[發明專利]封裝結構和封裝方法

在審

• 申請號: 202010021547.5
• 申請日: 2020-01-09
• 公開（公告）號: CN111370434A
• 公開（公告）日: 2020-07-03
• 發明（設計）人: 杜鵬;錢孝青;張廷;湯杰夫;喻瓊
• 申請（專利權）人: 蘇州晶方半導體科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 南京利豐知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32256
• 代理人: 于保妹

本發明揭示了一種封裝結構和封裝方法，包括：芯片單元，所述芯片單元的第一表面包括感應區域；遮光層，至少部分遮蓋于芯片單元的非第一表面。本發明通過芯片背面增加黑色有機物或者金屬遮光層，避免紅外光會透光Si層干擾正面感應區域。

技術領域

本發明屬于半導體技術領域，具體涉及一種封裝結構和封裝方法。

背景技術

晶圓級芯片封裝(WaferLevel Chip size Packaging，WLCSP)技術是對整片晶圓進行封裝測試后再切割得到單個成品芯片的技術，封裝后的芯片尺寸與裸片一致。晶圓級芯片封裝技術顛覆了傳統封裝如陶瓷無引線芯片載具 (Ceramic LeadlessChipCarrier)、有機無引線芯片載具(Organic Leadless ChipCarrier)的模式，順應了市場對微電子產品日益輕、小、短、薄化和低價化要求。經晶圓級芯片封裝技術封裝后的芯片達到了高度微型化，芯片成本隨著芯片的減小和晶圓尺寸的增大而顯著降低。晶圓級芯片封裝技術是可以將IC設計、晶圓制造、封裝測試、整合為一體的技術，是當前封裝領域的熱點和發展趨勢。

影像傳感器芯片作為一種可以將光學圖像轉換成電子信號的芯片，其具有感應區域。Si因為在1000-7000nm紅外波段以及遠紅外波段具有較好的透光能力，近紅外光(750-1400nm)、短波長紅外光(1400-3000nm)以及中波長紅外光(3000-8000nm)可以透過Si層。因此在特定光源下，芯片背面的紅外光會透光Si層干擾正面感應區域，造成影響失真。

如何提供一種可以避免紅外光會透光Si層干擾正面感應區域的封裝結構和方法，是一個急需解決的問題。

發明內容

本發明一實施例提供一種封裝結構，用于解決現有技術中紅外光會透光Si 層干擾正面感應區域的問題，包括：

一種封裝結構，包括：

芯片單元，所述芯片單元的第一表面包括感應區域；

遮光層，至少部分遮蓋于芯片單元的非第一表面。

一實施例中，所述遮光層遮蓋于芯片單元的與第一表面相對的第二表面上。

一實施例中，所述遮光層遮蓋于芯片單元的部分或全部側面。

一實施例中，所述遮光層的材質為金屬或黑色有機物。

一實施例中，所述金屬為鋁，所述黑色有機物為黑膠。

一實施例中，封裝結構還包括:

上蓋板，所述上蓋板覆蓋所述芯片單元的第一表面；

支撐結構，位于所述上蓋板和芯片單元之間，且所述感應區域位于所述支撐結構和所述芯片單元的第一表面圍成的空腔之內。

一實施例中，所述芯片單元還包括：

位于所述感應區域外的焊墊；

從所述芯片單元的與第一表面相對的第二表面貫穿所述芯片單元的通孔，所述通孔暴露出所述焊墊；

覆蓋所述芯片單元第二表面和所述通孔側壁表面的絕緣層；

位于所述絕緣層表面且與所述焊墊電連接的金屬層；

位于所述金屬層和所述絕緣層表面的阻焊層，所述阻焊層具有暴露出部分所述金屬層的開孔；

填充所述開孔，并暴露在所述阻焊層表面之外的外接凸起。

一實施例中，所述遮光層上開設有暴露所述外接凸起的窗口。

本發明一實施例還提供一種封裝結構的封裝方法，包括：

提供一晶圓，所述晶圓包括多個陣列排布的芯片單元；