[發明專利]硅層刻蝕劑組合物、制備其的方法及形成圖案的方法

有效

• 申請號: 202010025962.8
• 申請日: 2020-01-07
• 公開（公告）號: CN111410963B
• 公開（公告）日: 2023-07-21
• 發明（設計）人: 全唱守;吳政玟;李曉山;韓勛;魯珍圭;尹嚆重;申東雲
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社;東友精細化工有限公司
• 主分類號: C09K13/00
• 分類號: C09K13/00;H01L21/306
• 代理公司: 北京匯知杰知識產權代理有限公司 11587
• 代理人: 楊巍;潘璐

一種硅層刻蝕劑組合物、制備其的方法及形成圖案的方法，所述組合物包含約1重量％到約20重量％的烷基氫氧化銨；約1重量％到約30重量％的胺化合物；約0.01重量％到約0.2重量％的包括疏水基團及親水基團兩者的非離子表面活性劑；以及水，所有重量％都是基于所述硅層刻蝕劑組合物的總重量。

相關申請的交叉參考

2019年1月8號在韓國知識產權局提出申請且標題為：“硅層刻蝕劑組合物及使用其形成圖案的方法”的韓國專利申請第10-2019-0002488號全文并入本文供參考。

技術領域

各實施例涉及一種硅層刻蝕劑組合物及使用所述硅層刻蝕劑組合物形成圖案的方法。

背景技術

在例如動態隨機存取存儲器(dynamic?random-access?memory，DRAM)、與非門(NAND)閃存裝置等半導體裝置中，盡管臨界尺寸(critical?dimension，CD)最近急劇減小，但實現大容量的開發仍在繼續。

在此種半導體裝置中，例如可使用基于硅(例如，多晶硅)的層或圖案作為柵電極、電容器電極、導電觸點、布線(wiring?line)等的材料。

發明內容

實施例可通過提供一種硅層刻蝕劑組合物來實現，所述硅層刻蝕劑組合物包含：約1重量％到約20重量％的烷基氫氧化銨；約1重量％到約30重量％的胺化合物；約0.01重量％到約0.2重量％的包括疏水基團及親水基團兩者的非離子表面活性劑；以及水，所有重量％都是基于所述硅層刻蝕劑組合物的總重量。

實施例可通過提供一種形成圖案的方法來實現，所述方法包括：通過刻蝕基底上的硅層形成虛設柵極；形成絕緣層以部分包圍所述虛設柵極；通過使用根據實施例的硅層刻蝕劑組合物移除所述虛設柵極；以及在通過移除所述虛設柵極而獲得的開口中形成柵極結構。

實施例可通過提供一種制備根據實施例的硅層刻蝕劑組合物的方法來實現，所述方法包括：通過將胺化合物與包括疏水基團及親水基團兩者的非離子表面活性劑混合來制備添加劑混合物；以及將所述添加劑混合物與烷基氫氧化銨的水溶液混合。

實施例可通過提供一種形成圖案的方法來實現，所述方法包括：通過刻蝕基底上的硅層形成虛設柵極；形成絕緣層以部分包圍所述虛設柵極；通過使用包含烷基氫氧化銨、胺化合物、包括疏水基團及親水基團兩者的非離子表面活性劑以及水的刻蝕劑組合物來移除所述虛設柵極；以及在通過移除所述虛設柵極而獲得的開口中形成柵極結構。

實施例可通過提供一種用于硅層刻蝕劑的添加劑混合物來實現，所述添加劑混合物包含：胺化合物；以及包括疏水基團及親水基團兩者的非離子表面活性劑。

實施例可通過提供一種制備硅層刻蝕劑組合物的方法來實現，所述方法包括：通過將胺化合物與包括疏水基團及親水基團兩者的非離子表面活性劑混合來制備根據實施例的添加劑混合物；以及將所述添加劑混合物與烷基氫氧化銨水溶液混合。

實施例可通過提供一種制備硅層刻蝕劑組合物的方法來實現，所述方法包括：通過將胺化合物與包括疏水基團及親水基團兩者的非離子表面活性劑混合來制備添加劑混合物；以及將所述添加劑混合物與烷基氫氧化銨水溶液混合。

附圖說明

通過參照附圖詳細闡述示例性實施例，各特征對于所屬領域中的技術人員將為顯而易見的，在附圖中：

圖1到圖5示出根據示例性實施例在形成圖案的方法中各階段的示意性剖視圖。

具體實施方式

在實施方式中，刻蝕劑組合物可包含例如烷基氫氧化銨、胺化合物及非離子表面活性劑。

在本文中所用的術語“硅層”可指包含多晶硅或非晶硅的層。

在下文中，將詳細闡述實施例。

硅層刻蝕劑組合物