[發明專利]掩膜版版圖的修正方法

有效

• 申請號: 202010022648.4
• 申請日: 2020-01-09
• 公開（公告）號: CN113109990B
• 公開（公告）日: 2022-08-26
• 發明（設計）人: 杜杳雋
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(北京)有限公司;中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: G03F1/72
• 分類號: G03F1/72;G03F1/76;G03F7/20
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣

一種掩膜版版圖的修正方法，包括：提供目標版圖，所述目標版圖包括若干主圖形；獲取每個所述主圖形的位置信息；根據每個所述主圖形的位置信息，獲取與每個主圖形相鄰的輔助圖形的位置信息；根據與每個主圖形相鄰的輔助圖形的位置信息，在每個所述主圖形周圍設置與所述主圖形相鄰的輔助圖形。從而，提高形成的光刻圖形的精度。

技術領域

本發明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種掩膜版版圖的修正方法。

背景技術

光刻技術是半導體制作技術中至關重要的一項技術，其能夠實現將圖形從掩模版中轉移到硅片表面，形成符合設計要求的半導體產品。在光刻工藝過程中，首先，通過曝光步驟，光線通過掩模版中透光或反光的區域照射至涂覆了光刻膠的硅片上，并與光刻膠發生光化學反應；接著，通過顯影步驟，利用感光和未感光的光刻膠對顯影劑的溶解程度，形成光刻圖形，實現掩模版圖案的轉移；然后，通過刻蝕步驟，基于光刻膠層所形成的光刻圖形對硅片進行刻蝕，將掩模版圖案進一步轉移至硅片上。

在先進光刻工藝中，可以使用極紫外(EUV)光作為光源，極紫外光的波長短，因此能夠形成關鍵尺寸更小的光刻圖形。

然而，采用極紫外光作為光源的光刻工藝，在將所述掩膜版的圖形轉移至硅片的光刻膠層時，形成的光刻圖形的精度較低。

發明內容

本發明解決的技術問題是提供一種掩膜版版圖的修正方法，以提高轉移至硅片的光刻膠層的光刻圖形的精度。

為解決上述技術問題，本發明的技術方案提供一種掩膜版版圖的修正方法，包括：提供目標版圖，所述目標版圖包括若干主圖形，每個所述主圖形包括相對的第一邊和第二邊，所述第一邊和第二邊的延伸方向與第一方向垂直，并且，在所述第一方向上，所述第一邊與所述目標版圖的中心的間距小于所述第二邊與所述目標版圖的中心的間距，每個所述主圖形還包括相對的第三邊和第四邊，所述第三邊和第四邊的延伸方向與第二方向垂直，并且，所述第三邊的中點指向所述第四邊的中點的方向與所述第二方向相同，所述第二方向與所述第一方向互相垂直；根據所述第一邊和所述第二邊，獲取每個所述主圖形的位置信息；根據每個所述主圖形的位置信息，獲取與每個主圖形相鄰的輔助圖形的位置信息；根據與每個主圖形相鄰的輔助圖形的位置信息，在每個所述主圖形周圍設置與所述主圖形相鄰的輔助圖形。

可選的，獲取每個所述主圖形的位置信息的方法包括：根據所述主圖形中心點獲取所述主圖形的第一間距，所述主圖形中心點為：位于每個所述主圖形的第一邊和第二邊之間的點，并且在所述第一方向上，所述主圖形中心點與所述第一邊之間的間距等于所述主圖形中心點與所述第二邊之間的間距，所述第一間距為：在所述第一方向上，每個所述主圖形中心點與所述目標版圖的中心之間的間距。

可選的，根據每個所述主圖形的位置信息，獲取與每個主圖形相鄰的輔助圖形的位置信息的方法包括：獲取第一輔助圖形的位置信息以及第二輔助圖形的位置信息，所述第一輔助圖形為與所述主圖形的第一邊相鄰的輔助圖形，所述第二輔助圖形為與所述主圖形的第二邊相鄰的輔助圖形。

可選的，獲取第一輔助圖形的位置信息以及第二輔助圖形的位置信息的方法包括：獲取第一輔助間距和第二輔助間距，當所述主圖形的第一間距為零時，所述第一輔助間距等于所述第二輔助間距，所述第一輔助間距為：在所述第一方向上，所述第一輔助圖形的中心與所述主圖形中心點之間的間距，所述第二輔助間距為：在所述第一方向上，所述第二輔助圖形的中心與所述主圖形中心點之間的間距。

可選的，獲取第一輔助圖形的位置信息以及第二輔助圖形的位置信息的方法包括：獲取第一輔助間距和第二輔助間距，當所述主圖形的第一間距大于零時，所述第一輔助間距大于所述第二輔助間距，所述第一輔助間距為：在所述第一方向上，所述第一輔助圖形的中心與所述主圖形中心點之間的間距，所述第二輔助間距為：在所述第一方向上，所述第二輔助圖形的中心與所述主圖形中心點之間的間距。