[發明專利]一種MWT太陽能電池改善穩態的PSG調整和測試方法有效
| 申請號: | 202010024420.9 | 申請日: | 2020-01-09 |
| 公開(公告)號: | CN111245366B | 公開(公告)日: | 2021-05-18 |
| 發明(設計)人: | 段帥華;邢飛;史修江;夏中雪 | 申請(專利權)人: | 徐州谷陽新能源科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 南京樂羽知行專利代理事務所(普通合伙) 32326 | 代理人: | 李培 |
| 地址: | 221300 江蘇省徐州市邳*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 mwt 太陽能電池 改善 穩態 psg 調整 測試 方法 | ||
1.一種MWT太陽能電池改善穩態的PSG調整和測試方法,其特征在于:包括測試步驟和調整步驟,所述測試步驟包括:
第一步,取刻蝕即背面堿拋后的硅片,順著打孔的位置將孔1/2位置平均分成2塊;
第二步,將孔位置放在3D顯微鏡下,用5倍物鏡,燈光亮度26%-30%找到打孔側面位置;
第三步,將打孔位置移至光標中心;
第四步,調整物鏡50倍,燈光亮度12%-16%,測試模式Zeta 3D模式測試孔內3D圖片;
第五步,選擇直線,拉取孔內過刻長度及硅片厚度;
第六步,計算孔內過刻比,孔內過刻比=過刻長度/硅片厚度,控制孔內過刻比為硅片橫截面積的0-50%;
所述調整步驟包括:
第一步,確認去PSG藥液濃度,電導率控制在20-60ms/cm;
第二步,去PSG的HF藥液濃度控制在5%-30%,若過刻比大,則減少HF補加,漏刻則反之;
第三步,調整正面水膜覆蓋量,過刻則增大水膜量,漏刻則反之;
第四步:槽體液位高度通過調節泵的功率或調整槽體擋板高度來控制,泵功率控制在20%-60%。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





