[發(fā)明專利]發(fā)光二極管像素及顯示裝置

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• 申請日: 2018-12-21
• 公開（公告）號: CN111211142A
• 公開（公告）日: 2020-05-29
• 發(fā)明（設計）人: 李貞勛;蔡鐘炫;張成逵;李豪埈
• 申請（專利權）人: 首爾偉傲世有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;G09F9/33;G09G3/32
• 代理公司: 北京鉦霖知識產權代理有限公司 11722
• 代理人: 李英艷;玉昌峰

1.一種用于顯示裝置的發(fā)光二極管像素，包括：

第一LED堆疊；

第二LED堆疊，位于所述第一LED堆疊的一部分區(qū)域上；以及

第三LED堆疊，位于所述第二LED堆疊的一部分區(qū)域上，

所述第一LED堆疊、第二LED堆疊和第三LED堆疊分別包括第一導電型半導體層和第二導電型半導體層，

從所述第一LED堆疊生成的光從除所述第二LED所位于的一部分區(qū)域之外的區(qū)域發(fā)射，

從所述第二LED堆疊生成的光從除所述第三LED所位于的一部分區(qū)域之外的區(qū)域發(fā)射。

2.根據權利要求1所述的用于顯示裝置的發(fā)光二極管像素，其中，

所述第一LED堆疊、第二LED堆疊和第三LED堆疊分別發(fā)射彼此不同波長的光。

3.根據權利要求2所述的用于顯示裝置的發(fā)光二極管像素，其中，

所述第一LED堆疊、第二LED堆疊和第三LED分別發(fā)射紅色光、綠色光及藍色光。

4.根據權利要求3所述的用于顯示裝置的發(fā)光二極管像素，其中，

還包括：

第一反射層，介于所述第一LED堆疊和所述第二LED堆疊之間；以及

第二反射層，介于所述第二LED堆疊和所述第三LED堆疊之間。

5.根據權利要求4所述的用于顯示裝置的發(fā)光二極管像素，其中，

還包括：

第一透明絕緣層，介于所述第一LED堆疊和所述第一反射層之間；以及

第二透明絕緣層，介于所述第二LED堆疊和所述第二反射層之間。

6.根據權利要求4所述的用于顯示裝置的發(fā)光二極管像素，其中，

還包括：

第一接合層，介于所述第一反射層和所述第二LED堆疊之間；以及

第二接合層，介于所述第二反射層和所述第三LED堆疊之間。

7.根據權利要求6所述的用于顯示裝置的發(fā)光二極管像素，其中，

所述第一接合層和所述第二接合層分別包括金屬接合層。

8.根據權利要求1所述的用于顯示裝置的發(fā)光二極管像素，其中，

還包括：

第一-1歐姆電極，與所述第一LED堆疊的第一導電類型半導體層接觸；

第一-2歐姆電極，與所述第一LED堆疊的第二導電類型半導體層接觸；

第二-1歐姆電極，與所述第二LED堆疊的第一導電類型半導體層接觸；

第二-2歐姆電極，與所述第二LED堆疊的第二導電類型半導體層接觸；

第三-1歐姆電極，與所述第三LED堆疊的第一導電類型半導體層接觸；以及

第三-2歐姆電極，與所述第三LED堆疊的第二導電類型半導體層接觸，

所述第一-1歐姆電極在所述第一LED堆疊的一部分區(qū)域外側與所述第一導電類型半導體層接觸，

所述第二-1歐姆電極在所述第二LED堆疊的一部分區(qū)域外側與所述第二導電類型半導體層接觸。

9.根據權利要求8所述的用于顯示裝置的發(fā)光二極管像素，其中，

所述第一-2歐姆電極包括第一反射層，

所述第一反射層設置在所述第一LED堆疊的下方。

10.根據權利要求9所述的用于顯示裝置的發(fā)光二極管像素，其中，

所述第一-2歐姆電極、所述第二-2歐姆電極和所述第三-2歐姆電極電公共耦接。

11.根據權利要求10所述的用于顯示裝置的發(fā)光二極管像素，其中，

所述第二-2歐姆電極和所述第三-2歐姆電極分別包括第二反射層和第三反射層。