[發明專利]一種鈍化接觸太陽能電池及其制作方法

在審

• 申請號: 202010022639.5
• 申請日: 2020-01-09
• 公開（公告）號: CN111192930A
• 公開（公告）日: 2020-05-22
• 發明（設計）人: 王東;金井升;熊詩龍
• 申請（專利權）人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 田媛媛

1.一種鈍化接觸太陽能電池制作方法，其特征在于，包括：

在硅襯底的正面形成擴散層；

在所述硅襯底的背面進行預處理形成第一氧化層；

在所述第一氧化層背離所述硅襯底的表面形成第二氧化層；

在所述第二氧化層背離所述第一氧化層的表面形成摻雜型非晶硅層；

在所述擴散層背離所述硅襯底的表面形成第一鈍化層，并在所述摻雜型非晶硅層背離所述第二氧化層的表面形成第二鈍化層；

在所述第一鈍化層背離所述擴散層的表面形成第一電極，并在所述第二鈍化層背離所述摻雜型非晶硅層的表面形成第二電極。

2.如權利要求1所述的鈍化接觸太陽能電池制作方法，其特征在于，在所述硅襯底的背面進行預處理形成第一氧化層包括：

利用濕法氧化法，在所述硅襯底的所述背面進行預處理形成所述第一氧化層。

3.如權利要求2所述的鈍化接觸太陽能電池制作方法，其特征在于，利用濕法氧化法形成所述第一氧化層時，藥液為HCl和H₂O₂的混合溶液。

4.如權利要求3所述的鈍化接觸太陽能電池制作方法，其特征在于，所述藥液中HCL的體積分數為10％至15％，H₂O₂的體積分數為10％至15％，包括所有端點值。

5.如權利要求1所述的鈍化接觸太陽能電池制作方法，其特征在于，在所述硅襯底的背面進行預處理形成第一氧化層包括：

利用臭氧氧化法，在所述硅襯底的所述背面進行預處理形成所述第一氧化層。

6.如權利要求1至5任一項所述的鈍化接觸太陽能電池制作方法，其特征在于，在硅襯底的正面形成擴散層之前，還包括：

對所述硅襯底進行制絨處理。

7.如權利要求6所述的鈍化接觸太陽能電池制作方法，其特征在于，在所述第一氧化層背離所述硅襯底的表面形成第二氧化層包括：

利用熱氧化法，在所述第一氧化層背離所述硅襯底的表面形成所述第二氧化層。

8.一種鈍化接觸太陽能電池，其特征在于，所述鈍化接觸太陽能電池由權利要求1至7任一項所述的鈍化接觸太陽能電池制作方法得到，所述鈍化接觸太陽能電池包括由下至上依次層疊的第二電極、第二鈍化層、摻雜型非晶硅層、第二氧化層、第一氧化層、硅襯底、擴散層、第一鈍化層、第一電極。

9.如權利要求8所述的鈍化接觸太陽能電池，其特征在于，所述第二氧化層的厚度取值范圍為1.2納米至1.5納米，包括端點值。

10.如權利要求9所述的鈍化接觸太陽能電池，其特征在于，所述摻雜型非晶硅層的厚度取值范圍為70納米至200納米，包括端點值。