[發明專利]殼體組件的制備方法、殼體組件及電子設備

在審

• 申請號: 202010022767.X
• 申請日: 2020-01-10
• 公開（公告）號: CN113122897A
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: 陳穎
• 申請（專利權）人: RealMe重慶移動通信有限公司
• 主分類號: C25D11/08
• 分類號: C25D11/08;C25D11/12;C23C14/08;C23C14/10;H05K5/04
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287
• 代理人: 胡海國

1.一種殼體組件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一鋁合金殼體基材；其中，所述鋁合金殼體基材具有背對設置的內表面和外表面；所述內表面為所述鋁合金殼體基材的面向電子設備內部空間的表面，所述外表面為所述鋁合金殼體基材的面向電子設備外部空間的表面；

對所述鋁合金殼體基材進行第一處理，以在所述鋁合金殼體基材的外表面形成基層；

對經過所述第一處理的所述鋁合金殼體基材進行第二處理，以形成嵌入到所述基層的第一紋理層；

對經過所述第二處理的所述鋁合金殼體基材進行第三處理，以形成嵌入到所述基層的第二紋理層。

2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述對所述鋁合金殼體基材進行第一處理，以在所述鋁合金殼體基材的外表面形成基層的步驟包括：

對所述鋁合金殼體基材的外表面進行陽極氧化處理，以形成第一陽極氧化層。

3.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述對經過所述第一處理的所述鋁合金殼體基材進行第二處理，以形成嵌入到所述基層的第一紋理層的步驟包括：

對所述基層的表面進行第一表面處理，以在所述基層的表面形成貫通所述基層的第一嵌設位；

對所述鋁合金殼體基材的由所述第一嵌設位顯露的外表面進行陽極氧化處理，以在所述第一嵌設位內形成第二陽極氧化層。

4.如權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述對所述基層的表面進行第一表面處理，以在所述基層的表面形成貫通所述基層的第一嵌設位的步驟包括：

對所述基層的表面進行噴膠處理，以在所述基層的表面形成遮蔽膠層；

對所述遮蔽膠層進行鐳雕處理，以使所述基層的部分表面由所述遮蔽膠層顯露；

對所述基層的由所述遮蔽膠層顯露的表面進行去除處理，以在所述基層的表面形成貫通所述基層的第一嵌設位。

5.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述對經過所述第二處理的所述鋁合金殼體基材進行第三處理，以形成嵌入到所述基層的第二紋理層的步驟包括：

對所述基層的表面進行第二表面處理，以在所述基層的表面形成貫通所述基層的第二嵌設位；

對所述鋁合金殼體基材的由所述第二嵌設位顯露的外表面進行陽極氧化處理，以在所述第二嵌設位內形成第三陽極氧化層。

6.如權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述對所述基層的表面進行第二表面處理，以在所述基層的表面形成貫通所述基層的第二嵌設位的步驟包括：

對所述基層的表面進行車銑處理，以在所述基層的表面形成貫通所述基層的第二嵌設位。

7.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述對經過所述第二處理的所述鋁合金殼體基材進行第三處理，以形成嵌入到所述基層的第二紋理層的步驟之后，還包括：

對所述基層、所述第一紋理層及所述第二紋理層的表面進行表面保護處理，以在所述基層、所述第一紋理層及所述第二紋理層的表面形成保護層。

8.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述對經過所述第二處理的所述鋁合金殼體基材進行第三處理，以形成嵌入到所述基層的第二紋理層的步驟之后，還包括：

對所述基層、所述第一紋理層及所述第二紋理層的表面進行鍍膜處理，以在所述基層、所述第一紋理層及所述第二紋理層的表面形成光學鍍膜層。

9.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述對所述鋁合金殼體基材進行第一處理，以在所述鋁合金殼體基材的外表面形成基層的步驟之前，還包括：

對所述鋁合金殼體基材的外表面進行拋光處理。

10.一種殼體組件，其特征在于，所述殼體組件由如權利要求1至9中任一項所述的制備方法制備得到。