[發(fā)明專利]陣列基板及其制作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010018793.5
• 申請(qǐng)日: 2020-01-08
• 公開（公告）號(hào): CN111106063A
• 公開（公告）日: 2020-05-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 雍瑋娜
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: TCL華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/77
• 分類號(hào): H01L21/77;H01L27/12;G03F1/32
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 刁文魁

本發(fā)明提供一種陣列基板及其制作方法，陣列基板的制作方法通過采用多段式掩膜板對(duì)位于源漏極金屬層上的光刻膠層進(jìn)行曝光顯影，以使對(duì)應(yīng)顯示區(qū)的第一薄膜晶體管溝道區(qū)域的剩余光刻膠層的厚度等于對(duì)應(yīng)GOA區(qū)的第二薄膜晶體管溝道區(qū)域的剩余光刻膠層的厚度，從而經(jīng)過灰化處理后完全去除光刻膠層，使得后續(xù)第一薄膜晶體管溝道區(qū)域和第二薄膜晶體管溝道區(qū)域能夠刻蝕完全，避免第一薄膜晶體管的源漏極、以及第二薄膜晶體管源漏極之間出現(xiàn)短路情況發(fā)生，從而彌補(bǔ)因顯示區(qū)和GOA區(qū)薄膜晶體管密度差異等原因造成的顯影液作用效率不同的缺陷。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法。

背景技術(shù)

薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)的發(fā)展趨勢(shì)為超窄邊框、超低成本以及提升良率，為了實(shí)現(xiàn)這樣的目的，引入陣列基板行驅(qū)動(dòng)技術(shù)(Gate driver On Array，GOA)技術(shù)，即直接將柵極驅(qū)動(dòng)電路制作在陣列基板上，來代替外接驅(qū)動(dòng)芯片。

在GOA產(chǎn)品中，除了在陣列基板顯示區(qū)設(shè)置有薄膜晶體管以外，位于陣列基板外圍GOA區(qū)也存在大量的薄膜晶體管，即陣列基板存在至少兩種類型的薄膜晶體管。而在實(shí)際的生產(chǎn)過程中，由于顯示區(qū)和GOA區(qū)的薄膜晶體管密度的差異，導(dǎo)致顯影液的作用速率存在差異，具體表現(xiàn)為，顯示區(qū)所占面積大，薄膜晶體管密度小，顯影速率則較快；而GOA區(qū)所占面積小，薄膜晶體管密度較大，顯影速率則較慢，從而使得陣列基板在曝光顯影后，顯示區(qū)和GOA區(qū)殘留的光刻膠具有厚度段差，可能造成GOA區(qū)薄膜晶體管溝道區(qū)域未刻蝕完全以至于源極和漏極發(fā)生短路，而顯示區(qū)薄膜晶體管溝道區(qū)域也無法達(dá)到期望的設(shè)計(jì)長(zhǎng)度。

綜上所述，需要提供一種新的陣列基板及其制作方法來解決上述技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供的陣列基板及其制作方法，解決了現(xiàn)有的陣列基板由于位于顯示區(qū)和GOA區(qū)的薄膜晶體管的密度不同，導(dǎo)致顯影液在顯示區(qū)和GOA區(qū)作用速率不同，進(jìn)而導(dǎo)致GOA區(qū)薄膜晶體管溝道區(qū)域未刻蝕完全，而引起源極和漏極短路的技術(shù)問題。

為解決上述問題，本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下：

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板的制作方法，包括以下步驟：

S10：提供襯底基板，所述襯底基板包括顯示區(qū)和GOA區(qū)，在所述襯底基板上依次形成柵極、柵絕緣層、有源層以及源漏極金屬層；

S20：在所述源漏極金屬層上形成光刻膠層；

S30：采用掩膜板對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行曝光顯影，以使對(duì)應(yīng)所述顯示區(qū)的第一薄膜晶體管溝道區(qū)域剩余所述光刻膠層的厚度等于對(duì)應(yīng)所述GOA區(qū)的第二薄膜晶體管溝道區(qū)域剩余所述光刻膠層的厚度；

S40：對(duì)剩余所述光刻膠層進(jìn)行灰化處理，完全去除對(duì)應(yīng)位于所述顯示區(qū)的所述第一薄膜晶體管溝道區(qū)域和對(duì)應(yīng)位于所述GOA區(qū)的所述第二薄膜晶體管溝道區(qū)域的所述光刻膠層；以及

S50：對(duì)對(duì)應(yīng)所述顯示區(qū)和所述GOA區(qū)域的所述源漏極金屬層進(jìn)行刻蝕處理，以在所述顯示區(qū)形成所述第一薄膜晶體管的源漏極和溝道區(qū)域，在所述GOA區(qū)形成所述第二薄膜晶體管的源漏極和溝道區(qū)域。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法，位于所述顯示區(qū)的所述第一薄膜晶體管的密度小于位于所述GOA區(qū)的所述第二薄膜晶體管的密度。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法，所述光刻膠層為正性光刻膠層，所述掩膜板對(duì)應(yīng)所述GOA區(qū)的透光率小于所述掩膜板對(duì)應(yīng)所述顯示區(qū)的透光率。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法，所述掩膜板對(duì)應(yīng)所述顯示區(qū)的透光率為所述掩膜板對(duì)應(yīng)所述GOA區(qū)的透光率的20％～60％。