[發(fā)明專利]圓片減薄的方法、治具及上蠟裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010021131.3
• 申請日: 2020-01-09
• 公開（公告）號: CN111211040A
• 公開（公告）日: 2020-05-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄒慶龍;張海旭;王亞洲;林肖
• 申請（專利權(quán)）人: 映瑞光電科技（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/67;B24B29/02;B24B7/22
• 代理公司: 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 虞凌霄

1.一種圓片減薄的方法，其特征在于，所述方法包括：

將半導體襯底圓片的一面與形成有電致發(fā)光結(jié)構(gòu)的襯底片的發(fā)光結(jié)構(gòu)面貼合在一起并進行熱處理，從而將所述半導體襯底圓片與所述襯底片鍵合在一起作為待減薄圓片；

將陶瓷盤放置在上蠟裝置的承載臺上；

將蠟滴在所述陶瓷盤上的圓片位置；

將所述待減薄圓片放置在所述蠟的上方，所述待減薄圓片的半導體襯底圓片面與所述蠟接觸；

將治具放置在所述待減薄圓片上，所述治具與所述待減薄圓片同心放置，所述治具為圓環(huán)治具，且所述治具的外徑小于所述待減薄圓片的直徑；

將所述上蠟裝置的壓片裝置下壓進行所述待減薄圓片的平整；

將所述上蠟裝置的壓片裝置上升，取出所述待減薄圓片上放置的治具；

對所述陶瓷盤上的待減薄圓片進行減薄工藝。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述將所述上蠟裝置的壓片裝置上升之前還包括：

進行所述陶瓷盤的冷卻；

實時檢測所述陶瓷盤的溫度，直至所述溫度小于等于30攝氏度再將所述上蠟裝置的壓片裝置上升。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述對所述陶瓷盤上的待減薄圓片進行減薄工藝是用于減薄形成發(fā)光二極管垂直圓片，所述對所述陶瓷盤上的圓片進行減薄工藝包括：

使用減薄砂輪對所述陶瓷盤上的產(chǎn)品進行減薄工藝。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述陶瓷盤上的待減薄圓片之間的厚度差小于20微米。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導體襯底圓片是硅片，所述襯底片是藍寶石片。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述對所述陶瓷盤上的待減薄圓片進行減薄工藝包括對襯底片進行減薄直至使得襯底片的表面透明；

所述對所述陶瓷盤上的待減薄圓片進行減薄工藝后還包括步驟：采用激光剝離工藝將所述襯底片從所述半導體襯底圓片剝離，所述電致發(fā)光結(jié)構(gòu)被轉(zhuǎn)移到半導體襯底圓片上。

7.一種治具,其特征在于，所述治具用于待減薄圓片的減薄工藝，所述治具與上蠟裝置配合使用，所述治具為圓環(huán)治具，所述治具與所述待減薄圓片同心放置，且所述治具的外徑小于所述待減薄圓片的直徑，所述上蠟裝置的壓片裝置下壓所述待減薄圓片上的治具進行所述待減薄圓片的平整。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的治具，其特征在于，所述治具的內(nèi)徑與所述待減薄圓片的直徑的比值等于0.5，且所述治具的外徑與所述待減薄圓片的直徑的比值等于0.75，所述治具的厚度小于等于1毫米，所述治具的厚度的均勻性小于等于2微米。

9.一種上蠟裝置，包括承載臺和壓片裝置，所述承載臺用于放置待減薄圓片，所述壓片裝置可以在所述承載臺上方上下移動，用于下壓平整所述承載臺上的待減薄圓片，其特征在于，所述上蠟裝置包括權(quán)利要求7-8任一項所述的治具，所述治具放置在所述壓片裝置的下方，所述治具用于在所述壓片裝置下壓平整所述待減薄圓片時平整所述圓片。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的上蠟裝置，其特征在于，所述治具安裝在所述壓片裝置的第一表面，所述第一表面是指所述壓片裝置與所述待減薄圓片接觸的表面。