[發(fā)明專利]芯片封裝方法和芯片封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010024302.8
• 申請(qǐng)日: 2020-01-09
• 公開（公告）號(hào): CN111192835B
• 公開（公告）日: 2021-10-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鐘磊;李利
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 甬矽電子(寧波)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/60
• 分類號(hào): H01L21/60;H01L23/488;H01L21/56
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 劉亞飛

本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種芯片封裝方法和芯片封裝結(jié)構(gòu)，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明實(shí)施例提供的芯片封裝方法和芯片封裝結(jié)構(gòu)，通過(guò)在基板上設(shè)置凸臺(tái)和金屬柱，利用膠體將芯片的金屬墊貼裝于基板的凸臺(tái)，一方面利用凸臺(tái)與基板的高度差，在芯片底部形成空腔結(jié)構(gòu)，避免了芯片隱裂的問(wèn)題，同時(shí)又能使金屬柱與芯片線路連通，另一方面通過(guò)膠體與金屬墊的粘合性，對(duì)空腔結(jié)構(gòu)進(jìn)行密封，提高了空腔結(jié)構(gòu)的密閉性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種芯片封裝方法和芯片封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展，聲表面波濾波器(saw filter)廣泛應(yīng)用于接收機(jī)前端以及雙工器和接收濾波器。通常saw filter芯片采用鉭酸鋰(LiTaO₃)或鈮酸鋰(LiNbO₃)材質(zhì)，利用壓電材料的壓電特性，利用輸入與輸出換能器(Transducer)將電波的輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換成機(jī)械能，經(jīng)過(guò)處理后，再把機(jī)械能轉(zhuǎn)換成電的信號(hào)，以達(dá)到過(guò)濾不必要的信號(hào)及雜訊，提升收訊品質(zhì)。

為保證saw filter芯片的功能區(qū)域不能接觸任何物質(zhì)，傳統(tǒng)技術(shù)通常采用倒裝工藝連接，在saw filter芯片背面上壓覆一層薄膜，利用薄膜來(lái)形成芯片底部空腔結(jié)構(gòu)，由于saw filter芯片在壓覆膜時(shí)，芯片背面受到壓力，容易造成芯片隱裂，同時(shí)在塑封時(shí)，壓覆膜受到塑封注塑壓力容易造成壓覆膜裂紋，導(dǎo)致產(chǎn)品的氣密性不好，影響產(chǎn)品性能。

發(fā)明內(nèi)容

基于上述研究，本發(fā)明提供了一種芯片封裝方法和芯片封裝結(jié)構(gòu)，以改善上述問(wèn)題。

本發(fā)明的實(shí)施例可以這樣實(shí)現(xiàn)：

第一方面，實(shí)施例提供一種芯片封裝方法，用于對(duì)具有金屬墊的芯片進(jìn)行封裝，所述方法包括：

提供具有凸臺(tái)與金屬柱的基板；

通過(guò)膠體將所述芯片的金屬墊貼裝于所述基板的凸臺(tái)，對(duì)設(shè)置于所述芯片的金屬墊與所述凸臺(tái)之間的膠體回流固化，使所述金屬柱與所述芯片線路連通，并在所述芯片與所述基板之間形成一空腔密閉結(jié)構(gòu)。

在可選的實(shí)施方式中，通過(guò)膠體將所述芯片的金屬墊貼裝于所述基板的凸臺(tái)的步驟包括：

在所述基板的凸臺(tái)的表面劃膠，以通過(guò)膠體將所述芯片的金屬墊貼裝于所述凸臺(tái)。

在可選的實(shí)施方式中，所述方法還包括制作所述基板的步驟，所述步驟包括：

在初始基板上設(shè)置第一金屬層，在所述第一金屬層上設(shè)置保護(hù)層；

在所述保護(hù)層上貼裝第一圖形保護(hù)層，以對(duì)設(shè)定區(qū)域進(jìn)行保護(hù)；

按照預(yù)設(shè)深度對(duì)所述保護(hù)層進(jìn)行蝕刻，以形成基板凸臺(tái)；

對(duì)所述第一金屬層進(jìn)行蝕刻，以形成金屬柱。

在可選的實(shí)施方式中，所述對(duì)所述第一金屬層進(jìn)行蝕刻，以形成所述金屬柱的步驟包括：

貼裝第二圖形保護(hù)層，對(duì)所述第一金屬層進(jìn)行蝕刻，得到金屬柱生長(zhǎng)點(diǎn)；

在所述金屬柱生長(zhǎng)點(diǎn)上生長(zhǎng)金屬柱，并在生長(zhǎng)的金屬柱上鍍第二金屬層，通過(guò)點(diǎn)錫或刷錫，在鍍層后的金屬柱上形成焊點(diǎn)，得到所述金屬柱。

在可選的實(shí)施方式中，所述第一金屬層為銅層，所述第二金屬層為鎳金鍍層或鎳鈀金鍍層，所述保護(hù)層為聚丙烯板材。

在可選的實(shí)施方式中，所述方法還包括在所述芯片生成所述金屬墊的步驟，所述步驟包括：

在所述芯片表面上鍍第三金屬層，以生成所述金屬墊。

在可選的實(shí)施方式中，所述第三金屬層為銅層、鎳金鍍層或鎳鈀金鍍層。