[發(fā)明專利]一種鈍化接觸太陽(yáng)能電池及其制作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010022639.5
• 申請(qǐng)日: 2020-01-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111192930A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-05-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王東;金井升;熊詩(shī)龍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L31/0216
• 分類(lèi)號(hào): H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 田媛媛

本申請(qǐng)公開(kāi)了一種鈍化接觸太陽(yáng)能電池制作方法，包括在硅襯底的正面形成擴(kuò)散層；在硅襯底的背面進(jìn)行預(yù)處理形成第一氧化層；在第一氧化層背離硅襯底的表面形成第二氧化層；在第二氧化層背離第一氧化層的表面形成摻雜型非晶硅層；在擴(kuò)散層背離硅襯底的表面形成第一鈍化層，并在摻雜型非晶硅層背離第二氧化層的表面形成第二鈍化層；在第一鈍化層背離擴(kuò)散層的表面形成第一電極，并在第二鈍化層背離摻雜型非晶硅層的表面形成第二電極。在硅襯底的背面先形成第一氧化層，再形成第二氧化層，由于第一氧化層均勻性好，有利于形成更加均勻的第二氧化層，提高整片電池的鈍化均勻性，進(jìn)而提高電池的轉(zhuǎn)換效率。本申請(qǐng)還提供一種具有上述優(yōu)點(diǎn)的電池。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及光伏電池技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種鈍化接觸太陽(yáng)能電池及其制作方法。

背景技術(shù)

隨著光伏行業(yè)的發(fā)展，提升太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率成為光伏企業(yè)追求的目標(biāo)。鈍化接觸(Tunnel Oxide Passivated Contact，TOPCon)技術(shù)是在電池的背面制備一層超薄的隧穿氧化層和一層高摻雜的多晶硅薄層，以形成鈍化接觸結(jié)構(gòu)，具有高效率、長(zhǎng)壽命、無(wú)LID和弱光響應(yīng)好等優(yōu)點(diǎn)。

隧穿氧化層的制備方法主要有硝酸氧化法、熱氧化法、臭氧水氧化法和紫外臭氧氧化法，其中，熱氧化法因具有工藝簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)，適合量產(chǎn)，成為氧化層的主要制備方法。但是，熱氧化法形成的氧化層不均勻，垂直放置硅片時(shí)形成的氧化層底部偏薄，水平放置硅片時(shí)氧化層容易中間偏薄，氧化層不均勻嚴(yán)重影響電池的鈍化效果及電池效率的提升。

因此，如何改善鈍化接觸電池中氧化層的均勻性應(yīng)是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的技術(shù)問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)的目的是提供一種鈍化接觸太陽(yáng)能電池及其制作方法，以提升鈍化接觸太陽(yáng)能電池中氧化層的均勻性。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N鈍化接觸太陽(yáng)能電池制作方法，包括：

在硅襯底的正面形成擴(kuò)散層；

在所述硅襯底的背面進(jìn)行預(yù)處理形成第一氧化層；

在所述第一氧化層背離所述硅襯底的表面形成第二氧化層；

在所述第二氧化層背離所述第一氧化層的表面形成摻雜型非晶硅層；

在所述擴(kuò)散層背離所述硅襯底的表面形成第一鈍化層，并在所述摻雜型非晶硅層背離所述第二氧化層的表面形成第二鈍化層；

在所述第一鈍化層背離所述擴(kuò)散層的表面形成第一電極，并在所述第二鈍化層背離所述摻雜型非晶硅層的表面形成第二電極。

可選的，在所述硅襯底的背面進(jìn)行預(yù)處理形成第一氧化層包括：

利用濕法氧化法，在所述硅襯底的所述背面進(jìn)行預(yù)處理形成所述第一氧化層。

可選的，利用濕法氧化法形成所述第一氧化層時(shí)，藥液為HCl和H₂O₂的混合溶液。

可選的，所述藥液中HCL的體積分?jǐn)?shù)為10％至15％，H₂O₂的體積分?jǐn)?shù)為10％至15％，包括所有端點(diǎn)值。

可選的，在所述硅襯底的背面進(jìn)行預(yù)處理形成第一氧化層包括：

利用臭氧氧化法，在所述硅襯底的所述背面進(jìn)行預(yù)處理形成所述第一氧化層。

可選的，在硅襯底的正面形成擴(kuò)散層之前，還包括：

對(duì)所述硅襯底進(jìn)行制絨處理。

可選的，在所述第一氧化層背離所述硅襯底的表面形成第二氧化層包括：

利用熱氧化法，在所述第一氧化層背離所述硅襯底的表面形成所述第二氧化層。