[發明專利]芯片封裝方法和芯片封裝結構

有效

• 申請號: 202010024302.8
• 申請日: 2020-01-09
• 公開（公告）號: CN111192835B
• 公開（公告）日: 2021-10-19
• 發明（設計）人: 鐘磊;李利
• 申請（專利權）人: 甬矽電子(寧波)股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/488;H01L21/56
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 劉亞飛

1.一種芯片封裝方法，其特征在于，用于對具有金屬墊的芯片進行封裝，所述芯片為聲表面波濾波芯片，所述方法包括：

提供具有凸臺與金屬柱的基板；

通過膠體將所述芯片的金屬墊貼裝于所述基板的凸臺，對設置于所述芯片的金屬墊與所述凸臺之間的膠體回流固化，使所述金屬柱與所述芯片線路連通，并在所述芯片與所述基板之間形成一空腔密閉結構；

其中，所述金屬墊作為芯片的引腳，用于墊高所述芯片的高度并連接接地電路；所述凸臺的高度低于所述金屬柱焊點的高度。

2.根據權利要求1所述的芯片封裝方法，其特征在于，通過膠體將所述芯片的金屬墊貼裝于所述基板的凸臺的步驟包括：

在所述基板的凸臺的表面劃膠，以通過膠體將所述芯片的金屬墊貼裝于所述凸臺。

3.根據權利要求1所述的芯片封裝方法，其特征在于，所述方法還包括制作所述基板的步驟，所述步驟包括：

在初始基板上設置第一金屬層，在所述第一金屬層上設置保護層；

在所述保護層上貼裝第一圖形保護層，以對設定區域進行保護；

按照預設深度對所述保護層進行蝕刻，以形成基板凸臺；

對所述第一金屬層進行蝕刻，以形成金屬柱。

4.根據權利要求3所述的芯片封裝方法，其特征在于，所述對所述第一金屬層進行蝕刻，以形成所述金屬柱的步驟包括：

貼裝第二圖形保護層，對所述第一金屬層進行蝕刻，得到金屬柱生長點；

在所述金屬柱生長點上生長金屬柱，并在生長的金屬柱上鍍第二金屬層，通過點錫或刷錫，在鍍層后的金屬柱上形成焊點，得到所述金屬柱。

5.根據權利要求4所述的芯片封裝方法，其特征在于，所述第一金屬層為銅層，所述第二金屬層為鎳金鍍層或鎳鈀金鍍層，所述保護層為聚丙烯板材。

6.根據權利要求1所述的芯片封裝方法，其特征在于，所述方法還包括在所述芯片生成所述金屬墊的步驟，所述步驟包括：

在所述芯片表面上鍍第三金屬層，以生成所述金屬墊。

7.根據權利要求6所述的芯片封裝方法，其特征在于，所述第三金屬層為銅層、鎳金鍍層或鎳鈀金鍍層。

8.根據權利要求1所述的芯片封裝方法，其特征在于，在對設置于所述芯片的金屬墊與所述凸臺之間的膠體回流固化后，所述方法還包括：

基于塑封材料對回流固化后的芯片進行塑封。

9.一種芯片封裝結構，其特征在于，包括基板以及芯片，所述芯片為聲表面波濾波芯片；

所述基板上設置有至少一個凸臺以及至少一個金屬柱，所述芯片上設置有金屬墊；

所述芯片通過所述金屬墊設置于各所述凸臺上，以使各所述金屬柱與所述芯片線路連通，并在所述芯片與所述基板之間形成空腔密閉結構；

其中，所述金屬墊作為芯片的引腳，用于墊高所述芯片的高度并連接接地電路；所述凸臺的高度低于所述金屬柱焊點的高度。