[發明專利]陣列基板及其制作方法

在審

• 申請號: 202010018793.5
• 申請日: 2020-01-08
• 公開（公告）號: CN111106063A
• 公開（公告）日: 2020-05-05
• 發明（設計）人: 雍瑋娜
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;G03F1/32
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 刁文魁

1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

S10：提供襯底基板，所述襯底基板包括顯示區和GOA區，在所述襯底基板上依次形成柵極、柵絕緣層、有源層以及源漏極金屬層；

S20：在所述源漏極金屬層上形成光刻膠層；

S30：采用掩膜板對所述光刻膠層進行曝光顯影，以使對應所述顯示區的第一薄膜晶體管溝道區域剩余所述光刻膠層的厚度等于對應所述GOA區的第二薄膜晶體管溝道區域剩余所述光刻膠層的厚度；

S40：對剩余所述光刻膠層進行灰化處理，完全去除對應位于所述顯示區的所述第一薄膜晶體管溝道區域和對應位于所述GOA區的所述第二薄膜晶體管溝道區域的所述光刻膠層；以及

S50：對對應所述顯示區和所述GOA區域的所述源漏極金屬層進行刻蝕處理，以在所述顯示區形成所述第一薄膜晶體管的源漏極和溝道區域，在所述GOA區形成所述第二薄膜晶體管的源漏極和溝道區域。

2.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，位于所述顯示區的所述第一薄膜晶體管的密度小于位于所述GOA區的所述第二薄膜晶體管的密度。

3.根據權利要求2所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述光刻膠層為正性光刻膠層，所述掩膜板對應所述GOA區的透光率小于所述掩膜板對應所述顯示區的透光率。

4.根據權利要求3所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述掩膜板對應所述顯示區的透光率為所述掩膜板對應所述GOA區的透光率的20％～60％。

5.根據權利要求4所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述掩膜板對應所述顯示區的厚度大于所述掩膜板對應所述GOA區的厚度。

6.根據權利要求2所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第一薄膜晶體管溝道區域的長度等于所述第二薄膜晶體管溝道區域的長度，每相鄰兩個所述第一薄膜晶體管之間的距離大于每相鄰兩個所述第二薄膜晶體管之間的距離。

7.根據權利要求2所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第一薄膜晶體管溝道區域的長度大于所述第二薄膜晶體管溝道區域的長度，每相鄰兩個所述第一薄膜晶體管之間的距離等于每相鄰兩個所述第二薄膜晶體管之間的距離。

8.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述掩膜板為半色調掩膜板或灰階掩膜板或兩者的組合。

9.一種陣列基板，其特征在于，包括：

襯底基板，包括顯示區和GOA區；

第一薄膜晶體管，設置于所述襯底基板上的所述顯示區，所述第一薄膜晶體管包括第一柵極、所述柵絕緣層、所述有源層以及位于所述有源層上的源漏極和溝道區域；以及

第二薄膜晶體管，設置于所述襯底基板上的所述GOA區，所述第二薄膜晶體管包括位于第二柵極、所述柵絕緣層、所述有源層以及位于所述有源層上的源漏極和溝道區域；

其中，所述第一薄膜晶體管溝道區域在垂直于所述襯底基板上表面的方向的深度與所述第二薄膜晶體管溝道區域在垂直于所述襯底基板上表面的方向的深度相等。

10.根據權利要求9所述的陣列基板，其特征在于，位于所述顯示區的所述第一薄膜晶體管的密度小于位于所述GOA區的所述第二薄膜晶體管的密度。