[發明專利]顯示基板及其制作方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 202010020931.3 | 申請日: | 2020-01-09 |
| 公開(公告)號: | CN111211243B | 公開(公告)日: | 2022-11-04 |
| 發明(設計)人: | 宋泳錫;孫宏達;劉威 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;劉偉 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板,其特征在于,包括:
襯底基板;
位于所述襯底基板上的輔助電極;
位于所述輔助電極遠離所述襯底基板一側的絕緣層;
位于所述絕緣層遠離所述襯底基板一側的導電結構,所述導電結構通過貫穿所述絕緣層的過孔與所述輔助電極連接;
位于所述導電結構遠離所述襯底基板一側的底切結構,所述底切結構的側面形成有凹口,所述底切結構在所述襯底基板上的正投影位于所述導電結構在所述襯底基板上的正投影內;
位于所述底切結構遠離所述襯底基板一側的發光層,所述發光層在所述底切結構的側面自然斷裂;
位于所述發光層遠離所述襯底基板一側的陰極,所述陰極在所述底切結構的側面自然斷裂,分為位于所述底切結構上的第一部分和除所述第一部分外的第二部分,所述第二部分與所述導電結構電連接;
所述底切結構包括沿遠離所述襯底基板的方向依次層疊的第一子層和第二子層,所述第一子層在所述襯底基板上的正投影位于所述第二子層在所述襯底基板上的正投影內;
所述顯示基板還包括沿遠離所述襯底基板的方向依次層疊的平坦層和陽極,所述底切結構在所述襯底基板上的正投影與所述陽極在所述襯底基板上的正投影不重疊,所述底切結構在所述襯底基板上的正投影與所述平坦層在所述襯底基板上的正投影不重疊,
所述第一子層與所述顯示基板的平坦層采用相同的材料;
所述第二子層與所述顯示基板的陽極采用相同的材料。
2.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述顯示基板還包括薄膜晶體管,所述導電結構與所述薄膜晶體管的源極和漏極采用相同的材料。
3.根據權利要求1或2所述的顯示基板,其特征在于,所述輔助電極采用金屬;或
所述輔助電極包括沿垂直所述襯底基板的方向依次層疊的第一電極和第二電極,所述第二電極在所述襯底基板上的正投影位于所述第一電極在所述襯底基板上的正投影內,所述第一電極采用透明導電材料,所述第二電極采用金屬。
4.根據權利要求1或2所述的顯示基板,其特征在于,所述底切結構在所述襯底基板上的正投影的外輪廓與所述導電結構在所述襯底基板上的正投影的外輪廓之間的最小距離為0.1~5um。
5.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權利要求1-4中任一項所述的顯示基板。
6.一種顯示基板的制作方法,其特征在于,包括:
在襯底基板上形成輔助電極;
形成覆蓋所述輔助電極的絕緣層,所述絕緣層包括暴露出所述輔助電極的過孔;
形成位于所述絕緣層上的導電結構,所述導電結構通過貫穿所述絕緣層的過孔與所述輔助電極連接;
形成位于所述導電結構上的底切結構,所述底切結構的側面形成有凹口,所述底切結構在所述襯底基板上的正投影位于所述導電結構在所述襯底基板上的正投影內;
形成發光層,所述發光層在所述底切結構的側面自然斷裂;
形成陰極,所述陰極在所述底切結構的側面自然斷裂,分為位于所述底切結構上的第一部分和除所述第一部分外的第二部分,所述第二部分與所述導電結構電連接;
所述顯示基板還包括沿遠離所述襯底基板的方向依次層疊的平坦層和陽極,形成所述底切結構包括:
通過一次構圖工藝形成所述平坦層和第一子層過渡圖形;
通過一次構圖工藝形成所述陽極和第二子層,所述第二子層在所述襯底基板上的正投影位于所述第一子層過渡圖形在所述襯底基板上的正投影內;
以所述第二子層為掩膜,對所述第一子層過渡圖形進行刻蝕,形成第一子層,所述第一子層在所述襯底基板上的正投影位于所述第二子層在所述襯底基板上的正投影內。
7.根據權利要求6所述的顯示基板的制作方法,其特征在于,所述顯示基板還包括薄膜晶體管,形成所述導電結構包括:
通過一次構圖工藝形成所述薄膜晶體管的源極、漏極和所述導電結構。
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