[發(fā)明專利]儲存單元

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010018464.0
• 申請日: 2020-01-08
• 公開（公告）號: CN111435603B
• 公開（公告）日: 2022-04-05
• 發(fā)明（設計）人: 孫文堂;徐清祥
• 申請（專利權）人: 力旺電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/04
• 分類號: G11C16/04;G11C16/10;G11C16/26;G11C16/30
• 代理公司: 深圳新創(chuàng)友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

1.一種儲存單元，其特征在于，包括：

選擇電路，耦接于源極線及共同節(jié)點，及用以被導通以建立所述源極線及所述共同節(jié)點之間的電性連接，及被截止以阻斷所述電性連接；

第一儲存晶體管，具有耦接于所述共同節(jié)點的第一端，耦接于第一位線的第二端，及耦接于控制線的控制端；及

第二儲存晶體管，具有耦接于所述共同節(jié)點的第一端，耦接于第二位線的第二端，及耦接于所述控制線的控制端；

其中所述第一儲存晶體管及所述第二儲存晶體管是二維的電荷捕捉裝置或三維的電荷捕捉裝置；及

其中，在注冊操作的第一寫入程序中：

所述源極線是在源極電壓；

所述選擇電路被導通；

所述第一位線及所述第二位線是在參考電壓；

所述控制線是在控制電壓；及

所述控制電壓大于或等于所述源極電壓，且所述源極電壓大于所述參考電壓。

2.如權利要求1所述的儲存單元，其特征在于在所述注冊操作的所述第一寫入程序之后，在所述注冊操作的第一讀取程序中：

所述第一位線及所述第二位線是在第一讀取電壓；

所述源極線是在大于所述第一讀取電壓的第二讀取電壓；

所述選擇電路被導通；及

所述控制線是在大于所述第二讀取電壓的第三讀取電壓。

3.如權利要求2所述的儲存單元，其特征在于：

當所述第一位線的讀取電流或所述第二位線的讀取電流在所述第一讀取程序中達到默認值時，使所述控制電壓提升，并使所述源極電壓降低或保持不變以執(zhí)行所述注冊操作的第二寫入程序。

4.如權利要求2所述的儲存單元，其特征在于：

當所述第一位線的讀取電流或所述第二位線的讀取電流在所述第一讀取程序中未達到默認值時，使所述控制電壓降低以執(zhí)行所述注冊操作的第二寫入程序。

5.如權利要求2所述的儲存單元，其特征在于：

當所述第一位線的讀取電流或所述第二位線的讀取電流在所述第一讀取程序中未達到默認值，且已執(zhí)行過預定次數(shù)的寫入程序時，使所述源極電壓及所述控制電壓提升以執(zhí)行所述注冊操作的第二寫入程序。

6.如權利要求1所述的儲存單元，其特征在于在讀取操作中：

所述第一位線及所述第二位線是在第一讀取電壓；

所述源極線是在大于所述第一讀取電壓的第二讀取電壓；

所述選擇電路被導通；及

所述控制線是在大于所述第二讀取電壓的第三讀取電壓。

7.如權利要求1所述的儲存單元，其特征在于在清除操作中：

所述源極線、所述第一位線及所述第二位線是在第一清除電壓；

所述選擇電路被導通；及

所述控制線是在小于所述第一清除電壓的第二清除電壓。

8.如權利要求1所述的儲存單元，其特征在于在所述選擇電路包括：

第一選擇晶體管，具有耦接于所述共同節(jié)點的第一端，耦接于所述源極線的第二端，及用以接收選擇信號的控制端。

9.如權利要求8所述的儲存單元，其特征在于在所述第一選擇晶體管的所述第一端、所述第一儲存晶體管的所述第一端、及所述第二儲存晶體管的所述第一端是經由氧化擴散層耦接至所述共同節(jié)點。

10.如權利要求9所述的儲存單元，其特征在于在所述第一選擇晶體管的信道寬度小于所述第一儲存晶體管的信道寬度與所述第二儲存晶體管的信道寬度的和。

11.如權利要求1所述的儲存單元，其特征在于所述選擇電路包括：

第一選擇晶體管，具有耦接于所述共同節(jié)點及所述第一儲存晶體管所述第一端的第一端，耦接于所述源極線的第二端，及用以接收選擇信號的控制端；及

第二選擇晶體管，具有耦接于所述共同節(jié)點及所述第二儲存晶體管所述第一端的第一端，耦接于所述源極線的第二端，及用以接收所述選擇信號的控制端。