[發(fā)明專利]半導體裝置的形成方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010024867.6 | 申請日： | 2020-01-10 |
| 公開（公告）號： | CN111834298A | 公開（公告）日： | 2020-10-27 |
| 發(fā)明（設計）人： | 吳旭升;劉昌淼;尚慧玲 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8234 | 分類號： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 謝強;黃艷 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 形成 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體裝置的形成方法，包括：
形成一虛置柵極堆疊于一半導體基板之上，其中該虛置柵極堆疊具有一虛置柵極電極及一虛置柵極介電層；
形成間隔物元件于該虛置柵極堆疊的側壁之上；
部分移除該虛置柵極電極以形成一凹槽；
部分移除該間隔物元件以擴大該凹槽；
移除該虛置柵極電極的一余留部分以露出該虛置柵極介電層；
在移除該虛置柵極電極的該余留部分之后摻雜該些間隔物元件；
移除該虛置柵極介電層；以及
形成一金屬柵極堆疊于該凹槽之中。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
