[發明專利]目標版圖的修正方法及掩膜版版圖的形成方法

在審

• 申請號: 202010023431.5
• 申請日: 2020-01-09
• 公開（公告）號: CN113109991A
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發明（設計）人: 王健;張迎春
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: G03F1/72
• 分類號: G03F1/72;G03F1/76;G03F7/20
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣

1.一種目標版圖的修正方法，其特征在于，包括：

提供初始目標版圖，所述初始目標版圖包括若干初始圖形；

對所述初始目標版圖進行模擬曝光獲取模擬曝光版圖，所述模擬曝光版圖上具有若干與初始圖形對應的模擬曝光圖形，所述模擬曝光版圖包括沿第一方向排列的若干修正區；

在至少一個所述修正區的模擬曝光圖形中獲取目標圖形；

獲取所述目標圖形對應的修正區的修正規則；

通過所述修正規則對所述目標圖形進行修正，獲取修正圖形。

2.如權利要求1所述的目標版圖的修正方法，其特征在于，獲取目標圖形的方法包括：獲取所述修正區內的每個所述模擬曝光圖形相對于對應初始圖形的邊緣放置誤差；獲取所述目標圖形，所述目標圖形為所述修正區內邊緣放置誤差大于第一預設值時的所述模擬曝光圖形。

3.如權利要求1所述的目標版圖的修正方法，其特征在于，所述初始目標版圖包括沿第一方向排列的若干待修正區。

4.如權利要求3所述的目標版圖的修正方法，其特征在于，每一個待修正區具有對應的曝光模型；獲取模擬曝光版圖的方法包括：對每個待修正區采用對應的曝光模型進行模擬曝光，獲得與每個待修正區對應的修正區；以所述修正區替代對應的待修正區，形成模擬曝光版圖。

5.如權利要求1所述的目標版圖的修正方法，其特征在于，每個修正區具有對應的修正規則；獲取所述目標圖形對應修正區的修正規則的方法包括：獲取目標修正區，所述目標修正區為所述目標圖形所在的修正區；獲取所述目標修正區對應的修正規則。

6.如權利要求1所述的目標版圖的修正方法，其特征在于，每個修正區對應的所述修正規則包括分割規則和偏移規則；所述分割規則包括將所述目標圖形的輪廓分割成預設數量的線段，且每段所述線段具有預設長度；所述偏移規則包括將各段所述線段以預設偏移量進行偏移。

7.如權利要求6所述的目標版圖的修正方法，其特征在于，對所述目標圖形進行修正的方法包括：將所述目標圖形的輪廓分割成預設數量的若干線段；在所述若干線段中獲取待修正線段，所述修正線段為邊緣放置誤差大于第一預設值時的線段；將所述待修正線段偏移所述預設偏移量，獲取修正線段；以修正線段替代對應的待修正線段，形成所述第二修正圖形。

8.一種掩膜版版圖的形成方法，其特征在于，包括：

提供目標版圖；

采用目標版圖的修正方法對所述目標版圖進行光學臨近修正，形成掩膜版版圖，所述目標版圖的修正方法包括：

提供初始目標版圖，所述初始目標版圖包括若干初始圖形；

對所述初始目標版圖進行模擬曝光獲取模擬曝光版圖，所述模擬曝光版圖上具有若干與初始圖形對應的模擬曝光圖形，所述模擬曝光版圖包括沿第一方向排列的若干修正區；

在至少一個所述修正區的模擬曝光圖形中獲取目標圖形；

獲取所述目標圖形對應的修正區的修正規則；

通過所述修正規則對所述目標圖形進行修正，獲取修正圖形。

9.如權利要求8所述的掩膜版版圖的形成方法，其特征在于，獲取目標圖形的方法包括：獲取所述修正區內的每個所述模擬曝光圖形相對于對應初始圖形的邊緣放置誤差；獲取所述目標圖形，所述目標圖形為所述修正區內邊緣放置誤差大于第一預設值時的所述模擬曝光圖形。

10.如權利要求8所述的掩膜版版圖的形成方法，其特征在于，所述初始目標版圖包括沿第一方向排列的若干待修正區。

11.如權利要求10所述的掩膜版版圖的形成方法，其特征在于，每一個待修正區具有對應的曝光模型；獲取模擬曝光版圖的方法包括：對每個待修正區采用對應的曝光模型進行模擬曝光，獲得與每個待修正區對應的修正區；以所述修正區替代對應的待修正區，形成模擬曝光版圖。