[發(fā)明專利]形成集成組合件的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010018254.1
• 申請(qǐng)日: 2020-01-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111668161A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-09-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: D·C·潘迪;K·M·卡爾達(dá);劉海濤
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號(hào): H01L21/8242
• 分類號(hào): H01L21/8242;H01L27/108
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種形成集成組合件的方法，其包括：

提供具有有源區(qū)域柱的構(gòu)造；所述有源區(qū)域柱中的每個(gè)有源區(qū)域柱具有細(xì)分為三個(gè)接觸區(qū)域的上部部分；所述三個(gè)接觸區(qū)域?yàn)閮蓚€(gè)存儲(chǔ)元件接觸區(qū)域和一個(gè)數(shù)位線接觸區(qū)域；

在所述構(gòu)造之上形成導(dǎo)電塊；所述導(dǎo)電塊中的每個(gè)導(dǎo)電塊位于由所述接觸區(qū)域中的三個(gè)接觸區(qū)域構(gòu)成的組之上；每組包含一對(duì)所述存儲(chǔ)元件接觸區(qū)域和所述數(shù)位線接觸區(qū)域中位于所述一對(duì)所述存儲(chǔ)元件接觸區(qū)域之間的一個(gè)數(shù)位線接觸區(qū)域；所述接觸區(qū)域中屬于每組的所述三個(gè)接觸區(qū)域與彼此相對(duì)不同的有源區(qū)域柱相關(guān)聯(lián)；所述導(dǎo)電塊中的每個(gè)導(dǎo)電塊被第一絕緣材料完全側(cè)向包圍；

移除所述導(dǎo)電塊的中心區(qū)域，以將所述導(dǎo)電塊中的每個(gè)導(dǎo)電塊分成位于所述存儲(chǔ)元件接觸區(qū)域中的一個(gè)存儲(chǔ)元件接觸區(qū)域之上的第一導(dǎo)電部分和位于所述存儲(chǔ)元件接觸區(qū)域中的另一個(gè)存儲(chǔ)元件接觸區(qū)域之上的第二導(dǎo)電部分；

在所述第一導(dǎo)電部分與所述第二導(dǎo)電部分之間形成第二絕緣材料；

形成延伸穿過(guò)所述第二絕緣材料以與所述數(shù)位線接觸區(qū)域耦合的數(shù)位線互連件；

形成與所述數(shù)位線互連件耦合的數(shù)位線；以及

形成通過(guò)所述第一導(dǎo)電部分和所述第二導(dǎo)電部分與存儲(chǔ)元件接觸區(qū)域耦合的存儲(chǔ)元件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述存儲(chǔ)元件是電容器。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一絕緣材料包括氮化硅。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二絕緣材料包括二氧化硅。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述導(dǎo)電塊包括導(dǎo)電摻雜的半導(dǎo)體材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述導(dǎo)電塊包括n型硅。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述導(dǎo)電塊包括含金屬材料。

8.一種形成集成組合件的方法，其包括：

提供具有有源區(qū)域柱的構(gòu)造；所述有源區(qū)域柱中的每個(gè)有源區(qū)域柱具有細(xì)分為三個(gè)接觸區(qū)域的上部部分；所述三個(gè)接觸區(qū)域?yàn)閮蓚€(gè)存儲(chǔ)元件接觸區(qū)域和一個(gè)數(shù)位線接觸區(qū)域；

在所述構(gòu)造之上形成沿第一方向延伸的第一軌道；所述第一軌道被中間間隙彼此間隔開(kāi)；所述第一軌道包括第一絕緣材料；

在所述中間間隙內(nèi)形成與所述存儲(chǔ)元件接觸區(qū)域和所述數(shù)位線接觸區(qū)域耦合的導(dǎo)電材料；所述導(dǎo)電材料形成第二軌道，所述第二軌道沿與所述第一方向正交的第二方向與所述第一軌道交替；

使所述第二軌道圖案化成間隔開(kāi)的導(dǎo)電塊；所述導(dǎo)電塊中的每個(gè)導(dǎo)電塊位于由所述接觸區(qū)域中的三個(gè)接觸區(qū)域構(gòu)成的組之上；每組包含一對(duì)所述存儲(chǔ)元件接觸區(qū)域和所述數(shù)位線接觸區(qū)域中位于所述一對(duì)所述存儲(chǔ)元件接觸區(qū)域之間的一個(gè)數(shù)位線接觸區(qū)域；所述導(dǎo)電塊中的每個(gè)導(dǎo)電塊具有第一端部區(qū)域、第二端部區(qū)域和位于所述第一端部區(qū)域與所述第二端部區(qū)域之間的中心區(qū)域；

在所述間隔開(kāi)的導(dǎo)電塊之間的空間中形成第二絕緣材料；

使用第三絕緣材料代替所述導(dǎo)電塊的所述中心區(qū)域；

形成延伸穿過(guò)所述第三絕緣材料以與所述數(shù)位線接觸區(qū)域耦合的數(shù)位線互連件；

形成沿所述第二方向延伸并且與所述數(shù)位線互連件耦合的數(shù)位線；以及

將存儲(chǔ)元件與所述導(dǎo)電塊中的每個(gè)導(dǎo)電塊的所述第一端部區(qū)域和所述第二端部區(qū)域耦合。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述第一絕緣材料和所述第二絕緣材料是彼此相同的組合物。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述第一絕緣材料和所述第二絕緣材料包括氮化硅。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述導(dǎo)電材料包括導(dǎo)電摻雜的半導(dǎo)體材料。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述導(dǎo)電材料包括n型硅。

13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述導(dǎo)電材料包括含金屬材料。