[發明專利]圓片減薄的方法、治具及上蠟裝置在審
| 申請號: | 202010021131.3 | 申請日: | 2020-01-09 |
| 公開(公告)號: | CN111211040A | 公開(公告)日: | 2020-05-29 |
| 發明(設計)人: | 鄒慶龍;張海旭;王亞洲;林肖 | 申請(專利權)人: | 映瑞光電科技(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/67;B24B29/02;B24B7/22 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 虞凌霄 |
| 地址: | 200135 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 圓片減薄 方法 上蠟 裝置 | ||
本發明涉及一種圓片減薄的方法、治具及上蠟裝置。該方法包括:將半導體襯底圓片與襯底片鍵合在一起作為待減薄圓片;將陶瓷盤放置在上蠟裝置的承載臺上,將蠟滴在陶瓷盤上的圓片位置,將待減薄圓片放置在蠟的上方;將外徑小于待減薄圓片的直徑的圓環治具同心放置在待減薄圓片上,將壓片裝置下壓進行待減薄圓片的平整,取出待減薄圓片上放置的治具,對陶瓷盤上的待減薄圓片進行減薄工藝。通過在需要減薄的圓片上同心放置外徑小于待減薄圓片的直徑的圓環治具,將上蠟裝置的壓片裝置下壓進行待減薄圓片的平整,對鍵合后的圓片進行藍寶石霧面減薄后可以得到均勻性較好的減薄圓片,實現了對鍵合圓片的均勻減薄,提高了圓片的良品率,降低了生產成本。
技術領域
本發明涉及光電技術領域,特別是涉及一種圓片減薄的方法、一種上蠟裝置及一種治具。
背景技術
典型的光電二極管(Light Emitting Diode,LED)垂直產品進行厚片鍵合即將藍寶石圓片和硅晶圓通過高溫集合在一起后,需要通過減薄工藝去除藍寶石圓片面的霧面,露出里面透明的藍寶石,技術人員發現在進行藍寶石圓片霧面減薄時無法對鍵合后的圓片進行均勻減薄,減薄后圓片的均勻性很差。
發明內容
基于此,有必要針對上述無法對鍵合后的圓片進行均勻減薄的問題,提供一種新的圓片減薄的方法、一種治具及一種上蠟裝置。
一種圓片減薄的方法,所述方法包括:
將半導體襯底圓片的一面與形成有電致發光結構的襯底片的發光結構面貼合在一起并進行熱處理,從而將所述半導體襯底圓片與所述襯底片鍵合在一起作為待減薄圓片;
將陶瓷盤放置在上蠟裝置的承載臺上;
將蠟滴在所述陶瓷盤上的圓片位置;
將所述待減薄圓片放置在所述蠟的上方,所述待減薄圓片的半導體襯底圓片面與所述蠟接觸;
將治具放置在所述待減薄圓片上,所述治具與所述待減薄圓片同心放置,所述治具為圓環治具,且所述治具的外徑小于所述待減薄圓片的直徑;
將所述上蠟裝置的壓片裝置下壓進行所述待減薄圓片的平整;
將所述上蠟裝置的壓片裝置上升,取出所述待減薄圓片上放置的治具;
對所述陶瓷盤上的待減薄圓片進行減薄工藝。
在其中一個實施例中,將所述上蠟裝置的壓片裝置上升之前還包括:
進行所述陶瓷盤的冷卻;
實時檢測所述陶瓷盤的溫度,直至所述溫度小于等于30攝氏度再將所述上蠟裝置的壓片裝置上升。
在其中一個實施例中,對所述陶瓷盤上的圓片進行減薄工藝包括:
使用減薄砂輪對所述陶瓷盤上的產品進行減薄工藝。
在其中一個實施例中,所述減薄工藝包括粗拋和精拋兩步。
在其中一個實施例中,所述陶瓷盤上的待減薄圓片之間的厚度差小于20微米。
在其中一個實施例中,對所述陶瓷盤上的待減薄圓片進行減薄工藝是用于減薄形成發光二極管垂直圓片。
在其中一個實施例中,所述半導體襯底圓片是硅片,所述襯底片是藍寶石片。
在其中一個實施例中,對所述陶瓷盤上的待減薄圓片進行減薄工藝包括對襯底片進行減薄直至使得襯底片的表面透明;
對所述陶瓷盤上的待減薄圓片進行減薄工藝后還包括步驟:采用激光剝離工藝將所述襯底片從所述半導體襯底圓片剝離,所述電致發光結構被轉移到半導體襯底圓片上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





