[發(fā)明專利]顯示基板及其制作方法、顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010020931.3 | 申請日: | 2020-01-09 |
| 公開(公告)號: | CN111211243B | 公開(公告)日: | 2022-11-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 宋泳錫;孫宏達(dá);劉威 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;劉偉 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
本發(fā)明提供了一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置,屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域。顯示基板,包括:襯底基板;位于襯底基板上的輔助電極;位于輔助電極遠(yuǎn)離襯底基板一側(cè)的絕緣層;位于絕緣層遠(yuǎn)離襯底基板一側(cè)的導(dǎo)電結(jié)構(gòu),導(dǎo)電結(jié)構(gòu)通過貫穿絕緣層的過孔與輔助電極連接;位于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離襯底基板一側(cè)的底切結(jié)構(gòu),底切結(jié)構(gòu)的側(cè)面形成有凹口,底切結(jié)構(gòu)在襯底基板上的正投影位于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)在襯底基板上的正投影內(nèi);發(fā)光層,發(fā)光層在底切結(jié)構(gòu)的側(cè)面自然斷裂;陰極,陰極在底切結(jié)構(gòu)的側(cè)面自然斷裂,分為位于底切結(jié)構(gòu)上的第一部分和除第一部分外的第二部分,第二部分與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電連接。本發(fā)明能夠降低IRdrop,改善顯示基板的亮度均勻性。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,特別是指一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置。
背景技術(shù)
近年來,有機(jī)發(fā)光二極管(organic light emitting diode,OLED)成為國內(nèi)外非常熱門的新興平面顯示器產(chǎn)品,這是因?yàn)镺LED顯示器具有自發(fā)光、廣視角、短反應(yīng)時(shí)間、高發(fā)光效率、廣色域、低工作電壓、面板薄、可制作大尺寸與可撓曲的面板及制程簡單等特性,而且它還具有低成本的潛力。
隨著時(shí)代及技術(shù)的進(jìn)步,大尺寸、高分辨率的OLED顯示器件逐漸發(fā)展起來,對于頂發(fā)射的OLED顯示器件來說,OLED顯示器件采用透明或半透明的陰極,具有較大的電阻,這樣在陰極上不可避免地會(huì)產(chǎn)生電壓降(IR Drop),進(jìn)而導(dǎo)致整個(gè)顯示器件的顯示亮度不均勻。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置,能夠降低IR drop,改善顯示基板的亮度均勻性。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明的實(shí)施例提供技術(shù)方案如下:
一方面,提供一種顯示基板,包括:
襯底基板;
位于所述襯底基板上的輔助電極;
位于所述輔助電極遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的絕緣層;
位于所述絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的導(dǎo)電結(jié)構(gòu),所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)通過貫穿所述絕緣層的過孔與所述輔助電極連接;
位于所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的底切結(jié)構(gòu),所述底切結(jié)構(gòu)的側(cè)面形成有凹口,所述底切結(jié)構(gòu)在所述襯底基板上的正投影位于所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)在所述襯底基板上的正投影內(nèi);
位于所述底切結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的發(fā)光層,所述發(fā)光層在所述底切結(jié)構(gòu)的側(cè)面自然斷裂;
位于所述發(fā)光層遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的陰極,所述陰極在所述底切結(jié)構(gòu)的側(cè)面自然斷裂,分為位于所述底切結(jié)構(gòu)上的第一部分和除所述第一部分外的第二部分,所述第二部分與所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電連接。
可選地,所述底切結(jié)構(gòu)包括沿遠(yuǎn)離所述襯底基板的方向依次層疊的第一子層和第二子層,所述第一子層在所述襯底基板上的正投影位于所述第二子層在所述襯底基板上的正投影內(nèi)。
可選地,所述顯示基板還包括沿遠(yuǎn)離所述襯底基板的方向依次層疊的平坦層和陽極,所述底切結(jié)構(gòu)在所述襯底基板上的正投影與所述陽極在所述襯底基板上的正投影不重疊,所述底切結(jié)構(gòu)在所述襯底基板上的正投影與所述平坦層在所述襯底基板上的正投影不重疊,
所述第一子層與所述顯示基板的平坦層采用相同的材料;
所述第二子層與所述顯示基板的陽極采用相同的材料。
可選地,所述顯示基板還包括薄膜晶體管,所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與所述薄膜晶體管的源極和漏極采用相同的材料。
可選地,所述輔助電極采用金屬;或
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





