[發明專利]一種MWT太陽能電池改善穩態的PSG調整和測試方法

有效

• 申請號: 202010024420.9
• 申請日: 2020-01-09
• 公開（公告）號: CN111245366B
• 公開（公告）日: 2021-05-18
• 發明（設計）人: 段帥華;邢飛;史修江;夏中雪
• 申請（專利權）人: 徐州谷陽新能源科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 南京樂羽知行專利代理事務所(普通合伙) 32326
• 代理人: 李培

本發明公開一種MWT太陽能電池改善穩態的PSG調整和測試方法，包括測試方法和調整方法兩個方面，第一步，取刻蝕即背面堿拋后的硅片，順著打孔的位置將孔1/2位置平均分成2塊；第二步，將孔位置放在3D顯微鏡下，用5倍物鏡，燈光亮度26%?30%找到打孔側面位置；第三步，將打孔位置移至光標中心；第四步，調整物鏡50倍，燈光亮度12%?16%，測試模式Zeta 3D模式測試孔內3D圖片；第五步，選擇直線，拉取孔內過刻長度及硅片厚度；第六步，計算孔內過刻比，孔內過刻比=過刻長度/硅片厚度，控制孔內過刻比為硅片橫截面積的0?50%。

技術領域

本發明涉及一種MWT太陽能電池改善穩態的PSG調整和測試方法，屬于MWT太陽能電池組件加工技術領域。

背景技術

金屬穿孔卷繞硅太陽能電池(MWT)因其效率高，遮光面積小以及更好的外觀特點以及易于現有傳統晶硅工藝整合受到越來越多的關注。MWT硅太陽能電池是通過激光鉆孔將正面收集的能量穿過電池轉移至電池背面，以減少遮光面積來達到提高轉換效率的目的。

刻蝕清洗工藝至關重要，而且MWT電池制備過程中孔內PN結的留存非常重要，PN結的留存可以降低堵孔漿料的技術要求及開發難度，降低孔內漏電風險，避免組件端出現熱斑風險。背面的清洗效果和孔內的PN留存，這是一個亟需解決的問題。

目前，印刷后穩態不穩定，影響組件端的可靠性，沒有有效的解決和監控方法。

發明內容

發明目的：針對現有技術中存在的問題與不足，本發明提供一種可靠性強的可提前監控孔內過刻異常并有效減低穩態超標的MWT太陽能電池改善穩態的PSG調整和測試方法。

技術方案：一種MWT太陽能電池改善穩態的PSG調整和測試方法，其特征在于：包括測試步驟和調整步驟，所述測試步驟包括：

第一步，取刻蝕即背面堿拋后的硅片，順著打孔的位置將孔1/2位置平均分成2塊；

第二步，將孔位置放在3D顯微鏡下，用5倍物鏡，燈光亮度26％-30％找到打孔側面位置；

第三步，將打孔位置移至光標中心；

第四步，調整物鏡50倍，燈光亮度12％-16％，測試模式Zeta 3D模式測試孔內3D圖片；

第五步，選擇直線，拉取孔內過刻長度及硅片厚度；

第六步，計算孔內過刻比，孔內過刻比＝過刻長度/硅片厚度，控制孔內過刻比為硅片橫截面積的0-50％。

所述調整步驟即測試孔內過刻比偏大或漏刻調整方法包括：

第一步，確認去PSG藥液濃度，電導率控制在20-60ms/cm；

第二步，去PSG的HF藥液濃度控制在5％-30％，過刻比大則減少HF補加，漏刻則反之；

第三步，調整正面水膜覆蓋量，過刻增大水膜量，漏刻則反之；

第四步：槽體液位高度通過泵的功率來控制或調整槽體擋板高度來控制，泵功率控制在20％-60％。

有益效果：與現有技術相比，本發明所提供的鏈式去psg和槽式堿拋光工藝，主要是通過監控鏈式去PSG和槽式堿拋光后的孔內過刻比，做到孔內過刻比偏大和漏刻能夠及時調整，孔內過刻比偏大漏電值會大，對穩態影響很大，本發明主要是能做到提前預防和改善穩態，避免因穩態異常導致制程批量不良，改善組件端出現熱斑和可靠性問題。

附圖說明

圖1為Zeta 3D測試孔內過刻圖。

圖2為模擬孔內過刻圖。

具體實施方式

下面結合附圖和具體實施例，進一步闡明本發明。