[發明專利]儲存單元

有效

• 申請號: 202010018464.0
• 申請日: 2020-01-08
• 公開（公告）號: CN111435603B
• 公開（公告）日: 2022-04-05
• 發明（設計）人: 孫文堂;徐清祥
• 申請（專利權）人: 力旺電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/04
• 分類號: G11C16/04;G11C16/10;G11C16/26;G11C16/30
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

本發明公開了一種儲存單元包括選擇電路、第一儲存晶體管及第二儲存晶體管。選擇電路耦接于源極線及共同節點，選擇電路可被導通以建立源極線及共同節點之間的電性連接，及被截止以阻斷電性連接。第一儲存晶體管的第一端耦接于共同節點，第一儲存晶體管的第二端耦接于第一位線，而第一儲存晶體管的控制端耦接于控制線。第二儲存晶體管的第一端耦接于共同節點，第二儲存晶體管的第二端耦接于第二位線，而第二儲存晶體管的控制端耦接于控制線。第一儲存晶體管及第二儲存晶體管是二維的電荷捕捉裝置或三維的電荷捕捉裝置。

技術領域

本發明是有關于一種儲存單元，特別是指一種包括二維電荷捕捉裝置或三維電荷捕捉裝置的儲存單元。

背景技術

隨著電子裝置的應用領域越來越廣，電子裝置內部及電子裝置之間數據通訊安全也受到越來越高的重視。由于芯片和電子裝置的逆向工程變得自動化，且旁通道攻擊的能力越來越強，成本也變得越來越能夠負擔，因此要能夠保護電子裝置不受到未授權者存取也變得益加困難。

在先前技術中，物理不可克隆函數(physical unclonable function，PUF)電路可以利用其原生的特性產生隨機數作為密鑰，以保護系統免于物理攻擊。舉例來說，靜態隨機存取內存(static random access memory，SRAM)中的閂鎖器在沒有輸入信號的情況下，會根據其初始的電性分布而進入特定的穩態，由于其初始的電性分布無法預測也無法控制，因此可以用來實作物理不可克隆函數電路以產生隨機數。然而，由于靜態隨機存取內存的閂鎖器所儲存的隨機數是揮發性(volatile)的，因此每當電源被重置(reset)時，原先儲存的隨機數就會被抹除而必需重新產生。

發明內容

本發明的一實施例提供一種儲存單元，儲存單元包括選擇電路、第一儲存晶體管及第二儲存晶體管。

選擇電路耦接于源極線及共同節點，選擇電路被導通時會建立源極線及共同節點之間的電性連接，而選擇電路被截止時則會阻斷其電性連接。第一儲存晶體管具有第一端、第二端及控制端，第一儲存晶體管的第一端耦接于共同節點，第一儲存晶體管的第二端耦接于第一位線，而第一儲存晶體管的控制端耦接于控制線。第二儲存晶體管具有第一端、第二端及控制端，第二儲存晶體管的第一端耦接于共同節點，第二儲存晶體管的第二端耦接于第二位線，而第二儲存晶體管的控制端耦接于控制線。

第一儲存晶體管及第二儲存晶體管是二維的電荷捕捉裝置或三維的電荷捕捉裝置。

本發明的另一實施例提供一種操作儲存單元的方法。儲存單元包括選擇電路、第一儲存晶體管及第二儲存晶體管，選擇電路耦接于源極線及共同節點。第一儲存晶體管具有第一端、第二端及控制端，第一儲存晶體管的第一端耦接于共同節點，第一儲存晶體管的第二端耦接于第一位線，而第一儲存晶體管的控制端耦接于控制線。第二儲存晶體管具有第一端、第二端及控制端，第二儲存晶體管的第一端耦接于共同節點，第二儲存晶體管的第二端耦接于第二位線，而第二儲存晶體管的控制端耦接于控制線。

操作儲存單元的方法方法包括在注冊操作中，執行第一寫入程序，執行第一讀取程序以判斷在第一寫入程序后，第一位線的讀取電流或第二位線的讀取電流是否達到默認值，及根據第一讀取程序的結果執行第二寫入程序。

第一儲存晶體管及第二儲存晶體管是二維的電荷捕捉裝置或三維的電荷捕捉裝置。

附圖說明

圖1是本發明一實施例的儲存單元的示意圖。

圖2是本發明一實施例的在操作圖1的儲存單元以進行注冊操作的方法流程圖。

圖3是應用圖2的方法時，儲存單元所接收到的電壓示意圖。

圖4是本發明一實施例的圖1的儲存單元的布局設計圖。

圖5是本發明另一實施例的圖1的儲存單元的布局設計圖。

圖6是本發明另一實施例的儲存單元的示意圖。