[發(fā)明專利]掩膜版版圖的修正方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010022648.4 | 申請(qǐng)日: | 2020-01-09 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113109990B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-08-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 杜杳雋 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號(hào): | G03F1/72 | 分類號(hào): | G03F1/72;G03F1/76;G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 徐文欣 |
| 地址: | 100176 北京市*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 掩膜版 版圖 修正 方法 | ||
1.一種掩膜版版圖的修正方法,所述掩膜版版圖用于制備掩膜版,所述掩膜版用于曝光系統(tǒng)中形狀為弧形的狹縫的光刻工藝,其特征在于,包括:
提供目標(biāo)版圖,所述目標(biāo)版圖包括若干主圖形,每個(gè)所述主圖形包括相對(duì)的第一邊和第二邊,所述第一邊和第二邊的延伸方向與第一方向垂直,并且,在所述第一方向上,所述第一邊與所述目標(biāo)版圖的中心的間距小于所述第二邊與所述目標(biāo)版圖的中心的間距,每個(gè)所述主圖形還包括相對(duì)的第三邊和第四邊,所述第三邊和第四邊的延伸方向與第二方向垂直,并且,所述第三邊的中點(diǎn)指向所述第四邊的中點(diǎn)的方向與所述第二方向相同,所述第二方向與所述第一方向互相垂直;
根據(jù)所述第一邊和所述第二邊,獲取每個(gè)所述主圖形的位置信息;
根據(jù)每個(gè)所述主圖形的位置信息,獲取與每個(gè)主圖形相鄰的輔助圖形的位置信息;
根據(jù)與每個(gè)主圖形相鄰的輔助圖形的位置信息,在每個(gè)所述主圖形周?chē)O(shè)置與所述主圖形相鄰的輔助圖形,與所述主圖形相鄰的輔助圖形根據(jù)方位角進(jìn)行設(shè)置,所述方位角是指光刻工藝中的曝光入射光線在掩膜版的入射面的投影與第一方向之間的夾角。
2.如權(quán)利要求1所述的掩膜版版圖的修正方法,其特征在于,獲取每個(gè)所述主圖形的位置信息的方法包括:根據(jù)所述主圖形中心點(diǎn)獲取所述主圖形的第一間距,所述主圖形中心點(diǎn)為:位于每個(gè)所述主圖形的第一邊和第二邊之間的點(diǎn),并且在所述第一方向上,所述主圖形中心點(diǎn)與所述第一邊之間的間距等于所述主圖形中心點(diǎn)與所述第二邊之間的間距,所述第一間距為:在所述第一方向上,每個(gè)所述主圖形中心點(diǎn)與所述目標(biāo)版圖的中心之間的間距。
3.如權(quán)利要求2所述的掩膜版版圖的修正方法,其特征在于,根據(jù)每個(gè)所述主圖形的位置信息,獲取與每個(gè)主圖形相鄰的輔助圖形的位置信息的方法包括:獲取第一輔助圖形的位置信息以及第二輔助圖形的位置信息,所述第一輔助圖形為與所述主圖形的第一邊相鄰的輔助圖形,所述第二輔助圖形為與所述主圖形的第二邊相鄰的輔助圖形。
4.如權(quán)利要求3所述的掩膜版版圖的修正方法,其特征在于,獲取第一輔助圖形的位置信息以及第二輔助圖形的位置信息的方法包括:獲取第一輔助間距和第二輔助間距,當(dāng)所述主圖形的第一間距為零時(shí),所述第一輔助間距等于所述第二輔助間距,所述第一輔助間距為:在所述第一方向上,所述第一輔助圖形的中心與所述主圖形中心點(diǎn)之間的間距,所述第二輔助間距為:在所述第一方向上,所述第二輔助圖形的中心與所述主圖形中心點(diǎn)之間的間距。
5.如權(quán)利要求3所述的掩膜版版圖的修正方法,其特征在于,獲取第一輔助圖形的位置信息以及第二輔助圖形的位置信息的方法包括:獲取第一輔助間距和第二輔助間距,當(dāng)所述主圖形的第一間距大于零時(shí),所述第一輔助間距大于所述第二輔助間距,所述第一輔助間距為:在所述第一方向上,所述第一輔助圖形的中心與所述主圖形中心點(diǎn)之間的間距,所述第二輔助間距為:在所述第一方向上,所述第二輔助圖形的中心與所述主圖形中心點(diǎn)之間的間距。
6.如權(quán)利要求3所述的掩膜版版圖的修正方法,其特征在于,獲取第一輔助圖形的位置信息以及第二輔助圖形的位置信息的方法包括:獲取第一輔助間距和第二輔助間距,當(dāng)所述主圖形的第一間距等于零時(shí),所述第一輔助間距等于所述第二輔助間距,所述第一輔助間距為:在所述第一方向上,所述第一輔助圖形的輪廓與所述主圖形的第一邊之間的最小間距,所述第二輔助間距為:在所述第一方向上,所述第二輔助圖形的輪廓與所述主圖形的第二邊之間的最小間距。
7.如權(quán)利要求3所述的掩膜版版圖的修正方法,其特征在于,獲取第一輔助圖形的位置信息以及第二輔助圖形的位置信息的方法包括:獲取第一輔助間距和第二輔助間距,當(dāng)所述主圖形的第一間距大于零時(shí),所述第一輔助間距大于所述第二輔助間距,所述第一輔助間距為:在所述第一方向上,所述第一輔助圖形的輪廓與所述主圖形的第一邊之間的最小間距,所述第二輔助間距為:在所述第一方向上,所述第二輔助圖形的輪廓與所述主圖形的第二邊之間的最小間距。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門(mén)適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過(guò)帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過(guò)電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過(guò)100nm或更短波長(zhǎng)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測(cè)試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備
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