程操作，且

在對所述第1子集的所述存儲單元執(zhí)行所述第2編程操作時用于每一后續(xù)循環(huán)的所述編程電壓的增加量大于在對所述第2子集的所述存儲單元執(zhí)行所述第2編程操作時用于每一后續(xù)循環(huán)的所述編程電壓的增加量。

8.根據(jù)權利要求7所述的存儲器系統(tǒng)，其特征在于：

在對所述第1子集的所述存儲單元執(zhí)行所述第2編程操作時用于每一后續(xù)循環(huán)的所述編程電壓的增加的電平小于在對所述第2子集的所述存儲單元執(zhí)行所述第2編程操作時用于每一后續(xù)循環(huán)的所述編程電壓的增加的電平。

9.根據(jù)權利要求5所述的存儲器系統(tǒng)，其特征在于：

所述半導體存儲裝置響應于所述發(fā)出的第2寫入命令，使用所述第2驗證電壓對所述第1子集中的所述存儲單元執(zhí)行預驗證操作。

10.根據(jù)權利要求9所述的存儲器系統(tǒng)，其特征在于：

在所述預驗證操作期間，對所述字線施加第1讀取電壓，接著施加大于所述第1讀取電壓的第2讀取電壓。