[發(fā)明專利]滅弧室以及斷路器

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010026685.2
• 申請日: 2020-01-10
• 公開（公告）號: CN111128627A
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 史勝余;陳百勝;程榮利;李海茭
• 申請（專利權(quán)）人: 德力西電氣有限公司
• 主分類號: H01H73/18
• 分類號: H01H73/18;H01H71/02
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250
• 代理人: 李敏

本發(fā)明提供了一種滅弧室以及斷路器，包括底座和設(shè)于底座上的中座以及蓋合于底座和中座上的蓋體，滅弧片垂直于底座設(shè)置，且相鄰的滅弧片之間具有滅弧間隙，中座在遠(yuǎn)離磁支架的一端設(shè)有用于封堵滅弧間隙的擋弧筋組，上層擋弧筋和下層擋弧筋分別遮擋相鄰的兩個滅弧間隙的上部和下部。電弧可以經(jīng)過滅弧間隙形成滅弧通道，且滅弧片的尾端并未完全封堵，其通過相互交錯的上層擋弧筋和下層擋弧筋分別對滅弧片的尾端進(jìn)行封堵，即滅弧間隙的僅上部分封堵或下部分封堵，能夠?qū)缁饬饕龑?dǎo)形成連通的通氣通道，從而加快氣體的流動，使得電弧容易從磁支架上移動至滅弧室內(nèi)并朝向滅弧室的尾部移動，減小電弧的熄滅時間。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及斷路器結(jié)構(gòu)的技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種滅弧室以及斷路器。

背景技術(shù)

對于現(xiàn)有技術(shù)中的斷路器，其一般都需要設(shè)置滅弧室進(jìn)行滅弧，其中，滅弧室一般采用傳統(tǒng)的金屬柵片滅弧室，滅弧室上部的滅弧片及周邊采用三聚氫胺層壓板。電弧產(chǎn)生時，三聚氫胺層壓板受熱釋放出一種氣體，該氣體由助于熄滅電弧。滅弧室上部的滅弧片層壓板沖出若干個大小均等的孔，通過該孔釋放氣流和熱量，從而達(dá)到滅弧的目的。

但是，現(xiàn)有的滅弧室中的滅弧通道一般位于滅弧室的尾部，此時無論滅弧室外部的緩沖區(qū)空間的大小，其一般都是僅通過外殼上凸起的筋條和滅弧室外緣的夾板進(jìn)行遮擋，且外殼上凸起的筋條以及滅弧室外緣的夾板和滅弧片之間的距離不等，導(dǎo)致緩沖區(qū)的空間分布不均勻，且部分區(qū)域的緩沖區(qū)存在氣流通道不順暢的問題，若將滅弧室的尾部完全進(jìn)行遮擋，會導(dǎo)致電弧不易進(jìn)入滅弧室，滅弧室的利用效率較低，進(jìn)入滅弧室的電弧還可以出現(xiàn)背后擊穿的現(xiàn)象，從而降低斷路器的開斷性能。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種滅弧室，以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是：提供一種滅弧室，包括底座和設(shè)于所述底座上的中座以及蓋合于所述底座和所述中座上的蓋體，所述中座內(nèi)開設(shè)有用于容納若干滅弧片的容納腔，所述滅弧片垂直于所述底座設(shè)置，且相鄰的所述滅弧片之間具有滅弧間隙，磁支架可延伸至所述滅弧片上，所述中座在遠(yuǎn)離所述磁支架的一端設(shè)有用于封堵所述滅弧間隙的擋弧筋組，所述擋弧筋組包括相互交錯設(shè)置的上層擋弧筋和下層擋弧筋，所述上層擋弧筋和所述下層擋弧筋分別遮擋相鄰的兩個所述滅弧間隙的上部和下部。

進(jìn)一步地，所述中座上橫設(shè)有隔板，所述隔板平行于所述底座設(shè)置，且所述隔板的外緣朝向所述蓋體凸設(shè)有上緩沖壁，所述隔板、所述蓋體以及所述上緩沖壁之間圍合形成有上緩沖區(qū)，所述滅弧間隙的上部可與所述上緩沖區(qū)相連通；

所述隔板的外緣朝向所述底座的一側(cè)凸設(shè)有下緩沖壁，所述隔板、所述底座和所述下緩沖壁之間形成有下緩沖區(qū)，所述滅弧間隙的下部可與所述下緩沖區(qū)相連通；

靠近所述磁支架的一側(cè)的所述下層擋弧筋具有缺口，且靠近所述磁支架的一側(cè)的所述滅弧間隙的下部未封堵。

進(jìn)一步地，所述上緩沖區(qū)在遠(yuǎn)離所述磁支架的一側(cè)開設(shè)有第一出氣口，所述下緩沖區(qū)在遠(yuǎn)離所述磁支架的一側(cè)開設(shè)有第二出氣口。

進(jìn)一步地，所述上層擋弧筋凸設(shè)于所述隔板遠(yuǎn)離所述底座的一側(cè)，所述上層擋弧筋包括若干間隔設(shè)置的上層擋塊，每一所述上層擋塊均對應(yīng)一所述滅弧間隙的上方；所述下層擋弧筋凸設(shè)于所述隔板靠近所述底座的一側(cè)，所述下層擋弧筋包括若干間隔設(shè)置的下層擋塊，每一所述下層擋塊均對應(yīng)一所述滅弧間隙的下方；所述上層擋塊和所述下層擋塊交錯設(shè)置。

進(jìn)一步地，位于遠(yuǎn)離所述磁支架的一端的所述上層擋塊的一側(cè)設(shè)有拐角板，所述拐角板封堵最遠(yuǎn)離所述磁支架的一端的所述滅弧間隙。

進(jìn)一步地，位于最靠近所述磁支架的一側(cè)的所述滅弧片和所述中座的邊緣之間具有出氣通道，所述中座上開設(shè)有連接所述出氣通道和所述上緩沖區(qū)的第三出氣口以及連接所述出氣通道和所述下緩沖區(qū)的第四出氣口。

進(jìn)一步地，所述第三出氣口的橫截面面積大于所述第四出氣口的橫截面面積。