[發明專利]光檢測裝置

在審

• 申請號: 202010024135.7
• 申請日: 2020-01-10
• 公開（公告）號: CN111725347A
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發明（設計）人: 安田健介;戶田順之;河原慎二;山浦和章;山本武志
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社
• 主分類號: H01L31/107
• 分類號: H01L31/107;H01L31/0352;H01L27/144
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 金春實

實施方式的光檢測裝置是設定有相鄰的第一單元和第二單元的光檢測裝置。所述光檢測裝置具備：第一導電類型的第一半導體層；第二導電類型的第二半導體層，設置于所述第一半導體層上；第一構件，設置于所述第一單元與所述第二單元之間，由與所述第一半導體層及所述第二半導體層不同的材料構成；第二構件，設置于所述第一構件與所述第一單元之間，由與所述第一半導體層及所述第二半導體層不同的材料構成；以及第三構件，設置于所述第一構件與所述第二單元之間，由與所述第一半導體層及所述第二半導體層不同的材料構成。

(關聯申請)

本申請享受以日本專利申請2019-50629號(申請日：2019年3月19日)為基礎申請的優先權。本申請通過參照該基礎申請來包括基礎申請的全部內容。

技術領域

實施方式涉及一種光檢測裝置。

背景技術

以往以來，作為檢測微弱的光的光檢測裝置，開發了排列有多個單元(cell)且針對每個單元設置有雪崩光電二極管(APD)的SiPM(Silicon Photomultiplier：硅光電子倍增管)。在這樣的光檢測裝置中也要求檢測精度的提高。

發明內容

實施方式提供一種檢測精度高的光檢測裝置。

實施方式所涉及的光檢測裝置是設定有相鄰的第一單元和第二單元的光檢測裝置。所述光檢測裝置具備：第一導電類型的第一半導體層；第二導電類型的第二半導體層，設置于所述第一半導體層上；第一構件，設置于所述第一單元與所述第二單元之間，由與所述第一半導體層及所述第二半導體層不同的材料構成；第二構件，設置于所述第一構件與所述第一單元之間，由與所述第一半導體層及所述第二半導體層不同的材料構成；第三構件，設置于所述第一構件與所述第二單元之間，由與所述第一半導體層及所述第二半導體層不同的材料構成。

附圖說明

圖1是表示第一實施方式所涉及的光檢測裝置的平面圖。

圖2是表示第一實施方式所涉及的光檢測裝置的局部放大平面圖。

圖3是基于圖2所示的A-A’線的截面圖。

圖4是表示第一實施方式所涉及的光檢測裝置的元件分離區域的局部放大截面圖。

圖5是表示第一實施方式所涉及的光檢測裝置的電路圖。

圖6是表示第一實施方式所涉及的光檢測裝置的動作的截面圖。

圖7是表示第一實施方式的變形例所涉及的光檢測裝置的截面圖。

圖8是表示第二實施方式所涉及的光檢測裝置的截面圖。

圖9是表示第二實施方式所涉及的光檢測裝置的動作的截面圖。

圖10是表示第二實施方式的變形例所涉及的光檢測裝置的截面圖。

圖11A是表示第三實施方式所涉及的光檢測裝置的平面圖，圖11B是基于圖11A所示的B-B’線的截面圖。

圖12是表示第四實施方式所涉及的光檢測裝置的平面圖。

圖13是表示第五實施方式所涉及的光檢測裝置的平面圖。

圖14A和圖14B是橫軸取二次光子的波長且縱軸取元件分離區域中的光的反射率來表示第一試驗例中的光的反射率的仿真結果的曲線圖。

圖15A和圖15B是橫軸取二次光子的波長且縱軸取元件分離區域中的光的反射率來表示第一試驗例中的光的反射率的仿真結果的曲線圖。

圖16是橫軸取二次光子的波長且縱軸取元件分離區域中的光的反射率來表示第二試驗例中的光的反射率的仿真結果的曲線圖和表。