[發(fā)明專利]光檢測裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010024135.7
• 申請日: 2020-01-10
• 公開（公告）號: CN111725347A
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 安田健介;戶田順之;河原慎二;山浦和章;山本武志
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社
• 主分類號: H01L31/107
• 分類號: H01L31/107;H01L31/0352;H01L27/144
• 代理公司: 中國貿(mào)促會專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038
• 代理人: 金春實

1.一種光檢測裝置，設(shè)定有相鄰的第一單元和第二單元，具備：

第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體層；

第二導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體層，設(shè)置于所述第一半導(dǎo)體層上；

第一構(gòu)件，設(shè)置于所述第一單元與所述第二單元之間，由與所述第一半導(dǎo)體層及所述第二半導(dǎo)體層不同的材料構(gòu)成；

第二構(gòu)件，設(shè)置于所述第一構(gòu)件與所述第一單元之間，由與所述第一半導(dǎo)體層及所述第二半導(dǎo)體層不同的材料構(gòu)成；

第三構(gòu)件，設(shè)置于所述第一構(gòu)件與所述第二單元之間，由與所述第一半導(dǎo)體層及所述第二半導(dǎo)體層不同的材料構(gòu)成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光檢測裝置，其中，

所述第一構(gòu)件、所述第二構(gòu)件以及所述第三構(gòu)件由電介質(zhì)構(gòu)成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光檢測裝置，其中，

所述第一構(gòu)件的形狀是分別包圍所述第一單元和所述第二單元的格子狀。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光檢測裝置，其中，

所述第二構(gòu)件包圍所述第一單元，所述第三構(gòu)件包圍所述第二單元。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光檢測裝置，其中，

在包括所述第一單元和所述第二單元的截面中，所述第一構(gòu)件、所述第二構(gòu)件以及所述第三構(gòu)件周期性地排列。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光檢測裝置，其中，

所述第一構(gòu)件的兩側(cè)面、所述第二構(gòu)件的兩側(cè)面以及所述第三構(gòu)件的兩側(cè)面與將所述第一單元的中心與所述第二單元的中心連結(jié)的直線正交。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光檢測裝置，其中，

所述第二半導(dǎo)體層具有：

第一區(qū)域，與所述第一半導(dǎo)體層相接；

第二區(qū)域，設(shè)置于所述第一區(qū)域上，雜質(zhì)濃度低于所述第一區(qū)域的雜質(zhì)濃度；

第三區(qū)域，設(shè)置于所述第二區(qū)域上，雜質(zhì)濃度高于所述第二區(qū)域的雜質(zhì)濃度，

所述第一構(gòu)件的下端、所述第二構(gòu)件的下端以及所述第三構(gòu)件的下端位于比所述第二區(qū)域與所述第三區(qū)域的界面靠下方的位置。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光檢測裝置，其中，

所述第一構(gòu)件的下端、所述第二構(gòu)件的下端以及所述第三構(gòu)件的下端位于比所述第一半導(dǎo)體層與所述第二半導(dǎo)體層的界面靠下方的位置。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光檢測裝置，其中，

在將所述第二半導(dǎo)體層中的所述第一構(gòu)件與所述第二構(gòu)件之間的部分的寬度以及所述第二半導(dǎo)體層中的所述第一構(gòu)件與所述第三構(gòu)件之間的部分的寬度分別設(shè)為d，將所述第二半導(dǎo)體層對于入射到所述第一單元或所述第二單元的光的折射率設(shè)為n₂，將m₂設(shè)為0以上的整數(shù)時，所述寬度d滿足下述數(shù)式，

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光檢測裝置，其中，

所述第一半導(dǎo)體層具有：

第一區(qū)域；

第二區(qū)域，設(shè)置于所述第一區(qū)域上，雜質(zhì)濃度低于所述第一區(qū)域的雜質(zhì)濃度；

第三區(qū)域，設(shè)置于所述第二區(qū)域上，與所述第二半導(dǎo)體層相接，雜質(zhì)濃度高于所述第二區(qū)域的雜質(zhì)濃度，

所述第一構(gòu)件的下端、所述第二構(gòu)件的下端以及所述第三構(gòu)件的下端位于比所述第三區(qū)域與所述第二半導(dǎo)體層的界面靠下方的位置。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光檢測裝置，其中，

所述第一構(gòu)件的下端、所述第二構(gòu)件的下端以及所述第三構(gòu)件的下端位于比所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域的界面靠下方的位置。