[發(fā)明專利]發(fā)光二極管像素及顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010023406.7 | 申請日: | 2018-12-21 |
| 公開(公告)號: | CN111211142A | 公開(公告)日: | 2020-05-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李貞勛;蔡鐘炫;張成逵;李豪埈 | 申請(專利權(quán))人: | 首爾偉傲世有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;G09F9/33;G09G3/32 |
| 代理公司: | 北京鉦霖知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艷;玉昌峰 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光二極管 像素 顯示裝置 | ||
一種發(fā)光二極管像素及顯示裝置,用于顯示裝置的發(fā)光二極管像素包括:第一LED堆疊;第二LED堆疊,位于所述第一LED堆疊的一部分區(qū)域上;以及第三LED堆疊,位于所述第二LED堆疊的一部分區(qū)域上,所述第一LED堆疊、第二LED堆疊和第三LED堆疊分別包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層,從所述第一LED堆疊生成的光從除所述第二LED所位于的一部分區(qū)域之外的區(qū)域發(fā)射,從所述第二LED堆疊生成的光從除所述第三LED所位于的一部分區(qū)域之外的區(qū)域發(fā)射。
本申請是申請日為2018年12月21日、申請?zhí)枮?01880041207.X、發(fā)明名稱為“發(fā)光堆疊結(jié)構(gòu)和具有所述發(fā)光堆疊結(jié)構(gòu)的顯示裝置”的分案申請。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管像素及顯示裝置。
背景技術(shù)
最近已經(jīng)開發(fā)了使用發(fā)光二極管(LED)實現(xiàn)圖像的顯示裝置。采用所述發(fā)光二極管的所述顯示裝置可以包括分別生長在基底上的紅色、綠色和藍色發(fā)光二極管。
作為無機光源,發(fā)光二極管已經(jīng)在各種技術(shù)領(lǐng)域中使用,例如顯示器、車燈和普通照明等。具有壽命長、功耗低和響應(yīng)速度高的優(yōu)點,發(fā)光二極管已經(jīng)迅速替代了現(xiàn)有的光源。
發(fā)光二極管已經(jīng)主要用作顯示設(shè)備中的背光光源。然而,已經(jīng)開發(fā)了微LED顯示器作為能夠直接使用發(fā)光二極管實現(xiàn)圖像的下一代顯示器。
通常,顯示設(shè)備通過使用藍光、綠光和紅光的混合色來實現(xiàn)各種顏色。所述顯示設(shè)備包括各自具有與藍色、綠色和紅色對應(yīng)的子像素的像素,并且可以基于其中的所述子像素的顏色來確定特定像素的顏色,并且可以通過所述像素的組合來顯示圖像。
在微LED顯示器中,與每個子像素對應(yīng)的微LED布置在二維平面上。因此,需要在一個基底上設(shè)置大量的微LED。然而,微LED具有非常小的尺寸,其具有大約10,000平方微米或更小的表面積,因此,由于這種小尺寸而存在各種問題。具體地,由于其尺寸小,難以將微LED安裝在顯示面板上,尤其是因為需要超過數(shù)十萬或數(shù)百萬。
另外,需要高分辨率和全彩色的顯示裝置,以及需要能夠以簡化的方法制造的具有高水平的色純度和色再現(xiàn)性的顯示裝置。
在這個背景技術(shù)部分中公開的以上信息僅用于理解本發(fā)明構(gòu)思的背景,因此,其可能包括不構(gòu)成現(xiàn)有技術(shù)的信息。
發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題
根據(jù)本發(fā)明的原理和一些示例性實施例構(gòu)造的發(fā)光堆疊結(jié)構(gòu)能夠在不增加像素面積的情況下增加每個子像素的發(fā)光面積。
根據(jù)本發(fā)明的原理和一些示例性實施例構(gòu)造的發(fā)光二極管和使用例如微LED的所述發(fā)光二極管的顯示器具有能夠以精簡步驟制造的簡單結(jié)構(gòu)。例如,可以通過晶圓接合在晶圓級上形成多個像素,從而不需要單獨安裝發(fā)光二極管。
本發(fā)明構(gòu)思的附加特征將在下面的描述中闡明,并且部分地從所述描述中將變得顯而易見,或者可以通過實施本發(fā)明構(gòu)思來獲悉。
問題的解決方案
本發(fā)明提供一種用于顯示裝置的發(fā)光二極管像素,其包括:第一LED堆疊;第二LED堆疊,位于所述第一LED堆疊的一部分區(qū)域上;以及第三LED堆疊,位于所述第二LED堆疊的一部分區(qū)域上,所述第一LED堆疊、第二LED堆疊和第三LED堆疊分別包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層,從所述第一LED堆疊生成的光從除所述第二LED所位于的一部分區(qū)域之外的區(qū)域發(fā)射,從所述第二LED堆疊生成的光從除所述第三LED所位于的一部分區(qū)域之外的區(qū)域發(fā)射。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





