[發(fā)明專(zhuān)利]用于相對(duì)于較少摻雜二氧化硅選擇性移除較多摻雜二氧化硅的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010018771.9
• 申請(qǐng)日: 2020-01-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111834215A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-10-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: J·A·伊莫尼吉;R·I·文卡塔納拉亞南;P·P·夏爾馬;E·E·克龍;S·薩普拉
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/311
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/311;H01L49/02;C09K13/08
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 王龍

本申請(qǐng)案涉及用于相對(duì)于較少摻雜二氧化硅選擇性移除較多摻雜二氧化硅的方法。一些實(shí)施例包含一種形成具有第一含二氧化硅材料和第二含二氧化硅材料的組合件的方法。所述第一含二氧化硅材料在其中具有比所述第二含二氧化硅材料更高濃度的摻雜劑。使用包含氫氟酸、第二酸和有機(jī)溶劑的混合物相對(duì)于所述第二含二氧化硅材料選擇性地移除所述第一含二氧化硅材料。所述有機(jī)溶劑可包含至少一種酯及/或至少一種乙醚。所述第二酸可具有小于約5的pKa。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及用于相對(duì)于較少摻雜二氧化硅選擇性移除較多摻雜二氧化硅的方法。

背景技術(shù)

電容器在前代集成電路制造中不斷具有增大的高寬比。例如，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)電容器可具有從1微米到3微米的高度和小于或等于約0.1微米的寬度。

常見(jiàn)類(lèi)型的電容器是所謂的容器裝置。此裝置的存儲(chǔ)電極經(jīng)塑形為容器。電介質(zhì)材料及另一電容器電極可形成于容器內(nèi)及/或沿著容器的外邊緣形成，此可形成具有高電容和小占用面積的電容器。

容器形狀的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)變得越來(lái)越高且越來(lái)越窄(即，形成為更高的高寬比)以努力達(dá)成預(yù)期等級(jí)的電容，同時(shí)降低由個(gè)別電容器耗費(fèi)的半導(dǎo)體面積的量。不幸的是，高高寬比容器狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)可在結(jié)構(gòu)上較弱；且可面臨從下層基底開(kāi)始傾倒、扭轉(zhuǎn)及/或斷裂。

經(jīng)開(kāi)發(fā)以避免高高寬比容器傾倒的實(shí)例方法是所謂的晶格方法，如在例如美國(guó)專(zhuān)利第7,713,813號(hào)、第7,125,781號(hào)和第7,387,939號(hào)中描述；將所有所述美國(guó)專(zhuān)利指派給美光科技公司(Micron Technology,Inc)。在此方法中，提供晶格以固持容器狀電極以防傾倒，同時(shí)使容器狀電極的外表面保持暴露以用作電容器的電容表面。

高高寬比電容器可形成在高高寬比開(kāi)口中。歸因于例如沿著開(kāi)口的底部逐漸變窄，可難以形成高高寬比開(kāi)口。將期望發(fā)展適用于蝕刻高寬高比開(kāi)口的新的方法，及使此類(lèi)新的方法可應(yīng)用到與制造高高寬比電容器相關(guān)聯(lián)的技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容

在本發(fā)明的一個(gè)方面中，提供一種方法。所述方法包括：提供具有第一含二氧化硅材料和第二含二氧化硅材料的組合件；所述第一含二氧化硅材料在其中具有比所述第二含二氧化硅材料更高濃度的摻雜劑；及使用包括氫氟酸、第二酸和包括選自由酯、乙醚和其混合物組成的群組的一或多種有機(jī)物質(zhì)的溶劑的混合物相對(duì)于所述第二含二氧化硅材料選擇性地蝕刻所述第一含二氧化硅材料；所述第二酸具有小于約5的pKa。

在本發(fā)明的另一方面中，提供一種形成集成組合件的方法。所述方法包括：提供包括在第二含二氧化硅材料下方的第一含二氧化硅材料的構(gòu)造；所述第一含二氧化硅材料相較于所述第二含二氧化硅材料用磷、硼和砷中的一或多者更重?fù)诫s；蝕刻到所述第一和第二含二氧化硅材料中以形成開(kāi)口，所述開(kāi)口具有沿著所述第一含二氧化硅材料的錐形側(cè)壁；及使用相對(duì)于所述第二含二氧化硅材料對(duì)于所述第一含二氧化硅材料是選擇性的蝕刻校直所述錐形側(cè)壁；所述蝕刻使用包括氫氟酸、第二酸和有機(jī)溶劑的混合物；所述第二酸具有小于約5的pKa。