[發明專利]用于相對于較少摻雜二氧化硅選擇性移除較多摻雜二氧化硅的方法

在審

• 申請號: 202010018771.9
• 申請日: 2020-01-08
• 公開（公告）號: CN111834215A
• 公開（公告）日: 2020-10-27
• 發明（設計）人: J·A·伊莫尼吉;R·I·文卡塔納拉亞南;P·P·夏爾馬;E·E·克龍;S·薩普拉
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L49/02;C09K13/08
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種方法，其包括：

提供具有第一含二氧化硅材料和第二含二氧化硅材料的組合件；所述第一含二氧化硅材料在其中具有比所述第二含二氧化硅材料更高濃度的摻雜劑；及

使用包括氫氟酸、第二酸和包括選自由酯、乙醚和其混合物組成的群組的一或多種有機物質的溶劑的混合物相對于所述第二含二氧化硅材料選擇性地蝕刻所述第一含二氧化硅材料；所述第二酸具有小于約5的pKa。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一和第二含二氧化硅材料彼此相鄰，且包括其中所述第二含二氧化硅材料連結到所述第一含二氧化硅材料的突變界面。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一和第二含二氧化硅材料彼此相鄰，且包括所述摻雜劑的濃度從所述第二含二氧化硅材料到所述第一含二氧化硅材料的梯度。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一和第二含二氧化硅材料彼此并不直接接觸。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述混合物包含：

濃度在從約0.5vol％到約10vol％的范圍內的所述氫氟酸；

濃度在從約40vol％到約99vol％的范圍內的所述一或多種有機物質；及

濃度在從約0.5vol％到約50vol％的范圍內的所述第二酸。

6.根據權利要求5所述的方法，其中所述混合物進一步包含不大于約10vol％的濃度的水。

7.根據權利要求5所述的方法，其中：

所述第二酸的所述濃度在從約0.5vol％到約10vol％的范圍內；及

所述一或多種有機物質的所述濃度在從約80vol％到約99vol％的范圍內。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述摻雜劑包含硼、磷和砷中的一或多者。

9.根據權利要求8所述的方法，其中所述第一含二氧化硅材料內的所述摻雜劑的所述濃度在從約0.5wt％到約10wt％的范圍內；且其中所述第二含二氧化硅材料內的所述摻雜劑的所述濃度在從約0wt％到約1wt％的范圍內。

10.根據權利要求1所述的方法，其中所述摻雜劑包含硼和磷。

11.根據權利要求10所述的方法，其中所述第一含二氧化硅材料內的所述摻雜劑的所述濃度在從約0.5wt％到約10wt％的范圍內；且其中所述第二含二氧化硅材料內的所述摻雜劑的所述濃度在從約0wt％到約1wt％的范圍內。

12.根據權利要求1所述的方法，其中所述第二酸的所述pKa小于0。

13.根據權利要求1所述的方法，其中所述第二酸的所述pKa小于-2。

14.根據權利要求1所述的方法，其中所述第二酸包含一或多種含羧酸組合物。

15.根據權利要求1所述的方法，其中所述第二酸包含一或多種無機酸。

16.根據權利要求1所述的方法，其中所述第二酸包含醋酸、苯甲酸、甲酸、氯乙酸、二氯乙酸、草酸、氟乙酸、二氟乙酸、三氟乙酸和三氯乙酸中的一或多者。