[發(fā)明專利]滅弧室以及斷路器在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010026685.2 | 申請(qǐng)日: | 2020-01-10 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111128627A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-05-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 史勝余;陳百勝;程榮利;李海茭 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 德力西電氣有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01H73/18 | 分類號(hào): | H01H73/18;H01H71/02 |
| 代理公司: | 北京三聚陽(yáng)光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250 | 代理人: | 李敏 |
| 地址: | 325604 浙江省溫*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 滅弧室 以及 斷路器 | ||
1.滅弧室,包括底座(1)和設(shè)于所述底座(1)上的中座(2)以及蓋合于所述底座(1)和所述中座(2)上的蓋體(3),所述中座(2)內(nèi)開(kāi)設(shè)有用于容納若干滅弧片(4)的容納腔(21),所述滅弧片(4)垂直于所述底座(1)設(shè)置,且相鄰的所述滅弧片(4)之間具有滅弧間隙(41),磁支架(5)可延伸至所述滅弧片(4)上,其特征在于:所述中座(2)在遠(yuǎn)離所述磁支架(5)的一端設(shè)有用于封堵所述滅弧間隙(41)的擋弧筋組(22),所述擋弧筋組(22)包括相互交錯(cuò)設(shè)置的上層擋弧筋(221)和下層擋弧筋(222),所述上層擋弧筋(221)和所述下層擋弧筋(222)分別遮擋相鄰的兩個(gè)所述滅弧間隙(41)的上部和下部。
2.如權(quán)利要求1所述的滅弧室,其特征在于:所述中座(2)上橫設(shè)有隔板(23),所述隔板(23)平行于所述底座(1)設(shè)置,且所述隔板(23)的外緣朝向所述蓋體(3)凸設(shè)有上緩沖壁(231),所述隔板(23)、所述蓋體(3)以及所述上緩沖壁(231)之間圍合形成有上緩沖區(qū)(24),所述滅弧間隙(41)的上部可與所述上緩沖區(qū)(24)相連通;
所述隔板(23)的外緣朝向所述底座(1)的一側(cè)凸設(shè)有下緩沖壁(232),所述隔板(23)、所述底座(1)和所述下緩沖壁(232)之間形成有下緩沖區(qū)(25),所述滅弧間隙(41)的下部可與所述下緩沖區(qū)(25)相連通;
靠近所述磁支架(5)的一側(cè)的所述下層擋弧筋(222)具有缺口,且靠近所述磁支架(5)的一側(cè)的所述滅弧間隙(41)的下部未封堵。
3.如權(quán)利要求2所述的滅弧室,其特征在于:所述上緩沖區(qū)(24)在遠(yuǎn)離所述磁支架(5)的一側(cè)開(kāi)設(shè)有第一出氣口(233),所述下緩沖區(qū)(25)在遠(yuǎn)離所述磁支架(5)的一側(cè)開(kāi)設(shè)有第二出氣口(234)。
4.如權(quán)利要求2所述的滅弧室,其特征在于:所述上層擋弧筋(221)凸設(shè)于所述隔板(23)遠(yuǎn)離所述底座(1)的一側(cè),所述上層擋弧筋(221)包括若干間隔設(shè)置的上層擋塊,每一所述上層擋塊均對(duì)應(yīng)一所述滅弧間隙(41)的上方;所述下層擋弧筋(222)凸設(shè)于所述隔板(23)靠近所述底座(1)的一側(cè),所述下層擋弧筋(222)包括若干間隔設(shè)置的下層擋塊,每一所述下層擋塊均對(duì)應(yīng)一所述滅弧間隙(41)的下方;所述上層擋塊和所述下層擋塊交錯(cuò)設(shè)置。
5.如權(quán)利要求4所述的滅弧室,其特征在于:位于遠(yuǎn)離所述磁支架(5)的一端的所述上層擋塊的一側(cè)設(shè)有拐角板(31),所述拐角板(31)封堵最遠(yuǎn)離所述磁支架(5)的一端的所述滅弧間隙(41)。
6.如權(quán)利要求3所述的滅弧室,其特征在于:位于最靠近所述磁支架(5)的一側(cè)的所述滅弧片(4)和所述中座(2)的邊緣之間具有出氣通道(26),所述中座(2)上開(kāi)設(shè)有連接所述出氣通道(26)和所述上緩沖區(qū)(24)的第三出氣口(27)以及連接所述出氣通道(26)和所述下緩沖區(qū)(25)的第四出氣口(28)。
7.如權(quán)利要求6所述的滅弧室,其特征在于:所述第三出氣口(27)的橫截面面積大于所述第四出氣口(28)的橫截面面積。
8.如權(quán)利要求6所述的滅弧室,其特征在于:所述上緩沖壁(231)在朝向所述出氣通道(26)的一側(cè)延伸有圍合于所述出氣通道(26)外緣的延伸壁(235)。
9.如權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的滅弧室,其特征在于:所述中座(2)在用于固定所述磁支架(5)的固定柱的一側(cè)還開(kāi)設(shè)有第五出氣口(29)。
10.斷路器,其特征在于:包括磁支架(5)和如權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的滅弧室,所述磁支架(5)可延伸至所述滅弧室上,且所述磁支架(5)上設(shè)有靜觸頭(51)。
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