[發明專利]硅層刻蝕劑組合物、制備其的方法及形成圖案的方法

有效

• 申請號: 202010025962.8
• 申請日: 2020-01-07
• 公開（公告）號: CN111410963B
• 公開（公告）日: 2023-07-21
• 發明（設計）人: 全唱守;吳政玟;李曉山;韓勛;魯珍圭;尹嚆重;申東雲
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社;東友精細化工有限公司
• 主分類號: C09K13/00
• 分類號: C09K13/00;H01L21/306
• 代理公司: 北京匯知杰知識產權代理有限公司 11587
• 代理人: 楊巍;潘璐

1.一種硅層刻蝕劑組合物，包含：

1重量％到20重量％的烷基氫氧化銨，所述烷基氫氧化銨包括四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨、四丙基氫氧化銨或四丁基氫氧化銨；

1重量％到30重量％的胺化合物，所述胺化合物包括1-氨基-2-丙醇、2-氨基-1-丁醇或N-甲基乙醇胺；

0.01重量％到0.2重量％的包括疏水基團及親水基團兩者的非離子表面活性劑，其中所述非離子表面活性劑包括聚氧乙烯苯基醚或聚氧乙烯β-萘基醚；以及

水，

所有重量％都是基于所述硅層刻蝕劑組合物的總重量。

2.根據權利要求1所述的硅層刻蝕劑組合物，其中所述硅層刻蝕劑組合物具有11到14的酸堿度。

3.一種制備根據權利要求1所述的硅層刻蝕劑組合物的方法，所述方法包括：

通過將所述胺化合物與包括疏水基團及親水基團兩者的所述非離子表面活性劑混合來制備添加劑混合物；以及

將所述添加劑混合物與所述烷基氫氧化銨的水溶液混合。

4.一種形成圖案的方法，所述方法包括：

通過刻蝕基底上的硅層形成虛設柵極；

形成絕緣層以部分包圍所述虛設柵極；

通過使用根據權利要求1所述的刻蝕劑組合物來移除所述虛設柵極；以及

在通過移除所述虛設柵極而獲得的開口中形成柵極結構。

5.根據權利要求4所述的方法，其中形成所述柵極結構包括形成阻擋圖案及金屬柵極使得所述阻擋圖案包含金屬氮化物，所述阻擋圖案及所述金屬柵極以此所陳述的次序依序堆疊在所述開口中。

6.一種用于硅層刻蝕劑的添加劑混合物，所述添加劑混合物由胺化合物以及包括疏水基團及親水基團兩者的非離子表面活性劑所組成，其中所述胺化合物包括1-氨基-2-丙醇、2-氨基-1-丁醇或N-甲基乙醇胺，所述非離子表面活性劑包括聚氧乙烯苯基醚或聚氧乙烯β-萘基醚。

7.一種制備硅層刻蝕劑組合物的方法，所述方法包括：

通過將所述胺化合物與包括所述疏水基團及所述親水基團兩者的所述非離子表面活性劑混合來制備根據權利要求6所述的添加劑混合物；以及

將所述添加劑混合物與烷基氫氧化銨水溶液混合，其中所述烷基氫氧化銨包括四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨、四丙基氫氧化銨或四丁基氫氧化銨。