[發明專利]一種顯示面板及其制備方法

在審

• 申請號: 202010020197.0
• 申請日: 2020-01-09
• 公開（公告）號: CN111192908A
• 公開（公告）日: 2020-05-22
• 發明（設計）人: 張偉彬
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 刁文魁

本發明提供一種顯示面板及其制備方法。所述顯示面板包括：襯底層、位于所述襯底層之上的緩沖層、以及位于所述緩沖層之上的有源層。其中，所述有源層由原子晶體單質和原子晶體化合物混合而成，所述原子晶體單質為多晶硅。本發明通過將非晶硅層在進行激光退火晶化形成多晶硅層之前進行原子摻雜，可以使晶化時晶粒更細，降低因晶粒擠壓形成凸起的高度，晶化后形成原子晶體單質和原子晶體化合物的混合層，其粗糙度低，后續制程不易發生破膜、蝕刻不干凈、尖端放電等問題。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種顯示面板及其制備方法。

背景技術

與傳統A-Si(非晶硅)技術相比，LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低溫多晶硅)技術具有更高的載流子遷移率，被廣泛用于中小型尺寸、高分辨率的TFT LCD(ThinFilm Transistor liquid crystal display，薄膜晶體管液晶顯示器)和AMOLED(Active-matrix organic light emitting diode，有源矩陣有機發光二極體)面板的制作。

AMOLED LTPS的結構和電性極其精密，對每層膜的質量要求很高。現有的制程中用化學氣相沉積法先在緩沖層上沉積一層平坦的A-Si層，然后進行激光退火晶化。在激光退火對A-Si晶化過程中，A-Si融化，再結晶，由于是純硅，形核點較少，造成核周圍原子沿著同一形核點長大，相鄰的兩個晶粒在長大過程中相互擠壓形成突起，晶粒越大或晶界相交在一起的個數越多突起越高，表面粗糙度越大，現有制程中未對形成的突起進行平坦化，從而造成后續制程中的破膜，蝕刻不干凈，尖端放電等問題，造成產品良率下降。且晶粒越大，材料易沿著晶界斷裂，材料的各項性能下降。彎折區域的有源層易發生斷裂。故，有必要改善這一缺陷。

發明內容

本發明實施例提供一種顯示面板，用于解決現有技術的顯示面板，其有源層表面粗糙度大，導致后續制程中的破膜，蝕刻不干凈，尖端放電等現象，造成產品良率下降的技術問題。

本發明實施例提供一種顯示面板，包括：襯底層、位于所述襯底層之上的緩沖層、以及位于所述緩沖層之上的有源層。其中，所述有源層由原子晶體單質和原子晶體化合物混合而成，所述原子晶體單質為多晶硅。

進一步的，所述原子晶體化合物為碳化硅。

進一步的，所述有源層內的碳原子的摻雜濃度范圍為10¹³個每平方厘米至10¹⁵個每平方厘米。

進一步的，所述有源層的厚度范圍為11納米至45納米。

進一步的，所述顯示面板為可彎折的柔性顯示面板。

本發明實施例提供一種顯示面板的制備方法，包括步驟：制備襯底層；在所述襯底層上制備緩沖層；在所述緩沖層上制備有源層，其中，所述有源層由原子晶體單質和原子晶體化合物混合而成，所述原子晶體單質為多晶硅。

進一步的，在所述緩沖層上制備有源層的步驟具體包括：在所述緩沖層上沉積非晶硅層；在所述非晶硅層上摻雜碳原子；將所述顯示面板進行激光退火晶化，形成多晶硅和碳化硅混合的有源層。

進一步的，在所述非晶硅層上摻雜碳原子的步驟具體包括：使用離子植入機電離烷烴化合物氣體，得到碳離子；將所述碳離子植入所述非晶硅層。

進一步的，在所述緩沖層上制備有源層的步驟具體包括：在所述緩沖層上沉積非晶硅層的同時摻雜碳原子；將所述顯示面板進行激光退火晶化，形成多晶硅和碳化硅混合的有源層。

進一步的，在所述緩沖層上沉積非晶硅層的同時摻雜碳原子的步驟具體包括：使用化學氣相沉積法在所述緩沖層上制備非晶硅層的同時，通入烷烴化合物氣體反應生成碳化硅。