[發(fā)明專利]目標(biāo)版圖的修正方法及掩膜版版圖的形成方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010023431.5
• 申請(qǐng)日: 2020-01-09
• 公開（公告）號(hào): CN113109991A
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王健;張迎春
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號(hào): G03F1/72
• 分類號(hào): G03F1/72;G03F1/76;G03F7/20
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣

一種目標(biāo)版圖的修正方法、掩膜版版圖的形成方法及其掩膜版，修正方法包括：提供初始目標(biāo)版圖，所述初始目標(biāo)版圖包括若干初始圖形；對(duì)所述初始目標(biāo)版圖進(jìn)行模擬曝光獲取模擬曝光版圖，所述模擬曝光版圖上具有若干與初始圖形對(duì)應(yīng)的模擬曝光圖形，所述模擬曝光版圖包括沿第一方向排列的若干修正區(qū)；在至少一個(gè)所述修正區(qū)的模擬曝光圖形中獲取目標(biāo)圖形；獲取所述目標(biāo)圖形對(duì)應(yīng)的修正區(qū)的修正規(guī)則；通過(guò)所述修正規(guī)則對(duì)所述目標(biāo)圖形進(jìn)行修正，獲取修正圖形。所述修正方法得到的掩膜版版圖修正效果較好，精度較高。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種目標(biāo)版圖的修正方法及掩膜版版圖的形成方法。

背景技術(shù)

光刻技術(shù)是半導(dǎo)體制作技術(shù)中至關(guān)重要的一項(xiàng)技術(shù)，其能夠?qū)崿F(xiàn)將圖形從掩模版中轉(zhuǎn)移到硅片表面，形成符合設(shè)計(jì)要求的半導(dǎo)體產(chǎn)品。在光刻工藝過(guò)程中，首先，通過(guò)曝光步驟，光線通過(guò)掩模版中透光或反光的區(qū)域照射至涂覆了光刻膠的硅片上，并與光刻膠發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)；接著，通過(guò)顯影步驟，利用感光和未感光的光刻膠對(duì)顯影劑的溶解程度，形成光刻圖形，實(shí)現(xiàn)掩模版圖案的轉(zhuǎn)移；然后，通過(guò)刻蝕步驟，基于光刻膠層所形成的光刻圖形對(duì)硅片進(jìn)行刻蝕，將掩模版圖案進(jìn)一步轉(zhuǎn)移至硅片上。

在先進(jìn)光刻工藝中，可以使用極紫外(EUV)光作為光源。然而，采用極紫外光作為光源的光刻工藝制造的掩膜版，還存在許多的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種目標(biāo)版圖的修正方法及掩膜版版圖的形成方法，使得掩膜版的精度提升。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明技術(shù)方案提供一種目標(biāo)版圖的修正方法，包括：提供初始目標(biāo)版圖，所述初始目標(biāo)版圖包括若干初始圖形；對(duì)所述初始目標(biāo)版圖進(jìn)行模擬曝光獲取模擬曝光版圖，所述模擬曝光版圖上具有若干與初始圖形對(duì)應(yīng)的模擬曝光圖形，所述模擬曝光版圖包括沿第一方向排列的若干修正區(qū)；在至少一個(gè)所述修正區(qū)的模擬曝光圖形中獲取目標(biāo)圖形；獲取所述目標(biāo)圖形對(duì)應(yīng)的修正區(qū)的修正規(guī)則；通過(guò)所述修正規(guī)則對(duì)所述目標(biāo)圖形進(jìn)行修正，獲取修正圖形。

可選的，獲取目標(biāo)圖形的方法包括：獲取所述修正區(qū)內(nèi)的每個(gè)所述模擬曝光圖形相對(duì)于對(duì)應(yīng)初始圖形的邊緣放置誤差；獲取所述目標(biāo)圖形，所述目標(biāo)圖形為所述修正區(qū)內(nèi)邊緣放置誤差大于第一預(yù)設(shè)值時(shí)的所述模擬曝光圖形。

可選的，所述初始目標(biāo)版圖包括沿第一方向排列的若干待修正區(qū)。

可選的，每一個(gè)待修正區(qū)具有對(duì)應(yīng)的曝光模型；獲取模擬曝光版圖的方法包括：對(duì)每個(gè)待修正區(qū)采用對(duì)應(yīng)的曝光模型進(jìn)行模擬曝光，獲得與每個(gè)待修正區(qū)對(duì)應(yīng)的修正區(qū)；以所述修正區(qū)替代對(duì)應(yīng)的待修正區(qū)，形成模擬曝光版圖。

可選的，每個(gè)修正區(qū)具有對(duì)應(yīng)的修正規(guī)則；獲取所述目標(biāo)圖形對(duì)應(yīng)修正區(qū)的修正規(guī)則的方法包括：獲取目標(biāo)修正區(qū)，所述目標(biāo)修正區(qū)為所述目標(biāo)圖形所在的修正區(qū)；獲取所述目標(biāo)修正區(qū)對(duì)應(yīng)的修正規(guī)則。

可選的，每個(gè)修正區(qū)對(duì)應(yīng)的所述修正規(guī)則包括分割規(guī)則和偏移規(guī)則；所述分割規(guī)則包括將所述目標(biāo)圖形的輪廓分割成預(yù)設(shè)數(shù)量的線段，且每段所述線段具有預(yù)設(shè)長(zhǎng)度；所述偏移規(guī)則包括將各段所述線段以預(yù)設(shè)偏移量進(jìn)行偏移。

可選的，對(duì)所述目標(biāo)圖形進(jìn)行修正的方法包括：將所述目標(biāo)圖形的輪廓分割成預(yù)設(shè)數(shù)量的若干線段；在所述若干線段中獲取待修正線段，所述修正線段為邊緣放置誤差大于第一預(yù)設(shè)值時(shí)的線段；將所述待修正線段偏移所述預(yù)設(shè)偏移量，獲取修正線段；以修正線段替代對(duì)應(yīng)的待修正線段，形成所述第二修正圖形。