[發明專利]形成集成組合件的方法

在審

• 申請號: 202010018254.1
• 申請日: 2020-01-08
• 公開（公告）號: CN111668161A
• 公開（公告）日: 2020-09-15
• 發明（設計）人: D·C·潘迪;K·M·卡爾達;劉海濤
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L27/108
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

本申請涉及形成集成組合件的方法。一些實施例包含一種形成集成組合件的方法。在構造之上形成導電塊。所述導電塊中的每個導電塊位于包含一對存儲元件接觸區域和一個數位線接觸區域的組之上。所述導電塊中的每個導電塊被第一絕緣材料完全側向包圍。移除所述導電塊的中心區域，以將所述導電塊中的每個導電塊分成位于所述存儲元件接觸區域中的一個存儲元件接觸區域之上的第一導電部分和位于所述存儲元件接觸區域中的另一個存儲元件接觸區域之上的第二導電部分。在所述第一導電部分與所述第二導電部分之間形成第二絕緣材料。將數位線與所述數位線接觸區域耦合，并且將存儲元件與所述存儲元件接觸區域耦合。

技術領域

本發明涉及形成集成組合件的方法。

背景技術

存儲器是一種類型的集成電路系統并且在計算機系統中用于存儲數據。示例存儲器是DRAM(動態隨機存取存儲器)。DRAM單元可以各自包括晶體管與電容器的組合。DRAM單元可以布置成陣列；其中字線沿陣列的行延伸，并且其中數位線沿陣列的列延伸。字線可以與存儲器單元的晶體管耦合。可以通過字線之一與數位線之一的組合對每個存儲器單元進行唯一尋址。

集成電路制造的持續目標是實現愈來愈高的集成水平，并且相關目標是將電路組件封裝成愈加緊密的布置。使用常規制造工藝實現更緊密的存儲器封裝配置變得日益困難。因此，期望開發新的制造工藝。

發明內容

根據本申請的一方面，提供了一種形成集成組合件的方法。所述方法包括：提供具有有源區域柱的構造；所述有源區域柱中的每個有源區域柱具有細分為三個接觸區域的上部部分；所述三個接觸區域為兩個存儲元件接觸區域和一個數位線接觸區域；在所述構造之上形成導電塊；所述導電塊中的每個導電塊位于由所述接觸區域中的三個接觸區域構成的組之上；每組包含一對所述存儲元件接觸區域和所述數位線接觸區域中位于所述一對所述存儲元件接觸區域之間的一個數位線接觸區域；所述接觸區域中屬于每組的所述三個接觸區域與彼此相對不同的有源區域柱相關聯；所述導電塊中的每個導電塊被第一絕緣材料完全側向包圍；移除所述導電塊的中心區域，以將所述導電塊中的每個導電塊分成位于所述存儲元件接觸區域中的一個存儲元件接觸區域之上的第一導電部分和位于所述存儲元件接觸區域中的另一個存儲元件接觸區域之上的第二導電部分；在所述第一導電部分與所述第二導電部分之間形成第二絕緣材料；形成延伸穿過所述第二絕緣材料以與所述數位線接觸區域耦合的數位線互連件；形成與所述數位線互連件耦合的數位線；以及形成通過所述第一導電部分和所述第二導電部分與存儲元件接觸區域耦合的存儲元件。

根據本申請的另一方面，提供了一種形成集成組合件的方法。所述方法包括：提供具有有源區域柱的構造；所述有源區域柱中的每個有源區域柱具有細分為三個接觸區域的上部部分；所述三個接觸區域為兩個存儲元件接觸區域和一個數位線接觸區域；在所述構造之上形成沿第一方向延伸的第一軌道；所述第一軌道被中間間隙彼此間隔開；所述第一軌道包括第一絕緣材料；在所述中間間隙內形成與所述存儲元件接觸區域和所述數位線接觸區域耦合的導電材料；所述導電材料形成第二軌道，所述第二軌道沿與所述第一方向正交的第二方向與所述第一軌道交替；使所述第二軌道圖案化成間隔開的導電塊；所述導電塊中的每個導電塊位于由所述接觸區域中的三個接觸區域構成的組之上；每組包含一對所述存儲元件接觸區域和所述數位線接觸區域中位于所述一對所述存儲元件接觸區域之間的一個數位線接觸區域；所述導電塊中的每個導電塊具有第一端部區域、第二端部區域和位于所述第一端部區域與所述第二端部區域之間的中心區域；在所述間隔開的導電塊之間的空間中形成第二絕緣材料；使用第三絕緣材料代替所述導電塊的所述中心區域；形成延伸穿過所述第三絕緣材料以與所述數位線接觸區域耦合的數位線互連件；形成沿所述第二方向延伸并且與所述數位線互連件耦合的數位線；以及將存儲元件與所述導電塊中的每個導電塊的所述第一端部區域和所述第二端部區域耦合。