[發(fā)明專利]一種顯示面板及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010020197.0
• 申請(qǐng)日: 2020-01-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111192908A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-05-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張偉彬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/32
• 分類號(hào): H01L27/32
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 刁文魁

1.一種顯示面板，其特征在于，包括：

襯底層；

緩沖層，所述緩沖層位于所述襯底層之上；

有源層，所述有源層位于所述緩沖層之上；

其中，所述有源層由原子晶體單質(zhì)和原子晶體化合物混合而成，所述原子晶體單質(zhì)為多晶硅。

2.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述原子晶體化合物為碳化硅。

3.如權(quán)利要求2所述的顯示面板，其特征在于，所述有源層內(nèi)的碳原子的摻雜濃度范圍為10¹³個(gè)每平方厘米至10¹⁵個(gè)每平方厘米。

4.如權(quán)利要求3所述的顯示面板，其特征在于，所述有源層的厚度范圍為11納米至45納米。

5.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述顯示面板為可彎折的柔性顯示面板。

6.一種顯示面板的制備方法，其特征在于，包括步驟：

制備襯底層；

在所述襯底層上制備緩沖層；

在所述緩沖層上制備有源層，其中，所述有源層由原子晶體單質(zhì)和原子晶體化合物混合而成，所述原子晶體單質(zhì)為多晶硅。

7.如權(quán)利要求6所述的顯示面板的制備方法，其特征在于，在所述緩沖層上制備有源層的步驟具體包括：

在所述緩沖層上沉積非晶硅層；

在所述非晶硅層上摻雜碳原子；

將所述顯示面板進(jìn)行激光退火晶化，形成多晶硅和碳化硅混合的有源層。

8.如權(quán)利要求7所述的顯示面板的制備方法，其特征在于，在所述非晶硅層上摻雜碳原子的步驟具體包括：

使用離子植入機(jī)電離烷烴化合物氣體，得到碳離子；

將所述碳離子植入所述非晶硅層。

9.如權(quán)利要求6所述的顯示面板的制備方法，其特征在于，在所述緩沖層上制備有源層的步驟具體包括：

在所述緩沖層上沉積非晶硅層的同時(shí)摻雜碳原子；

將所述顯示面板進(jìn)行激光退火晶化，形成多晶硅和碳化硅混合的有源層。

10.如權(quán)利要求9所述的顯示面板的制備方法，其特征在于，在所述緩沖層上沉積非晶硅層的同時(shí)摻雜碳原子的步驟具體包括：

使用化學(xué)氣相沉積法在所述緩沖層上制備非晶硅層的同時(shí)，通入烷烴化合物氣體反應(yīng)生成碳化硅。