[發(fā)明專利]制造半導(dǎo)體芯片的連接結(jié)構(gòu)和制造半導(dǎo)體封裝件的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010025247.4
• 申請(qǐng)日: 2020-01-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111613538A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-09-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 崔圭桭;金成煥;朱昶垠;權(quán)柒佑;林榮奎;李晟旭
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/48
• 分類號(hào): H01L21/48
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強(qiáng);張紅

提供了一種制造半導(dǎo)體芯片的連接結(jié)構(gòu)的方法和一種制造半導(dǎo)體封裝件的方法。所述制造半導(dǎo)體芯片的連接結(jié)構(gòu)的方法包括：準(zhǔn)備半導(dǎo)體芯片，半導(dǎo)體芯片具有其上設(shè)置有連接墊的第一表面和與第一表面相對(duì)的第二表面，并且半導(dǎo)體芯片包括設(shè)置在第一表面上并覆蓋連接墊的鈍化層；在半導(dǎo)體芯片的第一表面上形成絕緣層，絕緣層覆蓋鈍化層的至少一部分；形成穿透絕緣層的通路孔以暴露鈍化層的至少一部分；通過(guò)去除被通路孔暴露的鈍化層來(lái)暴露連接墊的至少一部分；通過(guò)用導(dǎo)電材料填充通路孔來(lái)形成重新分布過(guò)孔；以及在重新分布過(guò)孔和絕緣層上形成重新分布層。

本申請(qǐng)要求于2019年2月25日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2019-0022013號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)的權(quán)益，該韓國(guó)專利申請(qǐng)的公開(kāi)內(nèi)容通過(guò)引用其全部包含于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)涉及一種制造半導(dǎo)體芯片的連接結(jié)構(gòu)的方法和一種制造半導(dǎo)體封裝件的方法，更具體地，涉及能夠防止半導(dǎo)體芯片的連接墊(pad，或稱為“焊盤(pán)”)的腐蝕的制造半導(dǎo)體芯片的連接結(jié)構(gòu)的方法和制造半導(dǎo)體封裝件的方法。

背景技術(shù)

連接結(jié)構(gòu)是用于將半導(dǎo)體芯片的連接墊電連接到印刷電路板(PCB)(諸如電子裝置的主板)的結(jié)構(gòu)。

近來(lái)，與半導(dǎo)體芯片相關(guān)的技術(shù)開(kāi)發(fā)的主要趨勢(shì)是減小半導(dǎo)體芯片的尺寸，并且隨著對(duì)小尺寸的半導(dǎo)體芯片等的需求的快速增加，需要實(shí)現(xiàn)具有緊湊的尺寸同時(shí)包括多個(gè)引腳的半導(dǎo)體芯片。近來(lái)，根據(jù)這樣的技術(shù)需求，已經(jīng)通過(guò)光刻工藝精細(xì)地形成控制半導(dǎo)體芯片的重新分布功能的連接結(jié)構(gòu)的內(nèi)部重新分布層的圖案和過(guò)孔。

另一方面，光刻工藝是將光照射到其上繪制有電路圖案的光罩或光掩模以曝光感光絕緣層并通過(guò)顯影劑去除感光絕緣層的部分以實(shí)現(xiàn)期望的圖案的工藝，并且當(dāng)重新分布層通過(guò)光刻工藝形成在半導(dǎo)體芯片的連接墊上時(shí)，存在顯影劑、清洗劑等與鋁(Al)的連接墊接觸而導(dǎo)致對(duì)連接墊的腐蝕或損壞的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

本公開(kāi)的方面在于提供如下的制造半導(dǎo)體芯片的連接結(jié)構(gòu)的方法和制造半導(dǎo)體封裝件的方法：能夠在形成半導(dǎo)體芯片的連接結(jié)構(gòu)的工藝和半導(dǎo)體封裝工藝中通過(guò)防止對(duì)連接墊的腐蝕和損壞來(lái)提高工藝效率并降低產(chǎn)品缺陷率。

根據(jù)本公開(kāi)的方面，可以提供一種制造半導(dǎo)體芯片的連接結(jié)構(gòu)的方法，其中，在形成重新分布過(guò)孔或連接結(jié)構(gòu)的工藝中阻擋用于形成通路孔的化學(xué)試劑與連接墊之間的接觸。

根據(jù)本公開(kāi)的方面，一種制造半導(dǎo)體芯片的連接結(jié)構(gòu)的方法可以包括：準(zhǔn)備半導(dǎo)體芯片，半導(dǎo)體芯片包括第一表面、鈍化層和與第一表面相對(duì)的第二表面，在第一表面上設(shè)置有連接墊并且鈍化層覆蓋連接墊和其上未設(shè)置連接墊的第一表面；在半導(dǎo)體芯片的第一表面上形成絕緣層，絕緣層覆蓋鈍化層的至少一部分；形成穿透絕緣層的通路孔以暴露鈍化層的至少一部分；通過(guò)去除被通路孔暴露的鈍化層來(lái)暴露連接墊的至少一部分；通過(guò)用導(dǎo)電材料填充通路孔來(lái)形成重新分布過(guò)孔；以及在重新分布過(guò)孔和絕緣層上形成重新分布層。

根據(jù)本公開(kāi)的另一方面，一種制造半導(dǎo)體封裝件的方法可以包括：準(zhǔn)備半導(dǎo)體芯片，半導(dǎo)體芯片具有其上設(shè)置有連接墊的第一表面和與第一表面相對(duì)的第二表面，并且半導(dǎo)體芯片包括設(shè)置在第一表面上并覆蓋連接墊的鈍化層；在半導(dǎo)體芯片的第二表面上形成包封劑，包封劑覆蓋半導(dǎo)體芯片的至少一部分；在半導(dǎo)體芯片的第一表面上形成絕緣層，絕緣層覆蓋鈍化層的至少一部分；形成穿透絕緣層的通路孔以暴露鈍化層的至少一部分；通過(guò)去除被通路孔暴露的鈍化層來(lái)暴露連接墊的至少一部分；通過(guò)用導(dǎo)電材料填充通路孔來(lái)形成重新分布過(guò)孔；以及在重新分布過(guò)孔和絕緣層上形成重新分布層。

附圖說(shuō)明

通過(guò)以下結(jié)合附圖進(jìn)行的詳細(xì)描述，本公開(kāi)的以上或其他方面、特征和優(yōu)點(diǎn)將被更清楚地理解，在附圖中：

圖1是示出可在其中使用半導(dǎo)體芯片的電子裝置系統(tǒng)的示例的示意性框圖；

圖2是示出嵌入在電子裝置中的半導(dǎo)體封裝件的示例的示意性透視圖；