[發(fā)明專利]安裝裝置及半導(dǎo)體器件的制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010026273.9 | 申請日: | 2020-01-10 |
| 公開(公告)號: | CN111564375A | 公開(公告)日: | 2020-08-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 酒井一信;石川雄大 | 申請(專利權(quán))人: | 捷進科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/52 | 分類號: | H01L21/52;H01L21/67;G03B15/05;H04N5/232;H04N5/235 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人: | 陳偉;劉偉志 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 安裝 裝置 半導(dǎo)體器件 制造 方法 | ||
本發(fā)明提供一種能夠在頻閃曝光識別拍攝中減少振動影響的安裝裝置及半導(dǎo)體器件的制造方法。安裝裝置具備:攝像裝置,其相對于拍攝對象物相對地移動,對上述拍攝對象物進行拍攝;和照明裝置,其向上述拍攝對象物照射光。上述照明裝置構(gòu)成為在上述攝像裝置的曝光時間內(nèi)以振動周期的1/2以下的周期多次進行頻閃發(fā)光。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及安裝裝置,例如能夠適用于使用頻閃照明的安裝裝置。
背景技術(shù)
在電子零件安裝裝置中,為了進行高精度的電子零件安裝,而在將電子零件吸附保持于吸嘴并向安裝部移動的期間,通過具有CCD(Charge Coupled Device,電荷耦合元件)、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor,互補金屬氧化物半導(dǎo)體)等攝像元件的數(shù)碼相機對該電子零件進行拍攝,并將取入的其圖像信息轉(zhuǎn)換成電信號,進行圖像處理而得到測定值。并且,基于該測定值,在電子零件移動過程中,修正安裝位置而將該電子零件安裝于印刷基板。為了得到誤差少的高精度的圖像,基于該相機對電子零件的拍攝需要使用具有規(guī)定以上光量的照明裝置,通常使用基于頻閃燈的閃光或基于鹵素?zé)舻倪B續(xù)點亮等手段(例如專利文獻1)。
在使用了頻閃照明的識別相機的曝光(頻閃曝光)中,通過使曝光時間為短時間,如數(shù)十μs左右,而也能夠拍攝高速的動作,從而能夠進行識別處理。
現(xiàn)有技術(shù)文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2000-124683號公報
發(fā)明內(nèi)容
在多個軸同時動作那樣的裝置中,在識別拍攝中其他的軸動作的情況下,受動作振動產(chǎn)生的影響,在靜止位置和振動時,拍攝到的圖像存在位置偏移的情況。在頻閃曝光中由于是高速處理,所以為在短時間內(nèi)將高光量的發(fā)光作為著重點的電路結(jié)構(gòu),頻閃燈的點亮?xí)r間的延長具有最長發(fā)光時間的制約,難以超過裝置的固有振動(例如數(shù)十Hz、數(shù)十ms等)的一個周期而使其發(fā)光并進行拍攝。
本發(fā)明的課題在于提供能夠在頻閃曝光識別拍攝中減少振動影響的安裝裝置。
其他課題和新特征將根據(jù)本說明書的記述及附圖而得以明確。
若簡單地說明本發(fā)明中的具有代表性的方案的概要則如下。
即,安裝裝置具備:攝像裝置,其相對于拍攝對象物相對地移動,對上述拍攝對象物進行拍攝;和照明裝置,其向上述拍攝對象物照射光。上述照明裝置構(gòu)成為在上述攝像裝置的曝光時間內(nèi)以振動周期的1/2以下的周期多次進行頻閃發(fā)光。
發(fā)明效果
根據(jù)上述安裝裝置,能夠在頻閃曝光中減少振動影響。
附圖說明
圖1是表示第一實施方式的攝像系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的圖。
圖2是表示在圖1的攝像系統(tǒng)的軸動作停止后以短時間進行拍攝的情況下的動作定時的圖。
圖3是表示圖1的攝像系統(tǒng)的發(fā)光定時的圖。
圖4是表示從圖1的攝像系統(tǒng)的軸動作停止到識別開始為止設(shè)置等待識別時間而進行拍攝的情況下的動作定時的圖。
圖5是表示在圖1的攝像系統(tǒng)的軸動作停止后多次進行拍攝的情況下的動作定時的圖。
圖6是表示第二實施方式的攝像系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的圖。
圖7是表示圖6的攝像系統(tǒng)的動作定時的圖。
圖8是表示圖6的攝像系統(tǒng)的發(fā)光定時的圖。
圖9是表示第一變形例的攝像系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的圖。
圖10是表示實施例的倒裝貼片機的概要的俯視圖。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





